一种SOI结构的高温低漂压力芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SOI结构的高温低漂压力芯片，包括：芯片主体；电极片，所述电极片设有两个，两个所述电极片分别与芯片主体电性连接；辅助机构，所述辅助机构安装在电极片的外侧，所述辅助机构可将导向固定在电极片上后将导线与电极片锡焊，本实用新型专利技术不需要操作者在焊接前将导线稳定的放置在电极片位置处，只需将导线插入辅助机构内后，导线与电极片处于相对稳定状态，再进行锡焊，减小焊接不牢等焊接缺陷，方便操作者的焊接。方便操作者的焊接。方便操作者的焊接。

【技术实现步骤摘要】
一种SOI结构的高温低漂压力芯片


[0001]本技术涉及SOI压力芯片
，具体为一种SOI结构的高温低漂压力芯片。

技术介绍

[0002]SOI全称为Silicon
‑
On
‑
Insulator，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层，SOI结构压力芯片是利用多晶硅制成的压力芯片，由于采用了介质隔离，其工作温度可达到300℃以上，可以满足工作温度的要求，也可通过其内部电路到达低漂的压力芯片。
[0003]现有的SOI结构压力芯片在安装时，需要操作者将导线分别放置在芯片的电极片位置后，再将导线与电极片通过锡焊焊接，但是，在实际焊接过程中，导线与电极片只是接触，在焊接时需要操作者将导线稳定的放置在电极片位置后，再使用电烙铁粘锡后焊接，可能存在焊接不牢等焊接缺陷，不方便操作者的焊接。为此，我们提出一种SOI结构的高温低漂压力芯片。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种SOI结构的高温低漂压力芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SOI结构的高温低漂压力芯片，其特征在于：包括：芯片主体(1)；电极片(2)，所述电极片(2)设有两个，两个所述电极片(2)分别与芯片主体(1)电性连接；辅助机构(3)，所述辅助机构(3)安装在电极片(2)的外侧，所述辅助机构(3)可将导向固定在电极片(2)上后将导线与电极片(2)锡焊。2.根据权利要求1所述的一种SOI结构的高温低漂压力芯片，其特征在于：所述辅助机构(3)包括安装在电极片(2)顶部的挡片(31)，所述电极片(2)的顶部设有两个呈对称分布的导向片(32)，两个所述导向片(32)将导线导向并挤压在电极片(2)表面，两个所述导向片(32)位于挡片(31)的一侧，所述电极片(2)的顶部设有可将导线支撑的支撑块(33)，所述支撑块(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：奎建明，
申请(专利权)人：淮安纳微传感器有限公司，
类型：新型
国别省市：