半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够抑制接合焊针等连接机构与其它导线的干涉问题的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：衬底，具有第1面；第1半导体芯片，设置在第1面上，且设置着第1电极、第2电极、及第3电极；树脂，覆盖第1面与第1半导体芯片，具有与第1面对向的第2面及位于第2面的相反侧的第3面；第1导线，连接于第1电极，且述第3面露出；第2导线，连接于第2电极，且从第3面露出；第3导线，连接于第1面，且从第3面露出；以及第4导线，将第1面与第3电极连接；第3电极形成在第1电极与第2电极之间。形成在第1电极与第2电极之间。形成在第1电极与第2电极之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2020
‑
137632号(申请日：2020年8月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。


[0003]所揭示的实施方式涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0004]例如，半导体装置具备积层的多个半导体芯片。通过在各半导体芯片接合导线，能够进行信息的授受。如果积层的半导体芯片数量变多，积层体就会变厚，需要与其对应高度的导线。
[0005]由于焊线机的接合焊针的前端形状为圆锥形，所以当接合时，可能产生焊针与其它导线干涉的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种能够抑制接合焊针等连接机构与其它导线的干涉问题的半导体装置。
[0007]本专利技术的半导体装置具备：衬底，具有第1面；第1半导体芯片，设置在第1面上，且设置着第1电极、第2电极、及第3电极；树脂，覆盖第1面与第1半导体芯片，具有与第1面对向的第2面及位于第2面的相反侧的第3面；第1导线，连接于第1电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于具备：衬底，具有第1面；第1半导体芯片，设置在所述第1面，且设置着第1电极、第2电极、及第3电极；树脂，覆盖所述第1面与所述第1半导体芯片，具有与所述第1面对向的第2面及位于所述第2面的相反侧的第3面；第1导线，连接于所述第1电极，且从所述第3面露出；第2导线，连接于所述第2电极，且从所述第3面露出；第3导线，连接于所述第1面，且从所述第3面露出；以及第4导线，将所述第1面与所述第3电极连接；所述第3电极形成在所述第1电极与所述第2电极之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于具备：第2半导体芯片，设置在所述第1半导体芯片上，且形成有第4电极；以及第5导线，将所述第3电极与所述第4电极连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述衬底包含第1导电层及第2导电层，所述第3导线连接于所述第1导电层，且所述半导体装置具备第6导线，所述第6导线与所述第2导电层连接，且从所述第3面露出。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于具备设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间的介电层，在所述第1导电层及所述介电层形成开口，所述第6导线与所述第2导电层的从所述开口露出的部分连接。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于具备设置在所述树脂的所述第2面上方的第1外部电极、第2外部电极、及第3外部电极，所述第1导线与第1外部电极电连接，所述第3导线与第2外部电极电连接，所述第6导线与第3外部电极电连接。6.一种半导体装置，其特征在于具备：衬底，在第1面侧设置着第1导电层及与所述第1导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川一磨，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：