一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法，包括如下步骤：制作钼粉混合物、制作端帽、制作钼支杆、制作组件；本发明专利技术提高了钼支杆的外表面的粗糙度、减少了焊接过程中，上端帽、下端帽与对应焊接的钼支杆的接触面积，提高了电阻，从而在同样焊接条件下产生热量更多，焊接效果好，焊接稳定，虚焊少。虚焊少。虚焊少。

【技术实现步骤摘要】
一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法


[0001]本专利技术涉及磁控管领域，尤其涉及一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法。

技术介绍

[0002]磁控管是用于微波炉等设备上的加热核心部件，磁控管阴极用钼支杆组件是工作中电子的发射体，因此需要维持很高的强度，其主要由上端帽、下端帽、上钼支杆、下钼支杆、钍钨灯丝构成；其中，上端帽与上钼支杆焊接后形成上钼支杆组件，下端帽与下钼支杆焊接后形成下钼支杆组件，钍钨灯丝套入在上钼支杆上，而上钼支杆的下端从下端帽的中部通孔内穿过，钍钨灯丝的两端通过钎焊对应与上端帽、下端帽连接固定；传统的钼支杆组件，其上端帽与上钼支杆进行电阻焊、下端帽与下钼支杆进行电阻焊时，由于部件与部件之间是面与面的接触，接触面大，阻值相对较小，产生热量较少，会出现焊接强度低或虚焊的情况，使用过程中焊接处容易断裂，导致整个钼支杆组件的报废，成品的不良率高，生产成本也增高。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法，其提高了钼支杆的外表面的粗糙度、减少了焊接过程中，上端帽、下端帽与对应焊接的钼支杆的接触面积，提高了电阻，从而在同样焊接条件下产生热量更多，焊接效果好，焊接稳定，虚焊少。
[0004]一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法，包括如下步骤：
[0005]制作钼粉混合物：称取质量百分比为70～80wt％的钼粉和质量百分比为20～30wt％的有机溶剂充分搅拌至均匀，得到具有松装密度和流动性的适用于金属粉末压制成型工艺要求的钼粉混合物；
[0006]制作端帽：将钼粉混合物通过模具压制成上端帽坯、下端帽坯，再放入真空脱脂炉中预烧，且在500～900℃中脱去成型剂，再放入高温烧结炉进行致密化烧结，其烧结温度为1600～1800℃，烧结6～8小时后冷却出炉，即到上端帽、下端帽，其中，在所述上端帽的外表面成型有用于与钼支杆进行焊接的非平整结构，在所述下端帽的下端成型有至少一凹槽，所述非平整结构和凹槽都能减少与对应钼支杆的接触面积和提高焊接时的电阻；
[0007]制作钼支杆：切割出所需长度的钼支杆，将钼支杆、磨球料放入研磨机内，再加入研磨液和水进行研磨，研磨时间为20～40h，转速为20～50rpm/min，得到外表面具有粗糙度的钼支杆，其中，
[0008]支杆与磨球料的重量比(5～9)：(10～15)；
[0009]制作组件：将一上端帽和一钼支杆、一下端帽和一钼支杆对应固定在焊接机的两极之间进行焊接，焊接强度都为30～45kg/cm2，其中，一钼支杆与设置有非平整结构的上端帽的一端进行焊接，所述下端帽的凹槽外围处与一钼支杆进行焊接，即得到上钼支杆组件、
下钼支杆组件。
[0010]进一步地，所述钼粉的粒径为9～10微米，此粒径能提高与有机溶剂的有效接触，改善成品的质量和强度等；所述钼粉混合物的松装密度为1.4～1.6g/cm3、流动性为35
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50s；合适的松装密度和流动性，对粉末冶金、机械零件生产工艺的稳定，以及产品质量的控制都是很重要，也是模具设计的依据；所述有机溶剂由PVB、石蜡、酒精构成，PVB为聚乙烯醇缩丁醛，其中，PVA、石蜡、酒精之间的重量比为(1～3)：(3～6)：(100～250)，有机溶剂能改善和提升钼粉流动性、松装密度、压制成型性能等；有机溶剂能溶解一些不溶于水的(如油脂、蜡、树脂、橡胶、染料等)的有机化合物，其特点是在常温常压下呈液态，具有较大的挥发性，在溶解过程中，溶质与溶剂的性质均无改变。
[0011]所述研磨液为二氧化硅研磨液或金刚石研磨液；二氧化硅抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品，其能用于多种材料纳米级的高平坦化抛光；金刚石研磨液就是以金刚石为磨料，通过添加分散剂等方式分散到液体介质中，从而形成具有磨削作用的液体。
