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本发明提供一种改善因晶圆形变引起的套刻精度变差的曝光方法，对不同翘曲值的标准晶圆进行曝光，量测并获得整片标准晶圆上的套刻精度并对其进行分析和拟合，生成不同的套刻精度高阶补正子程式；建立翘曲值与套刻精度高阶补正子程式的关系；将翘曲值与套刻精度...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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