一种半导体结构的形成方法技术

本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括若干沟槽，所述沟槽用于形成源极和漏极；预处理阶段，对所述沟槽表面进行处理，去除沟槽表面的残留物和氧化物；反应准备阶段，将温度调整至反应温度，将压强调整至反应压强，所述反应压强为10托至60托；反应阶段，通入反应气体，在所述反应温度和反应压强下在所述沟槽表面生成种子层。本申请所述的半导体结构的形成方法，使用低压低温的反应环境来生长源极和漏极，可以提高源极和漏极的均一性，降低缺陷，提高可靠性。高可靠性。高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]众所周知，目前业界将硅锗外延层的选择性外延成长工艺(selective epitaxial growth，SEG)应用在半导体工艺上，例如源极和漏极的形成。为了增加电子迁移率和成本效益，硅锗被用作源极和漏极的材料。这是因为锗原子的半径比硅原子的半径大，所以当锗原子取代部份硅原子，进入硅的晶格(lattice)中时，整个晶格会因此而扭曲。在电荷携带者的密度相同时，晶格扭曲的硅或硅锗合金和单晶硅比起来，其电子和空穴的移动性都大幅增加，如此一来便能够降低元件阻值，使集成电路的集成度可以继续提高。
[0003]但是目前在硅锗外延层在生长过程中，尤其是种子层(seed layer)的生长过程中，采用的是高压低温的生长环境，虽然可以降低短沟道效应，但是会导致种子层均一性较差。因此，需要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种半导体结构的形成方法，可以提高源极和漏极的均一性，降低缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括若干沟槽，所述沟槽用于形成源极和漏极；预处理阶段，对所述沟槽表面进行处理，去除沟槽表面的残留物和氧化物；反应准备阶段，将温度调整至反应温度，将压强调整至反应压强，所述反应压强为10托至60托；反应阶段，通入反应气体，在所述反应温度和反应压强下在所述沟槽表面生成种子层。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上与所述半导体衬底一体的鳍片，所述沟槽位于所述鳍片中。3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预处理阶段包括第一子阶段和第二子阶段，所述第一子阶段去除所述沟槽表面的残留物，所述第二子阶段去除所述沟槽表面的氧化物。4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一子阶段包括：将所述反应腔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐子波，张凯，何崇敏，唐磊，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：