【技术实现步骤摘要】
LDMOS器件及其形成方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种LDMOS器件及其形成方法。
技术介绍
[0002]随着功率集成电路的飞速发展，功率半导体器件的研究与开发显得愈发重要。LDMOS是DMOS器件的一种横向高压器件。具有耐压高、增益大、失真低等优点，并且更易与CMOS工艺兼容，因此在射频集成电路中得到了广泛的应用。
[0003]然而，现有的LDMOS器件的性能不佳。
[0004]有鉴于此，如何提高LDMOS器件的性能，成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例解决的问题是提供一种LDMOS器件及其形成方法，优化LDMOS器件的性能。
[0006]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种LDMOS器件的形成方法，包括：
[0007]提供基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区，所述阱区包括第一衬底和凸出于所述第一衬底的第一鳍部，所述漂移区包括第二衬底，所述第二衬底的顶面与所述第一鳍部的顶面齐平；
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区，所述阱区包括第一衬底和凸出于所述第一衬底的第一鳍部，所述漂移区包括第二衬底，所述第二衬底的顶面与所述第一鳍部的顶面齐平；在所述第一鳍部露出的所述第一衬底上形成氧化层，所述氧化层的高度低于所述第一鳍部的高度。2.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述第一鳍部，且在沿所述第一鳍部延伸方向上，所述栅极结构覆盖部分所述第一鳍部的侧壁和顶面和部分所述漂移区以及所述氧化层。3.如权利要求2所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述漂移区还包括第三衬底和凸出于所述第三衬底的第二鳍部，所述第二鳍部与所述第一鳍部连接，所述第二鳍部的顶面与所述第一鳍部的顶面齐平且所述第二鳍部与所述第一鳍部的延伸方向相同，所述第三衬底位于所述第一衬底和所述第二衬底之间，所述第二鳍部位于所述第一鳍部和所述第二衬底之间；在所述第一鳍部露出的所述第一衬底上形成氧化层的同时，还在所述第二鳍部露出的所述第三衬底上形成氧化层。4.如权利要求3所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构横跨所述第一鳍部和所述第二鳍部，在沿所述第一鳍部延伸方向上，所述栅极结构覆盖部分所述第一鳍部的侧壁和顶面和至少部分所述第二鳍部的侧壁和顶面，以及所述氧化层。5.如权利要求4所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在沿所述第一鳍部延伸方向上，所述栅极结构覆盖部分所述第一鳍部的侧壁和顶面和部分所述第二鳍部的侧壁和顶面。6.如权利要求1所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的形成步骤包括：在所述基底上形成鳍部掩膜层；形成遮挡层，所述遮挡层覆盖所述漂移区对应的所述鳍部掩膜层；以所述鳍部掩膜层和所述遮挡层为掩膜，图形化所述遮挡层暴露出的所述阱区对应的基底，形成第一衬底以及凸出于所述第一衬底的分立的第一鳍部。7.如权利要求3所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部和所述第二鳍部的形成步骤包括：在所述基底上形成鳍部掩膜层；形成遮挡层，所述遮挡层覆盖部分所述漂移区对应的所述鳍部掩膜层，所述遮挡层位于所述漂移区远离阱区的一侧的基底上；以所述鳍部掩膜层和所述遮挡层为掩膜，图形化所述遮挡层暴露出的所述阱区和所述漂移区对应的基底，形成第一衬底以及凸出于所述第一衬底的分立的第一鳍部、第三衬底以及凸出于所述第三衬底的分立的第二鳍部。8.如权利要求2所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构之前或者之后，还包括：
在所述漂移区的远离所述栅极结构的一侧形成漏区。9.如权利要求8所述的LD...
【专利技术属性】
技术研发人员：张进书，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。