插损测量结构及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种插损测量结构及其装置。其中，插损测量结构包括传输波导和测量波导，传输波导包括输入波导、输出波导、第一耦合波导和用于滤除光信号高阶模的第一滤模波导及第二滤模波导；测量波导包括用于滤除光信号高阶模的第三滤模波导、用于连接待测器件的连接区域和用于与第一耦合波导进行光信号耦合的第二耦合波导；测量波导在待测器件安装于连接区域的情况下形成环形波导。根据本发明专利技术实施例提供的方案，第一滤模波导、第二滤模波导和第三滤模波导能够滤除光信号的高阶模，因此可以降低光信号的高阶模对待测器件的插损测量结果的影响，从而能够提高对待测器件的插损测量精度。精度。精度。

【技术实现步骤摘要】
插损测量结构及其装置


[0001]本专利技术实施例涉及但不限于硅基光子集成芯片
，尤其涉及一种插损测量结构及其装置。

技术介绍

[0002]随着光通信技术飞速发展，硅基光子集成芯片的性能日益精进。准确测量硅基光子集成芯片中的器件(如弯曲波导、多模干涉耦合器等)的插损，对硅基光子集成芯片整体的损耗性能优化有着至关重要的作用。
[0003]传统的插损测量方法主要采用级联方法，但该方法无法排除光栅耦合器的性能影响，此外，该方法所需的测量结构的版图空间大，并且只能测量器件的平均性能，无法准确测量器件的插损。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本专利技术实施例提供了一种插损测量结构及其装置，能够提高器件的插损测量精度。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种插损测量结构，包括：
[0007]传输波导，包括输入波导、输出波导、第一耦合波导和用于滤除光信号高阶模的第一滤模波导及第二滤模波导，所述输入波导、所述第一滤模波导、所述第一耦合波导、所述第二滤模波导和所述输出波导依次连接；
[0008]测量波导，包括用于滤除光信号高阶模的第三滤模波导、用于连接待测器件的连接区域和用于与所述第一耦合波导进行光信号耦合的第二耦合波导；
[0009]所述测量波导在待测器件安装于所述连接区域的情况下形成环形波导。
[0010]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种插损测量装置，包括有如上第一方面所述的插损测量结构。
[0011]本专利技术实施例包括：传输波导和测量波导，传输波导包括输入波导、输出波导、第一耦合波导和用于滤除光信号高阶模的第一滤模波导及第二滤模波导，输入波导、第一滤模波导、第一耦合波导、第二滤模波导和输出波导依次连接；测量波导包括用于滤除光信号高阶模的第三滤模波导、用于连接待测器件的连接区域和用于与第一耦合波导进行光信号耦合的第二耦合波导；测量波导在待测器件安装于连接区域的情况下形成环形波导。根据本专利技术实施例提供的方案，在光信号从输入波导传输至输出波导的过程中，第一滤模波导和第二滤模波导能够滤除光信号的高阶模，从而能够降低传输波导的耦合性能对插损测量的影响；另外，光信号能够通过第一耦合波导和第二耦合波导的耦合作用而传输到测量波导中，而测量波导在待测器件安装于连接区域的情况下能够形成环形波导，因此能够使满足谐振条件的光信号可以在该环形波导内循环振荡而实现波长选择，而第三滤模波导则能
够把该环形波导中的光信号的高阶模滤除，从而可以降低光信号的高阶模对待测器件的插损测量结果的影响，从而能够提高对待测器件的插损测量精度。
[0012]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0013]附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。
[0014]图1是本专利技术一个实施例提供的插损测量结构的结构示意图；
[0015]图2是本专利技术另一实施例提供的连接有待测器件的插损测量结构的结构示意图；
[0016]图3是本专利技术另一实施例提供的连接有待测器件的插损测量结构的结构示意图；
[0017]图4是本专利技术另一实施例提供的连接有待测器件的插损测量结构的结构示意图；
[0018]图5是本专利技术一个实施例提供的对待测器件进行插损测量的输出光强随波长变化图；
[0019]图6是本专利技术一个实施例提供的对待测器件进行插损测量的FSR随波长变化图；
