一种半导体的图形制备方法及制造存储器的方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体的图形制备方法，包括：在待制备图形的目标层上形成牺牲层，并采用光刻工艺在所述牺牲层上形成蜂巢状排布的间隔图形；形成均匀覆盖所述间隔图形表面的、侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层形成侧墙；去除所述牺牲层，并以所述侧墙材料层为掩模刻蚀所述目标层，形成间隔小于所述间隔图形的孔。本发明专利技术提供的方法，用以解决现有技术中的小间距图形制备困难，成本高，耗时的技术问题。实现了节约小间距图形制备的成本和时间的技术效果。术效果。术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体的图形制备方法及制造存储器的方法


[0001]本公开内容涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体的图形制备方法及制造存储器的方法。

技术介绍

[0002]为了在晶圆上形成半导体器件的结构，需要使用光刻工艺来形成各层的图形。典型的光刻工艺是设置光刻胶和在光刻胶上形成图形再刻蚀。然而，随着半导体器件尺寸的缩小，利用光刻工艺生成间隔较小的图形时，由于光刻分辨率限制，无法得到小于极限分辨率的图形。利用光刻工艺制备小间距图形越来越困难。
[0003]当前，主要采用多次光刻技术来解决小间距图形制备困难的问题。具体如图1所示，通过第一次光刻先生成一部分宽间距图形，再通过第二次光刻在间隔处生成另一部分图形
……
，这样通过多次光刻来制备小间距图形。
[0004]然而，光刻工艺为半导体工艺中成本较高且耗时的工艺，多次执行光刻工艺会导致生产成本和工艺时间的增加，产生较大的成本和工时消耗。

技术实现思路

[0005]本公开内容的目的至少部分在于，解决现有技术中的小间隔图形制备因多次光刻导致的生产成本和工艺时间增加的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的图形制备方法，其特征在于，包括：在待制备图形的目标层上形成牺牲层，并采用光刻工艺将所述牺牲层形成蜂巢状排布的间隔图形；形成均匀覆盖所述间隔图形表面的侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层形成侧墙；去除所述牺牲层，并以所述侧墙为掩模刻蚀所述目标层，形成间隔小于所述间隔图形的孔。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述间隔图形为间隔圆柱；所述间隔圆柱分布于正六边形的六个定点以及中心处。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述侧墙材料层的厚度大于等于所述间隔圆柱之间间距的二分之一，以形成蜂巢状排布的侧面相连的圆柱，所述侧面相连的圆柱之间形成有凹陷孔。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述侧墙材料层形成侧墙，包括：各向异性刻蚀所述侧墙材料层至显露出所述间隔圆柱的顶面和所述目标层位于所述凹陷孔下方的表面，形成侧墙。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述以所述侧墙为掩模刻蚀所述目标层，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：车世浩，贺晓彬，丁明正，刘强，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：