[0012]所述非平整结构为规则设置的多个环形槽或多个凹孔或多个凸起部，如上各种非平整结构设计，都是用于减少连接部表面与上钼支杆的接触面积，在连接部与上钼支杆进行焊接的过程中，提高了电阻，从而在同样焊接条件下产生热量更多，焊接效果好，焊接稳定，虚焊少。
[0013]所述凹槽为径向设置的环形凹槽，也可以是多个径向规则分布且相互不连通，在下端帽与下钼支杆进行焊接的过程中，提高了电阻，从而在同样焊接条件下产生热量更多，焊接效果好，焊接稳定，虚焊少。
[0014]本专利技术的有益效果是：本方法其提高了钼支杆的外表面的粗糙度、制造了能减少与钼支杆的接触面积的上端帽和下端帽，减少了焊接过程中，提高了电阻，从而在同样焊接条件下产生热量更多，焊接效果好，焊接稳定，虚焊少。
附图说明
[0015]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0016]图1是本专利技术的钼支杆组件的结构示意图；
[0017]图2是本专利技术的上钼支杆组件的结构示意图；
[0018]图3是本专利技术的下钼支杆组件的结构示意图。
[0019]其中，上端帽1、钍钨灯丝2、下端帽3、上钼支杆4、下钼支杆5、非平整结构11、凹槽31、上钼支杆组件6、下钼支杆组件7。
具体实施方式
[0020]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0021]第一实施例：
[0022]一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法，包括如下步骤：
[0023]制作钼粉混合物：称取质量百分比为70wt％的粒径为9微米的钼粉和质量百分比
为30wt％的有机溶剂充分搅拌至均匀，得到具有松装密度和流动性的适用于金属粉末压制成型工艺要求的钼粉混合物，其松装密度为1.4/cm3、流动性为35s；所述有机溶剂由PVB、石蜡、酒精构成，其中，PVA、石蜡、酒精之间的重量比为1：3：100；
[0024]制作端帽：将钼粉混合物通过模具压制成上端帽坯、下端帽坯，再放入真空脱脂炉中预烧，且在500℃中脱去成型剂，再放入高温烧结炉进行致密化烧结，其烧结温度为1600℃，烧结6小时后冷却出炉，即到上端帽1、下端帽3，其中，在所述上端帽1的外表面成型有用于与钼支杆进行焊接的非平整结构11，具体地，所述非平整结构11可以是规则设置的多个环形槽或多个凹孔或多个凸起部，其用于减少连接部表面与上钼支杆4的接触面积，在连接部与上钼支杆4进行焊接的过程中，提高了电阻，从而在同样焊接条件下产生热量更多，焊接效果好，焊接稳定，虚焊少。在所述下端帽3的下端成型有至少一凹槽31，所述凹槽31可以是径向设置的环形凹槽，也可以是多个径向规则分布且相互不连通，这样可以选择其中任意一个合适位置进行焊机，在下端帽3与下钼支杆5进行焊接的过程中，提高了电阻，从而在同样焊接条件下产生热量更多，焊接效果好，焊接稳定，虚焊少；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控管阴极用高强度支杆组件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：制作钼粉混合物：称取质量百分比为70～80wt％的钼粉和质量百分比为20～30wt％的有机溶剂充分搅拌至均匀，得到具有松装密度和流动性的适用于金属粉末压制成型工艺要求的钼粉混合物；制作端帽：将钼粉混合物通过模具压制成上端帽坯、下端帽坯，再放入真空脱脂炉中预烧，且在500～900℃中脱去成型剂，再放入高温烧结炉进行致密化烧结，其烧结温度为1600～1800℃，烧结6～8小时后冷却出炉，即到上端帽、下端帽，其中，在所述上端帽的外表面成型有用于与钼支杆进行焊接的非平整结构，在所述下端帽的下端成型有至少一凹槽，所述非平整结构和凹槽都能减少与对应钼支杆的接触面积和提高焊接时的电阻；制作钼支杆：切割出所需长度的钼支杆，将钼支杆、磨球料放入研磨机内，再加入研磨液和水进行研磨，研磨时间为20～40h，转速为20～50rpm/min，得到外表面具有粗糙度的钼支杆，其中，支杆与磨球料的重量比(5～9)：(10～15)；制作组件：将一上端帽和一钼支杆、一下端帽和一钼支杆对应固定在焊接机的两极之间进行焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：何达强，
申请(专利权)人：佛山市海欣光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：