导电薄膜、导电薄膜的制备方法、电流汇集传输材料以及能量存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种导电薄膜、导电薄膜的制备方法、电流汇集传输材料以及能量存储装置，涉及导电薄膜技术领域，该导电薄膜包括薄膜基材、双面第一金属镀层、双面第二金属镀层、双面PI膜、双面第三金属镀层、双面第四金属镀层以及双面第五金属镀层；双面第一金属镀层通过真空镀膜设备成型在薄膜基材的两个表面上，双面第二金属镀层通过水镀装置成型在双面第一金属镀层上；双面PI膜通过涂布复合设备单面复合在双面第二金属镀层外表面；双面第三金属镀层通过磁控溅射镀膜设备成型在PI膜的表面，双面第四金属镀层通过真空蒸发装置成型在双面第三金属镀层上；双面第五金属镀层通过水镀装置成型在双面第四金属镀层上；本发明专利技术的有益效果是：放宽了对外层薄膜基材厚度的限制，提高了镀层材料的强度和致密性。镀层材料的强度和致密性。镀层材料的强度和致密性。

【技术实现步骤摘要】
导电薄膜、导电薄膜的制备方法、电流汇集传输材料以及能量存储装置


[0001]本专利技术涉及导电薄膜
，更具体的说，本专利技术涉及导电薄膜、导电薄膜的制备方法、及其作为电流汇集传输材料在能量存储装置中的应用。

技术介绍

[0002]目前，真空镀膜技术广泛用于电子产品、光学元件、传感器等高科技领域，研究人员根据各生产链条的特点开发了各式各样适用于不同技术要求的真空镀膜设备。
[0003]真空镀膜技术主要分为蒸发镀膜和溅射镀膜两种。其中，蒸发镀膜法是在真空环境中利用电流加热、电子束加热或激光加热等方法使蒸发材料变成团簇、分子或原子，以较大的自由程作近自由运动，当这些自由运动的分子或原子碰撞到温度较低的基膜，就在基膜上凝结下来，沉积覆盖在基膜上形成薄膜金属镀层。蒸发镀膜法具有纯度高、结晶好的优点，常用于金属薄膜、半导体薄膜、薄膜太阳能电池材料的生产制作。
[0004]导电薄膜生产时，一般是通过蒸发镀膜结合水镀镀膜的工艺线路。为了满足导电薄膜的厚度要求，对基膜的厚度有特定的要求，这就使得在生产导电薄膜时，需要对基膜的厚度进行限制，基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电薄膜，其特征在于：包括双面第一金属镀层、双面第二金属镀层、双面PI膜、双面第三金属镀层、双面第四金属镀层以及双面第五镀层；所述的双面第一金属镀层通过真空镀膜设备成型在薄膜基材的表面上，双面第二金属镀层通过水镀装置成型在所述双面第一金属镀层上；所述的PI膜通过涂布复合设备复合在双面第二金属镀层外表面，双面第三金属镀层通过磁控溅射镀膜设备成型在双面PI膜外表面；所述双面第四金属镀层通过真空蒸发装置成型在双面第三金属镀层上，双面第五金属镀层通过水镀设备成型双面第四金属镀层外表面；所述的薄膜基材在双面第五金属镀层成型后与双面第一金属层之间进行剥离，剥离薄膜基材后形成的两卷导电薄膜成品。2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述的薄膜基材包括但不限于PP膜、PE膜或PET膜。3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述薄膜基材厚度为12-20μm；所述导电薄膜的成品膜厚度为3-6μm。4.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述第一金属镀层厚度为50-200nm。5.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述第二金属镀层的厚度为600-900nm。6.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述PI膜的厚度为1-4μm。7.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述第三金属镀层的厚度为5-50nm。8.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述第四金属镀层的厚度为50-200nm。9.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述第五金属镀层的厚度为600-900nm。10.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：所述的第一金属镀层、第二金属镀层、第三金属镀层以及第四金属镀层均为镀铜层。11.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下的步骤：S1、在薄膜基材的上下两个表面涂覆上0.3-1um厚度的离型剂，形成双面离型涂层；S2、在双面离型涂层表面采用真空镀膜设备进行同步镀膜，各形成50-200nm厚的双面第一金属镀层；S3、通过水镀装置，在双面第一金属镀层的外表面同步形成600-90...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾孟，
申请(专利权)人：昆山鑫美源电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：