具有过孔结构的天线封装及其形成方法技术

本公开涉及具有过孔结构的天线封装及其形成方法。例如，一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括射频(RF)电路；馈线结构，耦合到RF电路；以及天线结构，包括沿与半导体器件的正侧和背侧中的至少一侧正交的方向扩展的主体，其中天线结构通过馈线结构耦合到RF电路。中天线结构通过馈线结构耦合到RF电路。中天线结构通过馈线结构耦合到RF电路。

【技术实现步骤摘要】
具有过孔结构的天线封装及其形成方法


[0001]本专利技术总体上涉及射频半导体器件，并且在具体实施例中，涉及封装天线(AiP)半导体器件。

技术介绍

[0002]自集成电路专利技术以来，由于各种电子部件的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。集成密度的提高源自于最小特征尺寸的不断缩小。缩小的特征尺寸允许更多的部件集成到给定半导体区域中。随着最近对进一步减小电子器件尺寸的需求的增长，对半导体管芯的更具创造性的封装技术的需求也在增长。
[0003]随着半导体技术的发展，扇出晶圆级封装已成为进一步减小半导体芯片的物理尺寸的有效替代方案。在具有扇出信号布线布局的半导体器件中，半导体管芯的输入和输出焊盘可重新分布到半导体管芯下方区域外的区域。如此，输入和输出焊盘可将信号传播到比半导体管芯下方区域更大的区域，并且为互连提供额外的空间。由于具有扇出信号布线布局，可以增加半导体器件的输入和输出焊盘的数目。
[0004]在扇出晶圆级封装中，半导体管芯可包括射频集成电路(RFIC)。这种半导体器件的一个示例是封装天线(AiP)器件。AiP器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，具有正侧和与所述正侧相对的背侧，所述半导体器件包括：半导体芯片，包括射频RF电路；馈线结构，耦合到所述RF电路；以及天线结构，包括沿与所述半导体器件的所述正侧和所述背侧中的至少一侧正交的方向扩展的主体，其中所述天线结构通过所述馈线结构耦合到所述RF电路。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述天线结构包括连接到所述馈线结构的至少一个过孔捕捉焊盘。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：所述至少一个过孔捕捉焊盘位于所述天线结构的所述主体的一端处。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：所述至少一个过孔捕捉焊盘位于所述天线结构的所述主体的两端之间的位置处。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述天线结构的所述主体包括通过镀层形成的至少一个部分，所述镀层被布置为所述半导体器件的孔的侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述天线结构进一步在所述半导体器件的所述背侧之上延伸。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述馈线结构包括将所述天线结构耦合到所述RF电路的单条馈线。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述馈线结构包括将所述天线结构耦合到所述RF电路的至少两条馈线。9.一种方法，包括：在具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的半导体封装中形成包括射频RF电路的半导体芯片；形成耦合到所述RF电路的馈线结构；以及形成天线结构，所述天线结构包括沿与所述半导体封装的所述第一侧正交的方向扩展的主体，其中所述天线结构通过所述馈线结构耦合到所述RF电路。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述半导体封装中形成孔，其中所述孔和所述馈线结构通过过孔捕捉焊盘耦合到一起。11.根据权利要求10所述的方法，还包括：通过镀所述孔的侧壁形成所述天线结构的所述主体的至少一部分。12.根据权利要求10所述的方法，还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵应山，A，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：