一种低正向压降高热容量的整流模块制造技术

本实用新型专利技术针对现有技术中整流模块的二极管芯片抗浪涌电流的能力还可以进一步提高的问题，提出了一种低正向压降高热容量的整流模块，属于半导体整流技术领域，包括铝基覆铜板，铝基覆铜板的覆铜层包括三个引入交流正极的第一覆铜层、一个引出直流正极的第二覆铜层和一个引出直流负极的第三覆铜层，所述第一覆铜层上设有一个二极管芯片，所述第三覆铜层上设有三个二级管芯片，第一覆铜层和二极管芯片之间、第三覆铜层和二极管芯片之间均设有焊接台。该实用新型专利技术提高了二极管芯片抗浪涌电流的能力，进一步提高了二极管芯片在大电流应用领域的使用寿命。域的使用寿命。域的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种低正向压降高热容量的整流模块


[0001]本技术属于半导体整流
，具体涉及一种低正向压降高热容量的整流模块。

技术介绍

[0002]整流模块是由二极管芯片构成整流结构的，在一些大电流通过整流模块的应用领域，比如车辆启动或者关闭的时候会有较大的浪涌电流产生，提升二极管芯片底下的热容量有助于二极管芯片抗浪涌电流的能力。

技术实现思路

[0003]本技术针对现有技术中整流模块的二极管芯片抗浪涌电流能力还可以进一步提高的问题，提出了一种低正向压降高热容量的整流模块。
[0004]本技术的专利技术目的是通过以下技术方案实现的：一种低正向压降高热容量的整流模块，包括由铝板、绝缘层、覆铜层组成的铝基覆铜板，所述覆铜层包括三个引入交流正极的第一覆铜层、一个引出直流正极的第二覆铜层和一个引出直流负极的第三覆铜层；三个第一覆铜层排成一行，每个第一覆铜层上都设有一个二极管芯片，所述第三覆铜层上设有排成一行的三个二级管芯片；三个第一覆铜层上的二极管芯片分别通过铜连桥与第二覆铜层电性连接，第三覆铜层上最左侧的二极管芯片和最左侧的第一覆铜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低正向压降高热容量的整流模块，其特征在于，包括由铝板(1)、绝缘层(2)、覆铜层组成的铝基覆铜板，所述覆铜层包括三个引入交流正极的第一覆铜层(3)、一个引出直流正极的第二覆铜层(4)和一个引出直流负极的第三覆铜层(5)；三个第一覆铜层(3)排成一行，每个第一覆铜层(3)上都设有一个二极管芯片(6)，所述第三覆铜层(5)上设有排成一行的三个二级管芯片；三个第一覆铜层(3)上的二极管芯片(6)分别通过铜连桥(9)与第二覆铜层(4)电性连接，第三覆铜层上最左侧的二极管芯片(6)和最左侧的第一覆铜层(3)通过铜连桥(9)电性连接，第三覆铜层上中间的二极管芯片(6)和中间的第一覆铜层(3)通过铜连桥(9)电性连接，第三覆铜层上最右侧的二极管芯片(6)和最右侧的第一覆铜层(3)通过铜连桥(9)电性连接；所述第一覆铜层(3)和二极管芯片(6)之间、第三覆铜层(5)和二极管芯片(6)之间均设有焊接台(7)，焊接台(7)的厚度大于覆铜层的厚度，焊接台(7)的表面积大于二极管芯片(6)的表面积；所述第一覆铜层(3)、第二覆铜层(4)、第三覆铜上都设有与外部连接的电极片(8)。2.根据权利要求1所述的一种低正向压降高热容量的整流模块，其特征在于，三个第一覆铜层(3)上的二极管芯片(6)排成一行，三个第一覆铜层(3)上的排成一行的二极管芯片(6)和第三覆铜层(5)上的三个排成一行的二极管芯片(6)相互平行；最左侧的第一覆铜层(3)上的二极管芯片(6)和第三覆铜层(5)上最左侧的二极管芯片(6)排成一列，中间的第一覆铜层(3)上的二极管芯片(6)和第三覆铜层(5)上中间的二极管芯片(6)排成一列，最右侧的第一覆铜层(3)上的二极管芯片(6)和第三覆铜层(5)上最右侧的二极管芯片(6)排成一列。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国勇，范涛，吕壮志，范雯雯，朱云杰，张壮，
申请(专利权)人：浙江固驰电子有限公司，
类型：新型
国别省市：