过渡块及光芯片封装基座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过渡块及光芯片封装基座，其中，一种过渡块，包括SiC材料制成的块本体，所述块本体的正面设有信号返回路径和微带线路，所述块本体的两侧分别设有金属化固定槽，所述块本体的背面为金锡背面。效率高，兼容性高，耦合性好，质量可靠，良率高，成本低。本实用新型专利技术应用于5G技术领域。实用新型专利技术应用于5G技术领域。实用新型专利技术应用于5G技术领域。

【技术实现步骤摘要】
过渡块及光芯片封装基座


[0001]本技术涉及5G
，具体涉及过渡块及光芯片封装基座。

技术介绍

[0002]光芯片封装基座是用于光通信系统里作为光发射器件中关键部件，链接发射光源、调制与物理层驱动重要的精密高性能的基础性元件。作为光通信器件，要求产品在线寿命是20年以上，这就对光电器件的封装提出非常有挑战性的苛刻要求，在结构上必须要防尘、防水、防腐蚀等要求，在环境上，也要求耐高低温、双85等条件下能保证光学性能、电性能等指标特性。在工艺上，除了要有良好的光信号的耦合减小损耗，也要有很高的气密性要求和焊接性要求。
[0003]现有技术中，光芯片封装基座上的光芯片与子系统高速互连线是通过金丝键合实现互连的，电感的寄生效应使得，带宽受限变窄，同时阻抗增大，产生不连续性，严重影响高速信号的完整性，键合引线效率低，要求专用的设备金丝球焊机，成本高，生产带来难度，精度难以控制，良率低。

技术实现思路

[0004](一)要解决的技术问题
[0005]一种过渡块及光芯片封装基座，解决了生产成本高、键合引线效率低、良率低等技术问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为解决上述技术问题，本技术提供了一种过渡块，包括SiC材料制成的块本体，所述块本体的正面设有信号返回路径和微带线路，所述块本体的两侧分别设有金属化固定槽，所述块本体的背面为金锡背面。
[0008]进一步改进的，所述金属化固定槽为半圆柱形。
[0009]进一步改进的，所述微带线路通过PVD和刻蚀工艺加工在块本体的正面。
[0010]本技术还公开了一种光芯片封装基座，其采用的技术方案如下：
[0011]一种光芯片封装基座，包括金属基板、一根RF引线和至少一根DC 引线，所述金属基板上设有至少两个安装孔和上述的过渡块，所述微带线路和光芯片键合，所述微带线路和RF引线导通；
[0012]所述RF引线和DC引线上分别套设有与烧结的玻璃安装件，所述RF 引线和DC引线分别通过玻璃安装件可拆卸固定在各安装孔内。
[0013]进一步改进的，所述过渡块为超高频性能SiC基薄膜制作高速信号的过渡块。
[0014]进一步改进的，所述金属基板、RF引线、DC引线、玻璃安装件和过渡块上分别设有镀金层。
[0015]进一步改进的，所述金属基板上还设有TEC热电制冷器，所述TEC 热电制冷器上设有钨铜块，所述光芯片设在钨铜块上，所述基座上设有 PD监测芯片。
[0016]进一步改进的，所述RF引线的直径为0.2mm，所述DC引线的直径为0.33mm。
[0017]进一步改进的，所述玻璃安装件为圆筒形或异形。
[0018]进一步改进的，所述玻璃安装件的膨胀系数为32*10
‑
7/K～56*10
‑ꢀ
7/k，介电常数为4～6之间。
[0019](三)有益效果
[0020]本技术的过渡块是用在光芯片封装基座上的，SiC材料制成的块本体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，实现电路中的超高频特性，易于键合与导热。信号返回路径可以根据实际需要调整面积、大小、方便快捷，具有兼容性强、低寄生效应、阻抗易于控制、保持连续性、保证信号的完整性等优点。可以制作不同形状、尺寸，满足不同的光芯片封装的兼容性，易于根据需要进行替换，满足不同功能。金属化固定槽在共晶焊接时易于固定，不会移位，可靠性高，良率高。块本体的背面为金锡背面，可以通过直接电镀或薄膜沉积生长，加工简单，组装时可以自动化贴片，效率高，质量可靠，良率高。
[0021]本技术的过渡块可替换、可移动的高速微带线SiC基过度块装置，采用共晶焊接工艺技术，可提高产品制程良率，实现快速生产，提高产能。结构简单、组装便捷、工艺难度低、制程效率和良率更高、材料来源广泛、提炼工艺成熟、成本低。可有效增加激光器里传输线的信号耦合的灵活性；减小电感寄生效应带来的阻抗变化，增强传输线阻抗的连续性；提高超高频特性；降低成本，解决不同尺寸光芯片封装时的兼容性问题。
[0022]本技术包括上述过渡块的光芯片封装基座也具有上述优点，在此不再赘述。
[0023]本技术的光芯片封装基座，DC引线和RF引线统称为PiN脚。 DC引线可以根据实际的芯片功能，可以任意组合，可以是3根、4根、5 根、6根、7根，增加了使用范围和灵活性，物料种类减少，灵活运用，降低成本，实现不同功能，解决大小尺寸光芯片封装的兼容性问题。
[0024]RF引线通过与玻璃安装件介电常数的匹配，在超高频、超高速的条件下，可以实现25、50、75欧姆等连续阻抗匹配，使得阻抗的连续性增强，有效提供信号的耦合灵活性和性能，保证信号的完整性。
[0025]本技术的光芯片封装基座，结构简单、组装便捷，借助烧结工艺，采用烧结的玻璃安装件，可解决传统光芯片封装基座制程良率低、成本高的缺陷，能够有效降低制作难度和生产成本，提高产品良率和市场竞争力，达到快速生产，快速交付的目的。有效提高信号的耦合性能，保证信号的完整性，提高产品竞争力。
附图说明
[0026]图1为本技术一实施例光芯片封装基座的结构示意图；
[0027]图2为图1的爆炸图；
[0028]图3为现有技术中光芯片封装基座的结构示意图；
[0029]图4为本技术一实施例中过渡块的结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下
实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。
[0031]本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]请参照图1至图4，一种过渡块，包括SiC材料制成的块本体5，所述块本体5的正面设有信号返回路径51和微带线路52，所述块本体5的两侧分别设有金属化固定槽6，所述块本体5的背面为金锡背面。
[0034]本实施例的过渡块是用在光芯片封装基座上的，SiC材料制成的块本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过渡块，其特征在于，包括SiC材料制成的块本体，所述块本体的正面设有信号返回路径和微带线路，所述块本体的两侧分别设有金属化固定槽，所述块本体的背面为金锡背面。2.根据权利要求1所述的过渡块，其特征在于，所述金属化固定槽为半圆柱形。3.一种光芯片封装基座，其特征在于，包括金属基板、一根RF引线和至少一根DC引线，所述金属基板上设有至少两个安装孔和权利要求1至2任一项所述的过渡块，所述微带线路和光芯片键合，所述微带线路和RF引线导通；所述RF引线和DC引线上分别套设有与烧结的玻璃安装件，所述RF引线和DC引线分别通过玻璃安装件可拆卸固定在各安装孔内。4.根据权利要求3所述的光芯片封装基座，其特征在于，所述过渡块为超高频性能SiC基薄膜制作高速信号的过渡块。5.根据权利要求3所述的光芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：章九林，宁亚茹，杨栋，
申请(专利权)人：深圳市中兴新地技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：