测定系统和测定方法技术方案

本发明专利技术提供一种测定系统和测定方法，能够稳定地测定光半导体元件的准确的测定值。在测定方法中，通过光探针的入射端面来接收从光半导体元件输出的出射光，其中，使光半导体元件与光探针的相对位置沿与出射光的光轴交叉的平面发生变化，在多个位置处分别测定出射光的入射强度，获取表示相对位置的变化与入射强度之间的关系的入射强度图案。之间的关系的入射强度图案。之间的关系的入射强度图案。

【技术实现步骤摘要】
测定系统和测定方法


[0001]本专利技术涉及一种在光半导体元件的特性测定中使用的测定系统和测定方法。

技术介绍

[0002]使用具有对光半导体元件输出的出射光进行传播的光探针的测定系统来将光半导体元件与测试仪等测定装置连接，以对在形成于晶圆的状态下的光半导体元件的特性进行测定。为了获取光半导体元件的准确的特性，需要进行高精度的测定。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
47889号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]为了高精度地测定光半导体元件的特性，需要利用测定系统来稳定地获取准确的测定值。本专利技术的目的在于提供一种能够在短时间内稳定地测定光半导体元件的准确的测定值的测定系统和测定方法。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]根据本专利技术的一个方式，提供一种使光半导体元件与光探针的相对位置沿与来自光半导体元件的出射光的光轴交叉的平面发生变化的测定方法。在多个位置处分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测定方法，通过光探针的入射端面来接收从光半导体元件输出的出射光，所述测定方法的特征在于，将所述光半导体元件与所述入射端面之间的间隔设定为规定的工作距离，使所述光半导体元件与所述光探针的相对位置沿与所述出射光的光轴交叉的平面发生变化，在多个位置处分别测定所述出射光的入射强度，获取表示所述相对位置的变化与所述入射强度之间的关系的入射强度图案。2.根据权利要求1所述的测定方法，其特征在于，以使所述入射强度图案中包含平坦部的方式设定所述工作距离，所述平坦部是所述入射强度的峰值的变动收敛于规定的范围内的部分。3.根据权利要求2所述的测定方法，其特征在于，计算所述平坦部中包含的多个所述入射强度的平均值。4.根据权利要求3所述的测定方法，其特征在于，计算所述出射光的光轴的附近位置处的所述入射强度的所述平均值。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的测定方法，其特征在于，根据所述入射强度图案来计算所述出射光的辐射角。6.根据权利要求1至4中的任一项所述的测定方法，其特征在于，根据所述入射强度图案来计算所述入射端面中的所述出射光的入射范围和仅在所述光探针的芯部传播的所述出射光的有效入射范围。7.根据权利要求1至4中的任一项所述的测定方法，其特征在于，使用所述入射端面为曲面的所述光探针来测定所述入射强度。8.根据权利要求1至4中的任一项所述的测定方法，其特征在于，在具有发光部的所述光半导体元件中，所述发光部的移动方向上的边的长度为a，与所述移动方向交叉的方向上的长度为b，所述移动方向是使所述相对位置发生变化的方向，关于所述光半导体元件，将仅在所述光探针的芯部传播的所述出射光的有效入射范围设为Se，将所述工作距离设为WD，将所述入射强度图案中的所述入射强度大于0的移动距离设为Dm，使用以下式子来计算所述出射光的辐射角γ，所述式子为：γ＝2
×
tan
‑1[{Dm
‑
(a+2Se)}/2WD]。9.根据权利要求8所述的测定方法，其特征在于，将所述入射强度图案中的所述入射强度的峰值的平均强度设为Pa，使用以下式子来计算所述出射光的入射能量密度Ed、所述入射端面上的所述出射光的入射范围的面积Sw，所述式子为：Ed＝Pa/(π
×
Se)2Sw＝(a+2WD
×
tan(γ/2))
×
...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥田通孝，齐藤祐贵，成田寿男，原子翔，福士树希也，斋藤友和，竹谷敏永，
申请(专利权)人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：