天线装置和制造方法制造方法及图纸

本公开的各实施例涉及天线装置和制造方法。半导体器件包括：包括射频(RF)电路的半导体管芯、被设置在半导体管芯的第一表面之上的第一介电层、被设置在第一介电层的表面之上的天线层、以及将天线层耦合到半导体管芯的RF电路的天线馈送结构，其中半导体管芯包括过孔，并且天线馈送结构包括第一部分以及第二部分，第一部分被布置在半导体管芯的开口内并且延伸到半导体管芯的第一表面，第二部分被布置为穿过第一介电层。穿过第一介电层。穿过第一介电层。

【技术实现步骤摘要】
天线装置和制造方法


[0001]本专利技术总体上涉及射频半导体器件，并且在特定实施例中，涉及封装天线(antenna
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in
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package)半导体器件。

技术介绍

[0002]自集成电路专利技术以来，由于各种电子部件的集成密度不断改进，半导体行业经历了快速增长。集成密度的改进来自于最小特征尺寸的不断减小。减小的特征尺寸允许将更多部件集成到给定的半导体面积中。随着近来对进一步减小电子器件尺寸的需求不断增长，对半导体管芯的更具创造性的封装技术的需求也在增长。
[0003]随着半导体技术的发展，扇出晶片级(fan
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out wafer
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level)封装已成为进一步减小半导体芯片的物理尺寸的有效备选方案。在具有扇出信号布线布局的半导体器件中，半导体管芯的输入和输出焊盘可以被重新分布到半导体管芯下方面积之外的面积。因此，输入和输出焊盘可以将信号传播到比半导体管芯下方的面积更大的面积，并且为互连提供附加的空间。由于具有扇出信号布线布局，半导体器件的输入和输出焊盘的数量可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：半导体管芯，包括射频RF电路；第一介电层，被设置在所述半导体管芯的第一表面之上；天线层，被设置在所述第一介电层的表面之上；以及天线馈送结构，将所述天线层耦合到所述半导体管芯的所述RF电路，其中：所述半导体管芯包括开口；以及所述天线馈送结构包括第一部分以及第二部分，所述第一部分被布置在所述半导体管芯的所述开口内并且延伸到所述半导体管芯的所述第一表面，所述第二部分被布置为穿过所述第一介电层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述天线馈送结构还包括第三部分，所述第三部分将所述天线馈送结构的所述第一部分连接到所述天线馈送结构的所述第二部分，并且其中所述天线馈送结构的所述第三部分沿着所述半导体管芯的所述第一表面被布置。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述半导体管芯的所述第一表面是所述半导体管芯的背侧。4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：位于所述半导体管芯的第二表面之上的重分布结构，其中所述重分布结构被电耦合到所述RF电路，并且所述半导体管芯的所述第二表面是所述半导体管芯的前侧；以及多个输入/输出连接器，借助所述重分布结构而被电耦合到所述半导体管芯。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：所述重分布结构包括重分布层和第二介电层，并且其中所述重分布层被嵌入在所述第二介电层中。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述天线馈送结构的所述第一部分与所述第二部分被彼此直接连接。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述天线层在所述半导体器件的侧壁之上延伸。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述半导体器件是封装天线(AiP)器件。9.一种方法，包括：在包括射频RF电路的半导体管芯中形成过孔；在所述半导体管芯的第一表面之上沉积第一介电层；在所述第一介电层中形成第一过孔；以及在所述第一介电层的第一表面上形成天线层，其中天线馈送结构被配置为将所述RF电路耦合到所述天线层，并且其中所述天线馈送结构包括第一部分以及第二部分，所述第一部分由所述半导体管芯的所述过孔形成并且延伸至所述半导体管芯的所述第一表面，所述第二部分由所述第一过孔形成。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述第一介电层中形成第一开口；填充所述第一开口来形成所述第一过孔，并且利用导电材料在所述第一介电层的所述
第一表面之上形成所述天线层，其中所述天线层借助所述天线馈送结构而被电耦合到所述半导体管芯的所述RF电路；在所述第一介电层中形成第二开口，其中所述第二开口与所述第一开口位于所述半导体管芯的相对侧上；填充所述第二开口来形成第二过孔，并且利用所述导电材料在所述第一介电层的第二表面之上形成重分布层；在所述第一介电层的所述第一表面之上沉积第二介电层，其中所述天线层被嵌入在所述第二介电层中；以及在所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹应山，A，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：