存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置可以包括多个存储器单元、外围电路和控制逻辑。外围电路被配置为对多个存储器单元当中的被选存储器单元执行针对多个编程状态当中的目标编程状态的编程验证操作。控制逻辑被配置为控制外围电路以在编程验证操作中对联接至被选存储器单元当中的第一存储器单元的位线和联接至被选存储器单元当中的第二存储器单元的位线进行预充电。第一存储器单元是被编程为多个编程状态当中的高于目标编程状态的编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元。第二存储器单元是被编程为多个编程状态当中的低于或等于目标编程状态的编程状态的存储器单元。程状态的存储器单元。程状态的存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其操作方法


[0001]本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及存储器装置及其操作方法。

技术介绍

[0002]储存装置是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置是仅在供电时存储数据并且在供电中断时所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0004]非易失性存储器装置是即使供电中断也保留数据的存储器装置。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除ROM(EEROM)、闪存等。

技术实现思路

[0005]一些实施方式涉及具有改善的编程验证操作性能的存储器装置以及存储器装置的操作方法。
[0006]根据本公开的实施方式，一种存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为对多个存储器单元当中的被选存储器单元执行针对多个编程状态当中的目标编程状态的编程验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以在编程验证操作中对联接至被选存储器单元当中的第一存储器单元的位线和联接至被选存储器单元当中的第二存储器单元的位线进行预充电。第一存储器单元是被编程为多个编程状态当中的高于目标编程状态的编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元，并且第二存储器单元是被编程为多个编程状态当中的低于或等于目标编程状态的编程状态的存储器单元。
[0007]根据本公开的另一实施方式，一种存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为对多个存储器单元当中的被选存储器单元执行针对多个编程状态当中的目标编程状态的编程验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路以在编程验证操作中对联接至被选存储器单元当中的第一存储器单元的位线和联接至被选存储器单元当中的第二存储器单元的位线进行预充电。第一存储器单元是被编程为多个编程状态当中的除了目标编程状态之外的其它编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元，并且第二存储器单元是被编程为目标编程状态的存储器单元。
[0008]根据本公开的又一实施方式的是一种用于操作存储器装置的方法，该存储器装置包括多个存储器单元。该方法包括：执行对联接至多个存储器单元当中的被选存储器单元中所包括的第一存储器单元和第二存储器单元的位线进行预充电的位线预充电操作；以及执行感测联接至被选存储器单元的位线的电位的评估操作。第一存储器单元是被编程为多个编程状态当中的高于目标编程状态的编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器
单元，并且第二存储器单元是被编程为多个编程状态当中的低于或等于目标编程状态的编程状态的存储器单元。
[0009]根据本公开的又一实施方式的是一种用于操作存储器装置的方法，该存储器装置包括多个存储器单元。该方法包括：执行对联接至多个存储器单元当中的被选存储器单元中所包括的第一存储器单元和第二存储器单元的位线进行预充电的位线预充电操作；以及执行感测联接至被选存储器单元的位线的电位的评估操作。第一存储器单元是被编程为多个编程状态当中的除了目标编程状态之外的其它编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元，并且第二存储器单元是被编程为目标编程状态的存储器单元。
附图说明
[0010]现在将在下文中参照附图更全面地描述示例实施方式。实施方式可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文阐述的示例实施方式。而是，提供示例实施方式以使得本领域技术人员将能够实施本公开。
[0011]在附图中，为了图示清楚，可能夸大了尺寸。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，它可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。贯穿全文，相似的参考标号指代相似的元件。
[0012]图1是例示根据本公开的实施方式的储存装置的图。
[0013]图2是例示图1所示的存储器装置的结构的图。
[0014]图3是例示图2所示的存储器单元阵列的实施方式的图。
[0015]图4是例示图2所示的存储器单元阵列的另一实施方式的图。
[0016]图5是例示图4所示的存储块当中的任何一个存储块的电路图。
[0017]图6是例示图4所示的存储块当中的一个存储块的另一实施方式的电路图。
[0018]图7是例示图2所示的存储器装置的编程操作的图。
[0019]图8是例示图7所示的编程验证步骤的图。
[0020]图9是例示根据本公开的实施方式的读取操作的图。
[0021]图10是例示根据本公开的实施方式的编程验证操作的图。
[0022]图11是例示根据本公开的实施方式的存储器装置的操作的流程图。
