一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法技术

本发明专利技术提供一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法，对不同翘曲值的标准晶圆进行曝光，量测并获得整片标准晶圆上的套刻精度并对其进行分析和拟合，生成不同的套刻精度高阶补正子程式；建立翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系；将翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系输入至生产系统；曝光前量测晶圆的翘曲值，并将量测的翘曲值送入生产系统；通过生产系统中所述翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系，调用与所量测的翘曲值匹配的套刻精度高阶补正子程式；利用所调用的与所量测的翘曲值匹配的套刻精度高阶补正子程式对所述晶圆进行曝光，并对其进行套刻精度量测，根据量测结果拟合出套刻精度与翘曲值的对应关系，并反馈给所述生产系统。并反馈给所述生产系统。并反馈给所述生产系统。

【技术实现步骤摘要】
一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法。

技术介绍

[0002]随着技术节点推进，线宽减小，产品的光刻工艺窗口也大幅减小，同时由于设计规则更加具有挑战性，对套刻精度(OVL)的要求也越来越高，OVL的好坏已经直接影响到器件的性能和产品的良率，因此OVL提升一直以来是光刻面临的主要挑战之一，尤其是高端制程对OVL的要求将更加严苛，甚至OVL最小需要做到2.5nm，挑战光刻机的OVL极限。
[0003]对于不同制程的产品，尤其是特殊制程，晶圆因为特殊工艺导致形变发生，常见的形变有翘曲，这种翘曲往往是由于沉积的薄膜逐渐加厚或者经过高温处理之后导致的，而这种翘曲的晶圆吸附到晶圆承载平台上之后，会由于吸附后应力的原因导致曝光后OVL发生异常，这种异常常见于KRF和Iline机台。对于这种异常的处理往往是通过调节沉积薄膜的应力来减轻wafer翘曲度，从而达到改善OVL的效果，但改善效果往往有限。光刻本身也可以对此类OVL进行改善，往往是通过O本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、制备不同翘曲值的标准晶圆；步骤二、利用所述不同翘曲值的标准晶圆进行曝光，量测并获得整片所述标准晶圆上的套刻精度；步骤三、对所获得的所述套刻精度进行分析和拟合，生成不同的套刻精度高阶补正子程式；步骤四、建立所述翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系，以确定不同翘曲值与晶圆曝光可调用的套刻精度高阶补正子程式；之后将所述翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系输入至生产系统；步骤五、曝光前量测晶圆的翘曲值，并将量测的翘曲值送入生产系统；步骤六、通过所述生产系统中所述翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系，调用与所量测的翘曲值匹配的套刻精度高阶补正子程式；步骤七、利用所调用的与所量测的翘曲值匹配的套刻精度高阶补正子程式对所述晶圆进行曝光，并对其进行套刻精度量测，根据量测结果拟合出套刻精度与翘曲值的对应关系，并反馈给所述生产系统。2.根据权利要求1所述的改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法，其特征在于：步骤一中所述不同翘曲值通过在所述标准晶圆上沉积应力不同的薄膜获得。3.根据权利要求1所述的改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法，其特征在于：步骤一中所述不同翘曲值通过对所述标准晶圆进行不同的热处理获...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建涛，郭晓波，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：