一种复合二极管的贴片式三极管封装结构制造技术

本实用新型专利技术系提供一种复合二极管的贴片式三极管封装结构，绝缘封装体内设有三极管芯片、二极管芯片；第一导电引脚包括第一上平台片、第一倾斜片和第一下平台片，第二导电引脚包括第二上平台片、第二倾斜片和第二下平台片，第三导电引脚包括第三上平台片、第三倾斜片和第三下平台片；三极管芯片的集电极、二极管芯片的底部电极连接于第一上平台片上，三极管芯片的基极与第二上平台片之间连接有第一导线，三极管芯片的发射极与第三上平台片之间连接有第二导线，第三上平台片连接于二极管芯片的顶部电极上；绝缘封装体内还设有绝缘散热套。本实用新型专利技术抗击穿性能好，使用寿命长，更能够适应高密度电路设计的需求，散热性能好。散热性能好。散热性能好。

【技术实现步骤摘要】
一种复合二极管的贴片式三极管封装结构


[0001]本技术涉及三极管，具体公开了一种复合二极管的贴片式三极管封装结构。

技术介绍

[0002]三极管，全称半导体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管内部包括两个相距很近的PN结，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。
[0003]三极管应用于电路系统中，在断电的瞬间，电路系统中往往会形成反向电压，此电压经过三极管容易造成集电极和发射极被击穿的问题，特比是在大功率电路的应用环境中，该反向电流更大，三极管被击穿的概率更大。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种复合二极管的贴片式三极管封装结构，能够在集电极和发射极之间形成可靠的保护通路，抗击穿性能好，且整体结构紧凑可靠。
[0005]为解决现有技术问题，本技术公开一种复合二极管的贴片式三极管封装结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有三极管芯片和二极管芯片，三极管芯片连接有第一导电引脚、第二导电引脚和第三导电引脚，三极管芯片的底部为集电极，三极管芯片的顶部为基极和发射极；
[0006]第一导电引脚包括连接成Z字形的第一上平台片、第一倾斜片和第一下平台片，第二导电引脚包括连接成Z字形的第二上平台片、第二倾斜片和第二下平台片，第三导电引脚包括连接成Z字形的第三上平台片、第三倾斜片和第三下平台片；
[0007]三极管芯片的集电极连接于第一上平台片上，二极管芯片的底部电极连接于第一上平台片上，三极管芯片的基极与第二上平台片之间连接有第一导线，三极管芯片的发射极与第三上平台片之间连接有第二导线，第三上平台片连接于二极管芯片的顶部电极上；
[0008]绝缘封装体内还设有绝缘散热套，绝缘散热套包括连接成L字形的底板和背板，底板紧贴于第一上平台片的底面，背板紧贴于第一上平台片远离第一倾斜片的一侧，背板上固定有绝缘分隔条，绝缘分隔条位于三极管芯片和二极管芯片之间。
[0009]进一步的，第一导线和第二导线均为金线。
[0010]进一步的，绝缘散热套为陶瓷套。
[0011]进一步的，底板的底面与绝缘封装体的底面共面。
[0012]进一步的，绝缘散热套还包括侧板，侧板连接于底板上，侧板紧贴于第一上平台片靠近第二上平台片的一侧。
[0013]本技术的有益效果为：本技术公开一种复合二极管的贴片式三极管封装结构，复合二极管芯片在三极管封装结构内，能够在集电极和发射极之间形成可靠的保护通路，抗击穿性能好，使用寿命长，三极管芯片和二极管芯片均位于第一上平台片上，能够
有效节省引脚的使用，且第三上平台片叠于二极管芯片上，能够显著缩减绝缘封装体的占用面积，更能够适应高密度电路设计的需求，整体结构紧凑可靠，散热性能好，绝缘分隔条不仅能够提高内部结构的可靠性，还能够降低固晶加工的难度。
附图说明
[0014]图1为本技术的俯视结构示意图。
[0015]图2为本技术隐藏绝缘封装体后的立体结构示意图。
[0016]图3为本技术中绝缘散热套的结构示意图。
[0017]图4为本技术的等效电路示意图。
[0018]附图标记为：绝缘封装体10、三极管芯片20、第一导线21、第二导线22、二极管芯片30、第一导电引脚40、第一上平台片41、第一倾斜片42、第一下平台片43、第二导电引脚50、第二上平台片51、第二倾斜片52、第二下平台片53、第三导电引脚60、第三上平台片61、第三倾斜片62、第三下平台片63、绝缘散热套70、底板71、背板72、绝缘分隔条73、侧板74。
具体实施方式
[0019]为能进一步了解本技术的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述。