[0023]图12是例示图11所示的位线预充电操作的实施方式的流程图。
[0024]图13是例示图11所示的位线预充电操作的实施方式的流程图。
具体实施方式
[0025]本文中公开的特定结构性描述或功能性描述仅是出于描述根据本公开的构思的实施方式的目的而例示的。根据本公开的构思的实施方式可以以各种形式来实现，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。
[0026]图1是例示根据本公开的实施方式的储存装置50的图。
[0027]参照图1，储存装置50可以包括存储器装置100和被配置为控制存储器装置100的操作的存储器控制器200。储存装置50可以是用于在诸如移动电话、智能电话、MP3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、TV、平板PC或车载信息娱乐系统之类的主机的控制下存储数据的装置。
[0028]储存装置50根据作为与主机的通信方案的主机接口而可以被制造为各种类型的储存装置中的任何一种。例如，储存装置50可以用诸如固态驱动器(SSD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、减小尺寸的MMC(RS
‑
MMC)、微型MMC(micro
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MMC)、安全数字(SD)卡、迷你SD卡、微型SD卡、通用串行总线(USB)储存装置、通用闪存(UFS)装置、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡(SMC)、存储棒等的各种类型的储存装置中的任何一种来实现。
[0029]储存装置50可以被制造为各种类型的封装类型中的任何一种。例如，储存装置50可以被制造为层叠式封装(PoP)、系统级封装(SIP)、片上系统(SOC)、多芯片封装(MCP)、板上芯片(COB)、晶圆级制造封装(WFP)或晶圆级加工封装(WSP)。
[0030]存储器装置100可以存储数据。存储器装置100在存储器控制器200的控制下操作。存储器装置100可以包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元。
[0031]存储器单元中的每个可以被配置为存储一个数据比特的单级单元(SLC本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，所述外围电路被配置为对所述多个存储器单元当中的被选存储器单元执行针对多个编程状态当中的目标编程状态的编程验证操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述编程验证操作中对与所述被选存储器单元当中的第一存储器单元联接的位线以及与所述被选存储器单元当中的第二存储器单元联接的位线进行预充电，其中，所述第一存储器单元是被编程为所述多个编程状态当中的高于所述目标编程状态的编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元，并且其中，所述第二存储器单元是被编程为所述多个编程状态当中的低于或等于所述目标编程状态的编程状态的存储器单元。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在对联接至所述第一存储器单元的所述位线以及联接至所述第二存储器单元的所述位线进行预充电之后，执行感测联接至所述被选存储器单元的位线的电位的评估操作。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述评估操作期间向联接至所述被选存储器单元的字线施加验证电压并且向联接至所述多个存储器单元当中的未选存储器单元的字线施加验证通过电压。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为基于所述评估操作的结果，将所述被选存储器单元当中的要被编程为所述目标编程状态的存储器单元的阈值电压与所述验证电压进行比较，并且基于比较结果来确定针对所述目标编程状态的所述编程验证操作是通过还是失败。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述编程验证操作中对与包括在所述第二存储器单元中的被编程为所述目标编程状态的存储器单元当中的编程失败的存储器单元联接的位线进行预充电。6.一种存储器装置，该存储器装置包括：多个存储器单元；外围电路，所述外围电路被配置为对所述多个存储器单元当中的被选存储器单元执行针对多个编程状态当中的目标编程状态的编程验证操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述编程验证操作中对与所述被选存储器单元当中的第一存储器单元联接的位线以及与所述被选存储器单元当中的第二存储器单元联接的位线进行预充电，其中，所述第一存储器单元是被编程为所述多个编程状态当中的除了所述目标编程状态之外的其它编程状态的存储器单元当中的编程通过的存储器单元，并且其中，所述第二存储器单元是被编程为所述目标编程状态的存储器单元。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在对联接至所述第一存储器单元的所述位线以及联接至所述第二存储器单元的所述位线进行预充电之后，执行感测联接至所述被选存储器单元的位线的电位的评估操作。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以在所述评估操作期间向联接至所述被选存储器单元的字线施加验证电压并且向联接至
所述多个存储器单元当中的未选存储器单元的字线施加验证通过电压。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为基于所述评估操作的结果，将所述被选存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔亨进，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：