磁场调节器、磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置制造方法及图纸

本申请公开了一种磁场调节器、磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置，所述磁场调节器包括第一磁体结构、第一腔体、第二磁体结构和第二腔体，第一磁体结构包括至少两个定磁铁以及磁体旋转结构，相邻的两个所述定磁铁的顶部的极性相反，所述磁体旋转结构带动全部所述定磁铁进行旋转；所述第一腔体内设置有冷却液体，所述冷却液体和第一磁体结构密封在所述第一腔体内；第二磁体结构，设置在所述第一腔体内，所述第二磁体结构包括线圈，所述线圈围绕所述第一磁体结构设置；第二腔体用于密封所述第二磁体结构；通过设置有定磁铁的腔体内增加电磁铁，以使得整个磁场调节器产生的磁场均匀切同时减少磁体调节器的占用体积。时减少磁体调节器的占用体积。时减少磁体调节器的占用体积。

【技术实现步骤摘要】
磁场调节器、磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置


[0001]本申请涉及溅射
，尤其涉及一种磁场调节器、磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置。

技术介绍

[0002]磁控溅射装置被广泛应用于集成电路的加工，磁控溅射镀膜是在二极直流溅射的基础上在靶材上方施加正交的电磁场，通过磁场束缚电子围绕靶面做螺线运动，增大电子与氩气撞击的概率，提高气体离化率和溅射产率的一种方法。
[0003]由于其优良的可控性和膜层结合力，被广泛应用于半导体制造工艺中。在薄膜的诸多特性中，均匀性是衡量薄膜质量和机台性能的一项重要指标，薄膜均匀性与很多因素有关，包括气体均匀性、磁场均匀性和靶基间距等；通过调整磁铁—靶材间距离，来改变腔室内的磁场分布可以起到调节镀膜均匀性的作用，但磁铁—靶材间距的可调范围有限，而且操作时间和后续恢复时间较长。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种磁场调节器、磁控溅射装置的靶组件和磁控溅射装置，通过增加新的电磁场来调节整个磁场调节器的磁场分布，以使得整个磁场调节器的磁场范围内的磁力线更加均匀。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场调节器，其特征在于，包括：第一磁体结构，包括至少两个定磁铁以及磁体旋转结构，相邻的两个所述定磁铁的顶部的极性相反，所述磁体旋转结构带动全部所述定磁铁进行旋转；第一腔体，所述第一腔体内设置有冷却液体，所述冷却液体和第一磁体结构密封在所述第一腔体内；以及第二磁体结构，设置在所述第一腔体内，所述第二磁体结构包括线圈，所述线圈围绕所述第一磁体结构设置。2.一种磁控溅射装置的靶组件，其特征在于，包括：如权利要求1所述的磁场调节器；以及靶材，设置在所述磁场调节器的第一腔体的外表面上。3.一种磁控溅射装置，其特征在于，包括：基台，用于放置基片；靶材，与所述基台相对设置；磁场调节器，设置在所述靶材远离所述基台的一面；以及溅射腔体，用于密封所述基台、靶材和磁场调节器；其中，所述磁场调节器包括：第一磁体结构，包括至少两个定磁铁以及磁体旋转结构，相邻的两个所述定磁铁靠近所述靶材一端的极性相反，所述磁体旋转结构带动所述定磁铁进行旋转；第一腔体，所述第一腔体内设置有冷却液体，所述冷却液体和第一磁体结构密封在所述第一腔体内；以及第二磁体结构，设置在所述第一腔体内，所述第二磁体结构包括线圈，所述线圈围绕所述第一磁体结构设置。4.如权利要求3所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述第二磁体结构包括：可调直流稳压电源，设置在所述溅射腔体外；至少一个真空密封插头，穿过所述溅射腔体的腔室壁，输入端位于所述溅射腔体外与所述可调直...

【专利技术属性】
技术研发人员：张汝康，孙佳琦，王国峰，杨忠武，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：