【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导桐于底，该衬底用于制造工业和日常使用的各种半导 体器件，并且涉及半^#芯片和其表面上形成有集成电路的半导体晶片， 特别是涉及噪声抑制的电磁波吸收半导桐于底及其制造方法，以及使用这 种半导桐t底制造的半导体器件。本专利技术还涉及呈现突出的高频电磁噪声抑制效果的电磁噪声抑制体，特别是涉及能有效抑制电磁噪声的电磁噪声抑制体，这种电磁噪声对工作在高速或高频电子器件和电子设备的有源器件是成问题的，并且涉及使用 这种抑制体的高频电磁噪声抑制方法
技术介绍
近年来高速工作的高度集成的半导体器件得到显著地M。例子包括 随才踏耳踏储器(RAM)、只读存储器(ROM)、微处理器(MPU)、中央处理 對CPU)、图像处理运算逻裤单元(IPALU)、及其他逻辑电路装置。在这些 有源器件中，在计算速度和信号处理速度方面，以惊人的速率实现了更高 的速度，通过高速电子电路传送的电信号变成感应和高频噪声的主要原因， 这是因为与此关联的快速电压和电流变化。同时，对于电子器件和电子设备，在更轻的重量、更薄的外形、和更 小的尺寸方面的趋势快速地持续J^艮并且没有减弱。与这种趋势相关...
【技术保护点】
一种电磁噪声抑制体，用于抑制传导的电磁噪声，包括在微带线或者信号传输线类似物上面附近连接的导电软磁薄膜，其中，所述导电软磁薄膜具有的形状的宽度基本等于或者窄于所述微带线或者信号传输线类似物的线宽。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田荣吉，小野裕司，栗仓由夫，根本道夫，山中英二，山口正洋，岛田宽，
申请(专利权)人：NEC东金株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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