一种降低封装材料表面厚度的工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种新的半导体封装内部电连接的工艺方法。通常情况下，封装材料的表面厚度的极限除了受到绑定线的直径影响外，拉弧高度也是最直接的影响，为有效降低封装材料的表面厚度，本发明专利技术将芯片的PAD放置在最底层金属上，从而有效降低绑定线的弧顶高度，实现低表面厚度封装。面厚度封装。面厚度封装。

【技术实现步骤摘要】
一种降低封装材料表面厚度的工艺


[0001]本专利技术涉及芯片晶圆制造和封装
，尤其是涉及一种指纹传感器类芯片生产工艺。

技术介绍

[0002]采用芯片顶层金属层作为PAD并用绑定金线加塑封的工艺进行芯片封装是一种传统的芯片封装工艺。此封装工艺的塑封层表面厚度受置于金线弧顶高度。塑封层必须超过金线弧顶高度才能起到保护芯片的作用。
[0003]但是对于一些特殊的应用芯片，尤其是对塑封层厚度参数有要求的芯片，比如指纹传感器，塑封层太厚会造成传感器采集信号弱，从而影响传感器的性能。因此怎样控制和有效得降低塑封层表面厚度至关重要。
[0004]目前也有采用TSV加flipchip的工艺来降低塑封层的厚度，但此方案增加了RDL重布线和植球等工艺步骤，成本比打线工艺高很多。如图二。
[0005]
技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的技术问题是降低芯片封装塑封层的厚度，提高芯片性能。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：通过传统的晶圆生产工艺将顶层金属层PAD连接到最底层金属层，然后通过深硅刻蚀将最底层金属层露出，最后采用传统的打线封装工艺进行封装，金线的弧顶相对高度有效降低了，从而降低了芯片塑封层厚度。
附图说明
[0008]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术的加工流程；图2为本专利技术的加工流程；图3为本专利技术的加工流程；图4为本专利技术的加工流程。
具体实施方式
[0009]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0010]请参阅图1
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4，本专利技术提供一种技术方案：指纹传感器芯片的封装工艺，包括指纹传感器芯片包括封装基板（1）及封装基板上的PAD（7），芯片die包括第一金属层M1(2),第二
金属层M2（4），顶层金属层TM（6）及中间介质隔离层和顶层Passivation保护层。 M1（2）通过via（3）、M2(4)和via（5）与顶层PAD（6）连接。M1（2）和封装基板上的PAD（7）通过金线（11）绑定工艺连接。8为封装塑封层，起到保护作用。
[0011]图1为晶圆传统制造工艺，其中TM PAD（6）已通过工艺实现连接到M1(2)。
[0012]图2为深硅刻蚀工艺，将M1(2)层需要作为PAD连接的部分露出。
[0013]图3 为绑定打线工艺，将M1(2)露出的PAD与封装基板（1）上的PAD（11）采用金线（11）连接。
[0014]图4为塑封工艺，用塑封材料（8）对芯片进行覆盖和保护。最终得到塑封层表面厚度为（10）为20um。
[0015]最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低封装材料表面厚度的工艺，包括封装基板（1）及封装基板上的PAD（7），芯片die包括第一金属层M1(2),第二金属层M2（4），顶层金属层TM（6）及中间介质隔离层和顶层Passivation保护层； M1（2）通过via（3）、M2(4)和via（5）与顶层PAD（6）连接；M1（2）和封装基板上的PAD（7）通过金线（11）绑定工艺连接；8为封装塑封层，起到保护作用。2.根据权利要求1所述的一种降低封装材料表面厚度的工艺，其特征在于，所述芯片金属层可以是指多层数金属层，可以是大于两层金属的结构。3.根据权利要求1所述的一种降低封装材...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘君，
申请(专利权)人：上海图正信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：