带叠层凸起结构的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备技术

本发明专利技术涉及一种体声波谐振器及其制造方法。该谐振器包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，其中：顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；顶电极和/或底电极沿有效区域设置有凸起结构，所述凸起结构包括第一凸起层与第二凸起层，第一凸起层邻近压电层布置，第二凸起层的外端在谐振器的厚度方向上远离压电层且与第一凸起层叠置，第一凸起层和第二凸起层彼此叠置的部分以构成叠置部；所述凸起结构在所述叠置部的内侧设置有单层部，所述单层部设置在对应电极与压电层之间；且所述单层部的厚度与所述层叠部的厚度的比值不大于0.62。本发明专利技术还涉及一种滤波器以及一种电子设备。备。备。

【技术实现步骤摘要】
带叠层凸起结构的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种电子设备。

技术介绍

[0002]电子器件作为电子设备的基本元素，被广泛应用于我们生活中的方方面面。不但我们目前常用的移动电话、汽车、家电设备等地方充满了各式各样的电子器件，而且未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
[0003]电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类。其中薄膜体声波谐振器具有尺寸小(μm级)、谐振频率高(GHz)、品质因数高(1000)、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。FBAR主要利用压电材料的压电效应与逆压电效应产生体声波，从而在器件内形成谐振，因为FBAR具有品质因数本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，其中：顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；顶电极和/或底电极沿有效区域设置有凸起结构，所述凸起结构包括第一凸起层与第二凸起层，第一凸起层邻近压电层布置，第二凸起层的外端在谐振器的厚度方向上远离压电层且与第一凸起层叠置，第一凸起层和第二凸起层彼此叠置的部分以构成叠置部；所述凸起结构在所述叠置部的内侧设置有单层部，所述单层部设置在对应电极与压电层之间；且所述单层部的厚度与所述层叠部的厚度的比值不大于0.62。2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述单层部为第二凸起层的一部分。3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述单层部为第一凸起层的一部分。4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述单层部的宽度在0.2μm-7μm的范围内。5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：第一凸起层与第二凸起层的材料相同。6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：第一凸起层与第二凸起层的材料选自钼、钌、金、铝、镁、钨、铜、钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金。7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：第一凸起层与第二凸起层为不同材料制成，且第一凸起层的材料与第二凸起层的材料的声学阻抗不同。8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述比值在0.1-0.6的范围内。9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：所述比值在0.2-0.55的范围内。10.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：谐振器的频率在1.5GHz-2.8GHz的范围内。11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：谐振器的工作频段为B25，且所述单层部的厚度在的范围内；或...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，班圣光，徐洋，张孟伦，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：