有机发光显示器及其制造方法技术

技术编号:3238977 阅读:171 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供了一种有机发光显示器及其制造方法,其中接触孔和通孔的表面拐角部分形成为弯曲状以减少短路故障。该有机发光显示器包括:形成在绝缘基板的非发射区域上的半导体层,其具有源极和漏极区域;形成在基板上的薄膜晶体管,其具有通过连接孔与该半导体层电连接的源电极和漏电极;形成在绝缘基板的发射区域上的底部电极,其通过连接孔连接到源电极和漏电极中的一个电极上;形成在底部电极发射区域上的有机发射层;和形成在该有机发射层上的顶部电极,其中连接孔具有弯曲表面拐角部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,更具体而言,涉及一种其中连接孔的表面拐角(surface corner)形成为弯曲状的,该连接孔形成在上和下导电层之间从而将上导电层和下导电层互连,以便减少短路故障。
技术介绍
近几年中,使用有机发光(EL)二极管的有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)作为有源矩阵平板显示器正在进行发展,其被应用到手机或者类似产品中,使得这些产品的厚度和尺寸显著减小,制造成本降低并且其工艺也简化了。图1A是传统的有机发光显示器的平面图。图1A的有机发光显示器被表示为由两个晶体管和一个电容组成。图1B是沿图1A的I-I线得到的横截面图。参照图1B,传统的有机发光显示器具有发射区域130和非发射区域110,在发射区域130形成有作为像素电极的下电极131,有机发射层132和上电极133,在非发射区域110形成有两个薄膜晶体管(TFT)和电容。在非发射区域110中,缓冲层140形成在透明绝缘基板100、如玻璃基板上,非晶硅淀积在缓冲层140上,随后被构图并结晶以形成半导体层111。然后将栅极绝缘层150形成在基板的整个表面上,并且用于形成栅电极的金属材料淀积在栅极绝缘层150上并且随后被构图以在半导体层111上形成栅极112,同时形成电容底部电极122。在这种情况下,当形成栅极112和电容下电极122时,同时形成图1A所示的栅极线102。然后,将具有预定导电类型如P型或N型的杂质离子注入到半导体层111中以形成源极和漏极区域113和114。然后,将中间绝缘层160形成在基板的整个表面上,并且蚀刻中间绝缘层160和栅极绝缘层150以便暴露出部分源极和漏极区域113和114,由此形成用于源电极和漏电极的接触孔161和162。随后,将用于形成源电极和漏电极的金属材料淀积在中间绝缘层160上以形成分别通过接触孔161和162与源极区域113和漏极区域114接触的源电极115和漏电极116。在这种情况下,形成从源电极和漏电极115和116中的一个电极(例如,漏电极116)延伸的电容顶部电极126,同时形成图1A中所示的数据线104和电源线106。然后在该中间绝缘层160上形成钝化层170。蚀刻该钝化层170以便暴露出源电极115和漏电极116中的另一电极(例如,源电极115)的一部分,由此形成用于像素电极的接触孔171。将透明导电层淀积在发射区域130的钝化层170上,随后对其构图以形成底部电极131,其通过用于像素电极的接触孔171与电源电极115相接触。将用于平坦化的绝缘层180形成在钝化层170上并形成开口181以便暴露出下电极131。有机发射层132形成在包括开口181的平坦化层180上,并且在其上形成顶部电极133。当具有上述构造的传统有机发光显示器的接触孔的锥角较大时,在靠近接触孔的台阶部分处会出现针孔故障。为了解决这样的问题,将接触孔161,162和171边缘部分处的锥角减缓,以防止故障出现。现将参照图1C到1F描述形成其中锥角减缓的传统有机发光显示器的接触孔的过程。图1C是示出接触孔161,162和171形状的透视图,图1D是接触孔161,162和171的平面图,图1E是沿图1C的II-II线得到的横截面图。参照图1C到1E,每个接触孔161,162和171的底部和顶表面的拐角形成角度,并且每个接触孔161,162和171的顶表面的长度L1形成为大于每个接触孔161,162和171的底表面的长度L2。也就是说,接触孔161,162和171形成为具有倾斜的侧面以便具有锥角。通过减缓锥角的方式可以将针孔故障降低到一定程度,然而,由于传统有机发光显示器中表面上成角度拐角处的边缘开口,有可能发生短路故障。图1F是当短路故障发生时发射区域的放大视图,其中当短路故障出现时,有问题的黑点会出现在接触孔161,162和171的拐角处。