[0020]图7是本专利技术一个实施例提供的对待测器件进行插损测量的插损参数随波长变化图。
具体实施方式
[0021]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0022]需要说明的是，说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
[0023]本专利技术提供了一种插损测量结构及其装置，通过设置包括有输入波导、输出波导、第一耦合波导、用于滤除光信号高阶模的第一滤模波导及第二滤模波导的传输波导，以及包括有用于滤除光信号高阶模的第三滤模波导、用于连接待测器件的连接区域和用于与第一耦合波导进行光信号耦合的第二耦合波导的测量波导，其中，输入波导、第一滤模波导、第一耦合波导、第二滤模波导和输出波导依次连接，测量波导在待测器件安装于连接区域的情况下形成环形波导。因此，在光信号从输入波导传输至输出波导的过程中，第一滤模波导和第二滤模波导能够滤除光信号的高阶模，从而能够降低传输波导的耦合性能对插损测量的影响；另外，光信号能够通过第一耦合波导和第二耦合波导的耦合作用而传输到测量波导中，而测量波导在待测器件安装于连接区域的情况下能够形成环形波导，因此能够使满足谐振条件的光信号可以在该环形波导内循环振荡而实现波长选择，而第三滤模波导则能够把该环形波导中的光信号的高阶模滤除，从而可以降低光信号的高阶模对待测器件的插损测量结果的影响，从而能够提高对待测器件的插损测量精度。
[0024]下面结合附图，对本专利技术实施例作进一步阐述。
[0025]如图1所示，图1是本专利技术一个实施例提供的插损测量结构的结构示意图。
[0026]在如图1所示的插损测量结构中(图中的虚线仅用于区分各个波导)，该插损测量结构包括：
[0027]传输波导100，包括输入波导110、输出波导120、第一耦合波导130和用于滤除光信号高阶模的第一滤模波导140及第二滤模波导150，输入波导110、第一滤模波导140、第一耦合波导130、第二滤模波导150和输出波导120依次连接；
[0028]测量波导200，包括用于滤除光信号高阶模的第三滤模波导210、用于连接待测器件的连接区域220和用于与第一耦合波导130进行光信号耦合的第二耦合波导230；
[0029]测量波导200在待测器件安装于连接区域220的情况下形成环形波导。
[0030]在一实施例中，由于第一滤模波导140、第二滤模波导150和第三滤模波导210均能够滤除光信号高阶模，因此，在光信号从输入波导110传输至输出波导120的过程中，第一滤模波导140和第二滤模波导150能够滤除光信号的高阶模，从而能够降低传输波导100的耦合性能对插损测量的影响。另外，在待测器件安装于连接区域220的情况下，如图2所示(图中的虚线仅用于区分各个波导)，当待测器件300安装于连接区域220时，测量波导200能够形成环形波导，因此，当光信号通过第一耦合波导130和第二耦合波导230的耦合作用而传输到测量波导200本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种插损测量结构，其特征在于，包括：传输波导，包括输入波导、输出波导、第一耦合波导和用于滤除光信号高阶模的第一滤模波导及第二滤模波导，所述输入波导、所述第一滤模波导、所述第一耦合波导、所述第二滤模波导和所述输出波导依次连接；测量波导，包括用于滤除光信号高阶模的第三滤模波导、用于连接待测器件的连接区域和用于与所述第一耦合波导进行光信号耦合的第二耦合波导；所述测量波导在待测器件安装于所述连接区域的情况下形成环形波导。2.根据权利要求1所述的插损测量结构，其特征在于，所述测量波导还包括第一连接波导和第二连接波导，所述第一连接波导设置有用于连接待测器件的输入端的第一连接端，所述第二连接波导设置有用于连接待测器件的输出端的第二连接端，所述第一连接端与所述第二连接端之间形成有所述连接区域。3.根据权利要求2所述的插损测量结构，其特征在于，所述第三滤模波导连接于所述第二连接波导，并且所述第三滤模波导的宽度小于所述第二连接波导的宽度。4.根据权利要求1所述的插损测量结构，其特征在于，所述第一滤模波导、所述第二滤模波导和所述第三滤模波导的...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪涛，
申请(专利权)人：中兴光电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：