[0020]参考图1至图4。
[0021]本技术实施例公开一种复合二极管的贴片式三极管封装结构，如图1
‑
3所示，包括绝缘封装体10，绝缘封装体10内设有一个三极管芯片20和一个二极管芯片30，三极管芯片20连接有第一导电引脚40、第二导电引脚50和第三导电引脚60，三极管芯片20的底部为集电极，三极管芯片20的顶部为基极和发射极，二极管芯片30的顶部和底部分别为正极和负极，或分别为负极和正极；
[0022]第一导电引脚40包括连接成Z字形的第一上平台片41、第一倾斜片42和第一下平台片43，第一倾斜片42连接于第一上平台片41和第一下平台片43之间，第二导电引脚50包括连接成Z字形的第二上平台片51、第二倾斜片52和第二下平台片53，第二倾斜片52连接于第二上平台片51和第二下平台片53之间，第三导电引脚60包括连接成Z字形的第三上平台片61、第三倾斜片62和第三下平台片63，第三倾斜片62连接于第三上平台片61和第三下平台片63之间，优选地，第一下平台片43凸出于绝缘封装体10的一侧，第二下平台片53和第三下平台片63凸出于绝缘封装体10的另一侧；
[0023]三极管芯片20的集电极通过锡膏、导电银胶等导电材料连接于第一上平台片41上，二极管芯片30的底部电极通过锡膏、导电银胶等导电材料连接于第一上平台片41上，三极管芯片20的基极与第二上平台片51之间连接有第一导线21，三极管芯片20的发射极与第三上平台片61之间连接有第二导线22，第三上平台片61连接于二极管芯片30的顶部电极上，即第三上平台片61和第一上平台片41夹紧于二极管芯片30的上下两侧；
[0024]绝缘封装体10内还设有绝缘散热套70，绝缘散热套70包括连接成L字形的底板71和背板72，底板71紧贴于第一上平台片41的底面，背板72紧贴于第一上平台片41远离第一倾斜片42的一侧，背板72上固定有绝缘分隔条73，绝缘分隔条73位于三极管芯片20和二极管芯片30之间，可有效避免三极管芯片20和二极管芯片30之间发生接触而影响线路的可靠
性。
[0025]本技术符合二极管芯片30到三极管封装结构中，能够在发射极和集电极之间形成反向通路，能够有效防止反向电压击穿集电极和发射极；设置三极管芯片20和二极管芯片30均位于第一上平台片41上，无需增设额外的引脚，可有效节省空间，还能提高整体结构的牢固性，此外，第三上平台片61叠于二极管芯片30上，能够有效缩减绝缘封装体10的占用面积，有利于电子元件和线路密度高的设计应用；绝缘散热套70包围在第一上平台片41外，三极管芯片20和二极管芯片30工作时产生的热量能够得到高效地释放，从而有效提高整体结构的工作性能，此外，绝缘分隔条73能够有效避免三极管芯片20和二极管芯片30之间因接触而影响性能，还能够有效方便进行固晶对位，固晶加工难度低。
[0026]优选地，二极管芯片30为阻尼二极管芯片30，三极管芯片20为NPN结构的三极管芯片20，二极管芯片30的顶部电极为正极，二极管芯片30的底部电极为负极，此时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合二极管的贴片式三极管封装结构，其特征在于，包括绝缘封装体(10)，所述绝缘封装体(10)内设有三极管芯片(20)和二极管芯片(30)，所述三极管芯片(20)连接有第一导电引脚(40)、第二导电引脚(50)和第三导电引脚(60)，所述三极管芯片(20)的底部为集电极，所述三极管芯片(20)的顶部为基极和发射极；所述第一导电引脚(40)包括连接成Z字形的第一上平台片(41)、第一倾斜片(42)和第一下平台片(43)，所述第二导电引脚(50)包括连接成Z字形的第二上平台片(51)、第二倾斜片(52)和第二下平台片(53)，所述第三导电引脚(60)包括连接成Z字形的第三上平台片(61)、第三倾斜片(62)和第三下平台片(63)；所述三极管芯片(20)的集电极连接于所述第一上平台片(41)上，所述二极管芯片(30)的底部电极连接于所述第一上平台片(41)上，所述三极管芯片(20)的基极与所述第二上平台片(51)之间连接有第一导线(21)，所述三极管芯片(20)的发射极与所述第三上平台片(61)之间连接有第二导线(22)，所述第三上平台片(61)连接于所述二极管芯片(30)的顶部电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：余志强，
申请(专利权)人：河源创基电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：