技术实现思路
因此,通过提供一种,本专利技术解决了与传统器件相关的上述问题,在该有机发光显示器中,通过将接触孔和通孔的表面拐角部分形成为弯曲状来减少短路故障。本专利技术还提供一种耐久性延长以及图像质量得到提高的有机发光显示器。在本专利技术的示例性实施例中,有机发光显示器包括形成在基板上并具有源极区域和漏极区域的半导体层;形成在基板上的薄膜晶体管,其具有通过连接孔与半导体层电连接的源电极和漏电极;形成在基板的发射区域上的下电极,其通过连接孔与源电极和漏电极中的一个电极相连接;形成在下电极的发射区域上的有机发射层;以及形成在该有机发射层上的上电极,其中所述连接孔具有曲面拐角部分。连接孔底表面的拐角可以具有曲率;曲率中心可以在底表面上;连接孔的顶表面可以具有一点,该点位于从包括底表面曲率半径中心的表面垂直延伸的相同轴上,作为曲率半径的中心;该连接孔的顶表面的曲率半径可以比底表面的曲率半径大;且该连接孔的所有顶表面的曲率和所有底表面的曲率可形成在相应的四个拐角上。连接孔的顶表面和底表面的拐角可以是圆形的;位于从包括顶表面半径中心的表面垂直延伸的相同轴上的点可以是底表面的半径中心;连接孔顶表面的半径比底表面的半径大;形成在绝缘层上以使源极区域和漏极区域与源电极和漏电极相绝缘的连接孔可以用作接触孔;且形成在绝缘层上以使源电极和漏电极与下电极相绝缘的连接孔可以用作通孔。下电极可以是阳极电极。在根据本专利技术的另一示例性实施例中,一种制造有机发光显示器的方法包括在基板上形成具有源极区域和漏极区域的半导体层;形成薄膜晶体管,其设置有通过基板上的连接孔与半导体层电连接的源电极和漏电极;形成通过基板发射区域上的连接孔与源电极和漏电极中的一个电极相连接的下电极;在下电极的发射区域上形成有机发射层;以及在有机发射层上形成上电极,其中所述连接孔具有曲面拐角部分。连接孔底表面的拐角可以具有曲率;该曲率的中心可以在底表面上;连接孔的顶表面可以具有一点,该点位于从包括底表面曲率半径中心的表面垂直延伸的相同轴上,作为曲率半径的中心;该连接孔顶表面的曲率半径可以形成为比底表面的曲率半径大;且该连接孔的所有顶表面的曲率和所有底表面的曲率可形成在相应的四个拐角上。连接孔的顶表面和底表面的拐角可以形成为圆形;位于从包括顶表面半径中心的表面垂直延伸的相同轴上的点可以是底表面的半径中心;且连接孔顶表面的半径可以形成为比底表面的半径大。附图说明现将参照附图并参考其某些示例性实施例描述本专利技术的上述和其它特征,附图中图1A是传统有机发光显示器的平面图;图1B是沿图1A的线I-I得到的传统有机发光显示器的横截面图;图1C是示出图1A所示的接触孔或通孔形状的透视图;图1D是图1C所示接触孔或通孔的平面图;图1E是沿图1D的线II-II得到的接触孔或通孔的横截面图;图1F是示出短路故障的发射区域的放大视图;图2A是根据本专利技术第一实施例的有机发光显示器的平面图;图2B是根据本专利技术第一实施例的沿图2A的线III-III得到的有机发光显示器的横截面图;图2C是示出图2A所示的接触孔或通孔形状的透视图;图2D是图2C中所示接触孔或通孔的平面图;图2E是沿图2D的线IV-IV得到的接触孔或通孔的横截面图;图3A是根据本专利技术第二实施例的有机发光显示器的平面图;图3B示出了图3A所示的接触孔或通孔形状的透视图;图3C是图3A所示的接触孔或通孔的平面图;以及图3D本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种有机发光显示器,包括:半导体层,其形成在基板上,并具有源极区域和漏极区域;薄膜晶体管,其形成在所述基板上,并具有通过连接孔与所述半导体层电连接的源电极和漏电极;下电极,其形成在所述基板的发射区域上,并通过连接孔与 所述源电极和漏电极中的一个电极相连接;有机发射层,其形成在所述下电极的发射区域上;以及上电极,其形成在所述有机发射层上,其中所述连接孔具有弯曲表面拐角部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:金茂显金京道
申请(专利权)人:三星移动显示器株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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