一种双控制极模块封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种双控制极模块封装结构，属于封装技术领域。该封装结构，包括散热板，散热板的一侧设置有铜基岛，铜基岛的表面一侧设置有芯片，芯片的一侧设置有导热片，散热板、铜基岛、芯片和导热片上设置有塑封壳体，塑封壳体的内部设置有引脚，引脚与芯片电性连接，散热板和塑封壳体远离铜基岛的一侧设置有隔离围挡，隔离围挡的表面开设有散热孔，散热板和塑封壳体远离铜基岛的一侧设置有导热柱，导热柱位于隔离围挡的内部，通过将多个MOSFET集成在同一芯片中进行封装，并对散热结构进行改进，解决了目前将多个MOSFET集成在同一芯片中进行封装后发热量会增大，同时在安装过程中散热面容易与其他元器件贴合导致散热不良进而造成损坏的问题。而造成损坏的问题。而造成损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种双控制极模块封装结构


[0001]本技术涉及封装
，具体而言，涉及一种双控制极模块封装结构。

技术介绍

[0002]MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管。由于MOSFET具有可实现低功耗电压控制的特性，现有的控制电路中需要采用多个MOSFET集成在PCB上进行工作，但是采用多个MOSFET后会导致 PCB体积过大的问题，将多个MOSFET集成在同一芯片中进行封装可以解决PCB 体积过大的问题但是将多个MOSFETT集成在同一芯片中进行封装后发热量会增大，同时在安装过程中散热面容易与其他元器件贴合导致散热不良进而造成损坏。

技术实现思路

[0003]为了弥补以上不足，本技术提供了一种双控制极模块封装结构，通过将多个MOSFET集成在同一芯片中进行封装，并对散热结构进行改进，解决了目前将多个MOSFET集成在同一芯片中进行封装后发热量会增大，同时在安装过程中散热面容易与其他元器件贴合导致散热不良进而造成损坏的问题。
[0004]本技术是这样实现的：
>[0005]一种双本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双控制极模块封装结构，其特征在于，包括散热板(10)，所述散热板(10)的一侧设置有铜基岛(20)，所述铜基岛(20)的表面一侧设置有芯片(30)，所述芯片(30)的一侧设置有导热片(70)，所述散热板(10)、所述铜基岛(20)、所述芯片(30)和所述导热片(70)上设置有塑封壳体(40)，所述塑封壳体(40)的内部设置有引脚(50)，所述引脚(50)与所述芯片(30)电性连接，所述散热板(10)和所述塑封壳体(40)远离所述铜基岛(20)的一侧设置有隔离围挡(60)，所述隔离围挡(60)的表面开设有散热孔(601)，所述散热板(10)和所述塑封壳体(40)远离所述铜基岛(20)的一侧设置有导热柱(80)，所述导热柱(80)位于所述隔离围挡(60)的内部。2.根据权利要求1所述的一种双控制极模块封装结构，其特征在于，所述导热片(70)的形状为L形，所述导热片(70)的材料为陶瓷，且所述导热片(70)分别与所述芯片(30)和所述散热板连接。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉珍，王新强，张永利，王丕龙，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：