用于制作薄膜体声波谐振器的方法及谐振器技术

本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作薄膜体声波谐振器的方法，包括：形成谐振结构；在谐振结构的一侧淀积介质层；在介质层远离谐振结构的一侧形成硅材料层；在硅材料层形成第一通孔；利用第一通孔在介质层上形成第二通孔，暴露出所述谐振结构；在硅材料层远离介质层的一侧形成衬底，使得谐振结构、介质层、硅材料层和衬底围合形成空腔。这样通过硅材料层刻蚀介质层，使得谐振结构暴露，相较于通过释放孔释放腐蚀衬底的方式，能够更快的暴露出谐振结构，从而能够快速形成空腔。本申请还公开一种薄膜体声波谐振器。开一种薄膜体声波谐振器。开一种薄膜体声波谐振器。

【技术实现步骤摘要】
用于制作薄膜体声波谐振器的方法及谐振器


[0001]本申请涉及谐振器
，例如涉及一种用于制作薄膜体声波谐振器的方法及谐振器。

技术介绍

[0002]目前，传统的薄膜体声波谐振器结构包括压电层、上电极结构、下电极结构和衬底；上电极结构设置在压电层一侧；下电极结构设置在压电层另一侧，衬底设置在下电极结构远离压电层的一侧；衬底上设置有谐振空腔；现有技术中，通常是先形成压电层、上电极结构、下电极结构和不包括谐振空腔的衬底后，再在上电极结构、压电层和下电极结构形成释放孔；通过释放孔对衬底进行释放腐蚀，以形成谐振空腔。
[0003]在实现本专利技术实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：由于释放孔很小，而谐振空腔的体积是释放孔体积的400倍以上，因此腐蚀液只能通过释放孔缓慢腐蚀衬底，形成空腔的时间较长。

技术实现思路

[0004]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制作薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于，包括：形成谐振结构；在所述谐振结构的一侧淀积介质层；在所述介质层远离所述谐振结构的一侧形成硅材料层；在硅材料层形成第一通孔；利用所述第一通孔在所述介质层上形成第二通孔，暴露出所述谐振结构；在所述硅材料层远离所述介质层的一侧形成衬底，使得所述谐振结构、所述介质层、所述硅材料层和所述衬底围合形成空腔。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成谐振结构，包括：在预设的待移除层上从下往上依次淀积氮化铝层、上电极层、压电层、下电极层；在所述下电极层远离所述压电层的一侧淀积下电极边缘凸起框架层，并对所述下电极边缘凸起框架层进行刻蚀，直到暴露出所述下电极层；在所述下电极边缘凸起框架层及暴露出的下电极层上沉积钝化层；刻蚀所述钝化层、所述下电极边缘凸起框架层和所述下电极层，直到暴露出所述压电层的一端，获得下电极结构；移除所述待移除层；刻蚀所述氮化铝层和所述上电极层，直到暴露出所述压电层不与所述下电极结构连接的另一端的另一侧，获得上电极结构。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获得上电极结构后，还包括：通过第一金属层与所述下电极结构进行连接，将第一金属层暴露于所述压电层不与所述上电极结构连接的一端外；通过第二金属层与所述上电极结构进行连接，将第二金属层暴露于所述氮化铝层外。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述硅材料层上形成第一通孔前，还包括：在所述上电极结构远离所述压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：