【技术实现步骤摘要】
晶圆焊垫结构及其形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆焊垫结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]晶圆级BGA(Wafer Lever BGA，WLBGA)封装以BGA(Ball Grid Array)技术为基础，是一种经过改进和提高的CSP封装技术。晶圆级BGA技术以晶圆为加工对象，在晶圆上同时对多个芯片进行封装、老化以及测试，然后切割晶圆形成单个器件，该单个器件可以直接贴装至基板或者印刷电路板上。
[0003]晶圆级BGA技术具有封装尺寸小且支持的键合需求广的优点，使得晶圆级BGA技术的应用越来越广，以晶圆级BGA技术封装获得的产品需求量也越来越大。
[0004]然而，现有技术在封装过程中的所形成的晶圆焊垫结构的性能仍有待提高。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种晶圆焊垫结构及其形成方法，能够有效的提升最终形成的半导体结构的性能。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种晶圆焊垫结构，包括：第一衬底，所述第一衬底包...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆焊垫结构，其特征在于，包括：第一衬底，所述第一衬底包括器件结构和电互连结构；位于所述电互连结构上的第一钝化层；位于所述第一钝化层上的第一保护层，所述第一钝化层和所述第一保护层内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述电互连结构的顶部表面；位于所述第一开口内的连接层；位于所述第一保护层和所述连接层上的焊垫结构，所述连接层连接所述焊垫结构和所述电互连结构；位于所述焊垫结构侧面和顶部表面的第二保护层；位于所述第二保护层上的第二钝化层，所述第二钝化层和所述第二保护层内具有第二开口，所述第二开口暴露出所述焊垫结构的顶部表面。2.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的硬度大于所述第一钝化层和所述第二钝化层的硬度。3.如权利要求2所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述第一保护层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锶、氧化钛、掺氧的氮化硅、掺氮的碳化硅和低温制程下的氧化硅中的一种或多种组合；所述第二保护层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锶、氧化钛、掺氧的氮化硅、掺氮的碳化硅和低温制程下的氧化硅中的一种或多种组合。4.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述第一保护层厚度为50埃～1000埃；所述第二保护层厚度为50埃～1000埃。5.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述焊垫结构的厚度为2500埃～3500埃。6.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料包括：氧化硅和氮化硅。7.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为600埃～1500埃。8.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，还包括：位于所述第二钝化层和所述焊垫结构上的缓冲层。9.如权利要求8所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述缓冲层的材料包括：聚酰亚胺复合材料。10.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，还包括：导电结构，所述导电结构与所述焊垫结构接触。11.如权利要求10所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述导电结构包括：导电柱或焊球。12.如权利要求11所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述导电柱包括：种子层以及位于所述种子层上的导电层。13.如权利要求12所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述导电层的材料包括：铜。14.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述焊垫结构的材料包括：铝。15.如权利要求10所述晶圆焊垫结构，其特征在于，还包括：位于所述导电结构上的第二衬底。16.如权利要求1所述晶圆焊垫结构，其特征在于，所述器件结构包括晶体管、电阻、电
感或电容，所述电互连结构与所述器件结构电连接。17.一种晶圆焊垫结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括器件结构和电互连结构；在所述电互连结构上形成初始第一钝化层；在所述初始第一钝化层上形成初始第一保护层；对所述初始第一钝化层和所述初始第一保护层进行第一图形化处理，形成第一钝化层和第一保护层，所述第一钝化层和所述第一保护层内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述电互连结构的顶部表面；在所述第一开口和...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊鹏，王瑜彬，李斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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