一种物理气相沉积用磁控溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术通过在磁控溅射装置底座上沿径向交错、均匀布置偶数数量的条形永磁铁，使得相邻的两个条形永磁铁两端的磁力线闭合，有利于束缚腔室内的电子，形成更多的等离子，增加溅射效率；通过设置磁铁调节机构调整条形永磁铁在径向上的位置，使得靶材上磁感应强度分布更均匀，靶材被均匀溅射，提高靶材使用率；通过在磁控溅射装置边缘设置上方为S极、下方为N极的环形永磁铁，增强装置边缘的磁感应强度，有效束缚靶材边缘的电子，使靶材边缘与中间的溅射速度相同进而提升靶材使用率，提升基片上薄膜的均匀性。靶材利用率从原来的30％，提升到约60％，降低了生产成本；基片薄膜的均匀性则从原来的约3％提升到约0.8％，提升了产品的稳定性，增加了良率。增加了良率。增加了良率。

【技术实现步骤摘要】
一种物理气相沉积用磁控溅射装置


[0001]本专利技术涉及物理气相沉积领域，特别涉及一种磁控溅射装置。

技术介绍

[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。
[0003]其中，溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材因被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电，称直流(Qc)溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。本专利技术涉及的就是磁控溅射技术。
[0004]磁控溅射装置是在溅射靶表面形成磁场并且使电子在磁场中移动而效率良好地将溅射气体等离子体化的装置。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积用磁控溅射装置，其特征在于，所述装置包括：磁控溅射装置底座(7)、条形永磁铁(8)和磁铁位置调节机构(9)；所述条形永磁铁(8)在所述磁控溅射装置底座(7)内沿径向均匀分布且在所述径向上的位置也相同，以六个以上的偶数数量设置，相邻两个所述条形永磁铁(8)的N极和S极交错放置，当第一条形永磁铁(8)的所述N极指向所述磁控溅射装置底座(7)的圆心，所述S极指向所述磁控溅射装置底座(7)的圆周时，相邻的第二磁铁的所述N极指向所述磁控溅射装置底座(7)的圆周，所述S极指向所述磁控溅射装置底座(7)的圆心；所述磁铁位置调节机构(9)固定在所述磁控溅射装置底座(7)上，位于所述条形永磁铁(8)的上方，与所述条形永磁铁(8)相连接，用于带动所述条形永磁铁(8)沿所述磁控溅射装置的径向运动；每一个所述条形永磁铁(8)的上方都有一个所述磁铁位置调节机构(9)。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述磁铁位置调节机构(9)包括：步进电机(14)；与所述步进电机(14)相连接的丝杆(12)；安装在所述丝杆(12)上的滑块(13)；所述步进电机(14)和所述丝杆(12)固定在所述磁控溅射装置底座(7)上；所述滑块(13)与所述条形永磁铁(8)相连接，在所述滑块(13)与所述条形永磁铁(8)之间有隔磁片(15)；当所述步进电机(14)转动时，所述滑块(13)沿着所述丝杆(12)滑动，带动与所述滑块(13)相连的所述条形永磁铁(8)沿着所述丝杆(12)，即沿着所述磁控溅射装置底座(7)的径向，调整位置。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗正勇，金補哲，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：