一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置，涉及位错密度测量技术领域。该位错腐蚀装置包括若干层由上至下依次平行排列的放置台，放置台可用于放置片状的晶体，所述放置台的中间设有贯通的第一流通孔，第一流通孔用于供腐蚀液流通并腐蚀晶体表面的位错。该位错腐蚀装置放置于盛有腐蚀液的器皿中，通过在放置台上放置晶体，便于对晶体进行腐蚀，结构独特，通过第一流通孔保证晶体下方的腐蚀液流通，可放置多片晶体进行同时腐蚀，节约腐蚀时间和腐蚀液，相比现有技术采用塑料网导致塑料网内的晶体容易发生倾斜，晶体的下表面接触塑料网导致腐蚀不充分等问题，本申请位错腐蚀装置，晶体放置于放置台上不易倾斜，接触面积小，腐蚀充分。腐蚀充分。腐蚀充分。

【技术实现步骤摘要】
一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置


[0001]本技术的属于位错密度测量
，尤其涉及一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置。

技术介绍

[0002]位错是在晶体生长过程中，由热应力或机械应力等的不均匀而产生的微观晶格缺陷。位错对材料的电学性质和器件性能有很大影响，不均匀的位错甚至会导致器件局部击穿，因此位错密度是反映晶体品质的重要参数。在未经任何处理的晶体表面是无法观测到的，要想检测到晶体的位错现象，需要先对晶体样品进行一定处理。检测位错密度的方法有多种，本申请针对的方法为浸蚀法，也称表面法，是目前检测位错密度最常用的方法。这种方法的原理是由于位错附近的化学性质活泼，容易被化学腐蚀剂腐蚀，特别是在晶体表面的位错更容易受到腐蚀，从而产生腐蚀坑，在一定倍数的金相显微镜下可以观测到晶体表面的位错分布。
[0003]通过浸蚀法测量位错，腐蚀坑与位错在晶体的露头端是一一对应的，用金像显微镜统计腐蚀坑的数目便可以得出材料的位错密度。位错显示的清晰度与样品的处理工艺和腐蚀液的组成有很大的关系，在晶体腐蚀之前应该对晶体进行研磨和抛光，以消除晶体的表面损伤。腐蚀液的配比、成分都会对样品造成不一样的影响。腐蚀一般分为酸性腐蚀和碱性腐蚀，酸性腐蚀的速率一般会比较快，并且能够达到很好的抛光的目的，但并不能明显地表现出位错；而碱性腐蚀的速率虽然比较慢，但它能很好的显示出方便我们观察的位错。浸蚀法测量位错密度操作简单，但不同晶体要采用不同配比的腐蚀液、腐蚀温度、腐蚀时间等腐蚀条件，同一晶体的不同晶向的腐蚀条件也会有所差别。
[0004]位错腐蚀的效果要注意一些影响因素，要保证晶体浸泡在位错腐蚀溶液中，腐蚀面向下，并且下表面要有尽量充分的溶液流动。现有的湿法腐蚀位错的工具是使用聚乙烯塑料网，但塑料网内的晶体容易发生倾斜，并且会沉到容器底部，底部接触的部分晶体由于腐蚀液不能充分流动，导致腐蚀不充分。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是针对现有的腐蚀位错的工具存在上述问题，提供一种结构独特，晶体下表面的腐蚀液能够充分流动，晶体放置于放置台上不易倾斜，可对多片晶体进行同时腐蚀，节约腐蚀时间和腐蚀液，以及能够腐蚀充分的用于浸蚀法的位错腐蚀装置。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置，包括若干层由上至下依次平行排列的放置台，所述放置台可用于放置片状的晶体，所述放置台的中间设有贯通的第一流通孔，所述第一流通孔用于供腐蚀液流通并腐蚀晶体表面的位错。
[0008]优选的，若干所述放置台由上至下尺寸依次减小，并依次呈阶梯状排列连接，所述放置台由上至下可依次放置不同尺寸的晶体。
[0009]优选的，所述放置台为圆形，所述放置台上沿竖直方向开设有用于取放晶体或供腐蚀液流入的豁口。
[0010]优选的，所述豁口为扇形结构。
[0011]优选的，所述放置台为环形结构，所述放置台的宽度为3
‑
8mm。
[0012]优选的，所述放置台的宽度为5mm。
[0013]优选的，相邻放置台之间的高度差为1
‑
5mm。
[0014]优选的，相邻放置台之间的高度差为2mm。
[0015]优选的，所述放置台上设有若干第二流通孔，所述第二流通孔用于供腐蚀液流通腐蚀晶体周缘的下表面的位错。
[0016]优选的，所述放置台的下端连接有支撑柱。
[0017]优选的，所述放置台的上端连接有取放柱。
[0018]相比于现有技术，本技术的有益效果在于：该用于浸蚀法的位错腐蚀装置，包括若干层由上至下依次平行排列的放置台，放置台可用于放置片状的晶体，所述放置台的中间设有贯通的第一流通孔，第一流通孔用于供腐蚀液流通并腐蚀晶体表面的位错。该位错腐蚀装置放置于盛有腐蚀液的器皿中，通过在放置台上放置晶体，便于对晶体进行腐蚀，结构独特，通过第一流通孔保证晶体下方的腐蚀液流通，可放置多片晶体进行同时腐蚀，节约腐蚀时间和腐蚀液，相比现有技术采用塑料网导致塑料网内的晶体容易发生倾斜，晶体的下表面接触塑料网导致腐蚀不充分等问题，本申请位错腐蚀装置，晶体放置于放置台上不易倾斜，可对片状晶体进行限位，晶体与放置台接触面积小，腐蚀充分。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0020]图1是本技术实施例中用于浸蚀法的位错腐蚀装置的结构图；
[0021]图2是本技术另一实施例中用于浸蚀法的位错腐蚀装置的结构图；
[0022]图3是本技术再一实施例中用于浸蚀法的位错腐蚀装置的结构图；
[0023]图4为图3的俯视图；
[0024]图中：1为放置台，2为第一流通孔，3为豁口，4为第二流通孔，5为取放柱，6为支撑柱。
具体实施方式
[0025]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
[0026]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中间”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示
或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0027]另外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0028]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0029]实施例：参考图1
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图4，本申请的位错腐蚀装置应用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置，其特征在于，包括若干层由上至下依次平行排列的放置台，所述放置台可用于放置片状的晶体，所述放置台的中间设有贯通的第一流通孔，所述第一流通孔用于供腐蚀液流通并腐蚀晶体表面的位错。2.根据权利要求1所述的用于浸蚀法的位错腐蚀装置，其特征在于，若干所述放置台由上至下尺寸依次减小，并依次呈阶梯状排列连接，所述放置台由上至下可依次放置不同尺寸的晶体。3.根据权利要求1所述的用于浸蚀法的位错腐蚀装置，其特征在于，所述放置台为圆形，所述放置台上沿竖直方向开设有用于取放晶体或供腐蚀液流入的豁口。4.根据权利要求3所述的用于浸蚀法的位错腐蚀装置，其特征在于，所述豁口为扇形结构。5.根据权利要求3所述的用于浸蚀法的位错腐蚀装置，其特征在于，所述放置台...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝昕，甘林，胡世鹏，孙慧斌，赵海歌，罗奇，钟健，吴正新，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：新型
国别省市：