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本发明涉及电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法。在半导体裸芯片（５７）的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜（５５）。...
该专利属于ＮＥＣ东金株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过ＮＥＣ东金株式会社授权不得商用。

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