【技术实现步骤摘要】
用于氧化工艺的点火注入装置
[0001]本技术属于半导体工艺中的辅助装置
,具体涉及用于氧化工艺的点火注入装置。
技术介绍
[0002]在半导体器件制造中,常用到湿氧工艺,即用氧气携带高温水蒸气在硅衬底上生长二氧化硅膜,湿氧工艺中,高温水蒸气的纯度对于工艺质量具有重要影响,水蒸汽的纯度不高会导致二氧化硅膜杂质含量高、膜品质不佳。为提高水的纯度,常采用高纯氢气与高纯氧气燃烧(氢氧合成)的方式产生高纯度的水。氢氧合成是在石英管尾部,高纯氢气高纯与氧气燃烧产生高温水汽,高温水汽与氧气混合进入石英反应筒完成湿氧工艺。氢氧合成装置对于氢氧合成工艺具有关键作用,炉管与反应筒连接处石英球碗与石英球头或石英球碗与碳化硅球头在氢氧合成点火工艺中由于氢氧合成时的冲击力较大,石英材质球碗强度较差容易造成不易发现的裂纹,造成批量异常报废,严重影响生产效率。
技术实现思路
[0003]针对上述现有技术的不足,本技术提供了用于氧化工艺的点火注入装置,目的是为了解决炉管与反应筒连接处石英球碗与石英球头或石英球碗与碳化硅球头在氢氧合成点火 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于氧化工艺的点火注入装置,其特征在于,包括反应筒和点火炉,所述反应筒和所述点火炉通过碳化硅连接管连接。2.根据权利要求1所述的用于氧化工艺的点火注入装置,其特征在于,所述碳化硅连接管一体成型且两端口为碗状设置。3.根据权利要求2所述的用于氧化工艺的点火注入装置,其特征在于,所述反应筒的筒口一...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓南翔,
申请(专利权)人:无锡沃尼克半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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