半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种半导体存储装置，能够抑制存储单元端部的电场集中。有关本实施方式的半导体存储装置具有：半导体基板；第一构造体，在半导体基板上，在与半导体基板垂直的第一方向交替地层叠有多个第一导电膜及多个第一绝缘膜；第一半导体层，沿第一方向延伸；以及第一存储单元，设置于第一半导体层和第一构造体之间，多个第一导电膜包括第一部、第二部和第三部，第三部在与半导体基板平行的第二方向上位于第一部和第二部之间，在与半导体基板平行的第三方向上设置于不同的位置，多个第一导电膜从第一部朝向第三部以及从第二部朝向第三部具有曲率，第一存储单元设置于第一半导体层和第三部之间。第三部之间。第三部之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001]本申请主张以日本专利申请第2020－141080号(申请日：2020年8月24日)为基础申请的优先权。本申请通过引用该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及半导体存储装置。

技术介绍

[0003]作为非易失性半导体存储装置，已知有NAND型闪存。为了将该NAND型闪存大容量化，采取层叠多个存储单元的结构的三维NAND型闪存已得到实际应用。对于三维NAND型闪存，在存储单元的端部产生电场集中。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的课题是提供一种半导体存储装置，能够抑制存储单元端部的电场集中。
[0005]有关本实施方式的半导体存储装置具有：半导体基板；第一构造体，在半导体基板上，在与半导体基板垂直的第一方向交替地层叠有多个第一导电膜及多个第一绝缘膜；第一半导体层，沿第一方向延伸；以及第一存储单元，设置于第一半导体层和第一构造体之间，多个第一导电膜包括第一部、第二部和第三部，第三部在与半导体基板平行的第二方向上位于第一部和第二部之间，在与半导体基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其具有：半导体基板；第一构造体，在所述半导体基板上，在与所述半导体基板垂直的第一方向交替地层叠有多个第一导电膜及多个第一绝缘膜；第一半导体层，沿所述第一方向延伸；以及第一存储单元，设置于所述第一半导体层和所述第一构造体之间，所述多个第一导电膜包括第一部、第二部和第三部，所述第三部在与半导体基板平行的第二方向上位于所述第一部和所述第二部之间，在与所述半导体基板平行的第三方向上设置于不同的位置，所述多个第一导电膜从所述第一部朝向所述第三部以及从所述第二部朝向所述第三部具有曲率，所述第一存储单元设置于所述第一半导体层和所述第三部之间。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述第一部及所述第二部相对于所述第三部在所述第三方向突出。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述第一存储单元包括：第一绝缘层，设置于所述第一半导体层和所述第一导电膜之间；第一电荷蓄积层，设置于所述第一绝缘层和所述第一导电膜之间；第二绝缘层，设置于所述第一电荷蓄积层和所述第一导电膜之间。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述第一绝缘层、所述第一电荷蓄积层和所述第二绝缘层在所述第三方向上还设置于所述第一部和所述第二部的侧面，与设置于所述第三部的所述第一绝缘层、所述第一电荷蓄积层和所述第二绝缘层连续。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述半导体存储装置还具有：第二构造体，在所述半导体基板上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶原铃加，黑田寿文，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：