移动式物理溅射成膜设备及多层膜的制备工艺制造技术

本申请公开了一种移动式物理溅射成膜设备及多层膜的制备工艺。所述移动式物理溅射成膜设备包括：第一真空腔，设置用以载入基材；第一沉积腔，设置用以使所述基材在所述第一沉积腔内进行溅射工艺；第二沉积腔，设置用以使所述基材在所述第二沉积腔内进行溅射工艺；间隔真空腔，设置于所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间，用以将所述基材通过所述间隔真空腔从所述第一沉积腔传输至所述第二沉积腔；其中，所述第一沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压，所述第二沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压；所述间隔真空腔用以阻断所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间的气流传播。积腔与所述第二沉积腔之间的气流传播。积腔与所述第二沉积腔之间的气流传播。

【技术实现步骤摘要】
移动式物理溅射成膜设备及多层膜的制备工艺


[0001]本申请涉及成膜
，具体涉及一种移动式物理溅射成膜设备及多层膜的制备工艺。

技术介绍

[0002]物理气相沉积，例如溅射工艺，已广泛用于现今的半导体集成电路、发光二极管、太阳能电池及显示器等制作中。
[0003]目前，TFT行业中使用的移动式物理溅射成膜设备，通用的移动沉积方案为：通过预真空至低真空
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实现成膜需求的高真空
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转移实现产品基材(通过载具)间隔均匀
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产品基材均匀且匀速通过沉积材料，材料在反应气体及磁控下原子被激发沉积在基材上
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转移确保生产节拍
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高真空与低真空以确保排出真空设备。然而，现存的方案如果需要沉积多层膜，则需要进行两次及以上制程，在相同产能需求下，需要两倍倍及以上的设备使用量。
[0004]因此，亟待提供一种移动式物理溅射成膜设备，能够一次成膜完成多层膜质需求以减少工艺制程。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种移动式物理溅射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，包括：第一真空腔，设置用以载入基材；第一沉积腔，设置用以使所述基材在所述第一沉积腔内进行溅射工艺；第二沉积腔，设置用以使所述基材在所述第二沉积腔内进行溅射工艺；间隔真空腔，设置于所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间，用以将所述基材通过所述间隔真空腔从所述第一沉积腔传输至所述第二沉积腔；其中，所述第一沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压，所述第二沉积腔的气压高于所述间隔真空腔的气压；所述间隔真空腔用以阻断所述第一沉积腔与所述第二沉积腔之间的气流传播。2.根据权利要求1所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述第一真空腔包括第一预真空腔和第一高真空腔，所述第一预真空腔的气压高于所述第一高真空腔；所述第一高真空腔设置于所述第一预真空腔与所述第一沉积腔之间。3.根据权利要求1所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述第一沉积腔和所述第二沉积腔内分别设置有溅射靶，用于向产品基材上溅射沉积材料。4.根据权利要求1所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述间隔真空腔内设置有多组真空分子泵；所述间隔真空腔内通过所述真空分子泵的抽气速度来控制气压。5.根据权利要求1或2所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述移动式物理溅射成膜设备还包括：第二真空腔，设置用以将所述基材排出。6.根据权利要求5所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述第二真空腔包括第二高真空腔和第二预真空腔，所述第二高真空腔的气压小于所述第二预真空腔；所述第二高真空腔设置于所述第二沉积腔与所述第二预真空腔之间。7.根据权利要求5所述的移动式物理溅射成膜设备，其特征在于，所述移动式物理溅射成膜设备还包括：传输单元，设置用以传输所述基材；所述传输单元使得所述基材在所述第一真空腔、第一沉积腔、间隔真空腔、第二沉积腔、第二真空腔之间依次传输。...

【专利技术属性】
技术研发人员：石旭，吴祥一，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：