一种OLED发光器件、显示屏及电子设备制造技术

本申请提供了一种OLED发光器件、显示屏及电子设备。OLED发光器件具有像素区和透光区，OLED发光器件包括电连接的第一电极、功能层和第二电极。其中：功能层设置于第一电极和第二电极之间；第二电极包括抑制剂层和电极层，抑制剂层设置于透光区，电极层设置于像素区。抑制剂层采用低表面能材料制成，电极层位于功能层的远离第一电极的一侧，且与功能层电连接。采用本申请的OLED发光器件，通过在透光区设置具有低表面能的抑制剂层，以抑制电极层形成于透光区，从而可以有效的增大OLED发光器件的透光区的面积，从而提高OLED发光器件光透过率。从而提高OLED发光器件光透过率。从而提高OLED发光器件光透过率。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED发光器件、显示屏及电子设备


[0001]本申请涉及到显示
，尤其涉及到一种OLED发光器件、显示屏及电子设备。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示装置，由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。
[0003]OLED发光器件的基本结构通常包括第一电极、功能层和第二电极。由于OLED发光器件的发光中心位于功能层内，这样需要第一电极和第二电极中的至少一个可以透光，以使OLED发光器件内部的光可以发出。另外，显示屏一般分为透光区和非透光区，透光区为无像素的区域，非透光区用于像素发光。这样，透光区的透光率直接影响了显示屏的整体透光率。
[0004]由于全面屏电子设备是目前可进行显示的电子设备的重要发展方向，而透明显示是实现全面屏的主要技术之一。因此，如何提高显示屏的透过率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种OLED发光器件、显示屏及电子设备，用以提高显示屏的光透过率。
[0006]第一方面，本申请技术方案提供了一种OLED发光器件，该OLED发光器件具有像素区以及透光区。其中，像素区可用于设置OLED发光器件的像素单元，透光区可用于透射光线，以实现OLED发光器件的透明显示。
[0007]OLED发光器件可以包括第一电极、功能层和第二电极。其中，功能层设置于第一电极和第二电极之间，且分别与第一电极和第二电极电连接，OLED发光器件的发光中心位于该功能层。第一电极可为由透光材质形成的结构，以使功能层内部的光能够从第一电极侧发出。在具体设置第二电极时，第二电极包括抑制剂层和电极层，抑制剂层设置于透光区，且采用低表面能材料制成。电极层设置于功能层的远离第一电极的一侧，且和功能层电连接。在本申请中，电极层通常由金属材料形成，而抑制剂层可抑制金属电极材料的成核或成膜，从而抑制电极层形成于透光区，以使电极层主要形成于像素区。另外，第二电极中的电极层也可由透光的材料制成，以使功能层中的光能够从第二电极侧发出。采用本申请技术方案的OLED发光器件可以有效的增大OLED发光器件的透光区的面积，从而提高OLED发光器件光透过率。
[0008]为了使抑制剂层能够对较多的金属材料起到抑制的作用，在一种可能的实现方式中，抑制剂层可以但不限于采用含氟的硅烷类材料、脂肪酸类材料、硫醇类材料、硫化物类材料、含羟基基团分子类材料，或含磷酸根基团的分子类材料等低表面材料制成，以使该抑制剂层可适用的场景更广。
[0009]另外，电极层的材料可以但不限于为Ag、Cu、Mg、Au、Yb、Al等金属材料中的一种或多种。除此之外，电极层还可采用高透明的介质和金属复合而成的D/M/D结构的复合膜层，以提高该电极层的透明度，从而有利于功能层内部的光线发出。
[0010]除了上述结构外，在第二电极中还可以设置有界面层，该界面层设置于所述第一电极与抑制剂层之间，界面层可以但不限于采用金属氧化物材料、金属材料、半导体材料或纳米材料等制成，以使界面层与抑制剂层能够通过化学键合的方式进行连接形成自组装层。通过界面层，可有利于提高抑制剂层的成膜效果，并使其形成的自组装层结构致密且稳定。
[0011]第二方面，本申请还提供一种显示屏，该显示屏包括背板，以及第一方面的OLED发光器件。其中，背板包括基板，以及设置于基板上的像素定义层，该像素定义层上设置有挖空区。在具体将OLED发光器件设置于该显示屏时，OLED发光器件的第一电极设置于基板，且可从像素定义层的空隙区露出。功能层形成于该空隙区，并与第一电极电连接。第二电极的电极层设置于功能层的远离第一电极的一侧表面，并与功能层电连接。
[0012]本申请技术方案的显示屏，其透光区的面积可得到有效的增加，以提高显示屏的光透过率。这样，可见光摄像头、红外摄像头等光组件可以隐藏在该显示屏下，并设置于显示屏的透光区的范围内。另外，经试验验证，本申请实施例的显示屏能够满足波长为400nmm-1000nm，甚至大于1000nm的光学传感器的光透过率要求，因此，这些光学传感器均可隐藏在显示屏下，并设置在显示屏的透光区范围内，从而有利于实现显示屏的全面屏设计。
[0013]在一种可能的实现方式中，背板还可以包括连接电极，连接电极设置于基板与第一电极之间，且连接电极与第一电极电连接。
[0014]另外，当OLED发光器件的第二电极还包括界面层时，界面层设置于像素定义层与抑制剂层之间，界面层与抑制剂层通过化学键合的方式连接以形成致密且稳定的自组装层。
[0015]在具体将界面层设置于像素定义层时，界面层的截面形状可以但不限于为矩形、梯形、U字形或者T字形。示例性的，当界面层的截面形状为T字形时，界面层包括相叠置的第一薄膜层和第二薄膜层，其中，第一薄膜层设置于第二薄膜层与像素定义层之间，且第二薄膜层在像素定义层上的投影面积，大于第一薄膜层在像素定义层上的投影面积。在该实现方式中，抑制剂层可通过转印的方式形成于第二薄膜层，并且通过将界面层的截面形状为T字形，可以有效的增加界面层的用于与抑制剂层相接触的表面积，从而可使抑制剂层的设置面积较大，以进一步增加透光区的设置面积，提高显示屏的透光率。
[0016]当界面层的截面形状为U字形，界面层包括并列设置的两个条形结构，两个条形结构之间形成凹槽，此时抑制剂层可通过喷墨打印的方式形成。具体的，可含有抑制剂分子的墨水滴入界面层的凹槽内，在溶剂挥发后，即可形成干燥的抑制剂膜层。
[0017]除了上述的对于界面层的设置方式外，在本申请一种可能的实现方式中，还可以在像素定义层上设置凹坑，并可在凹坑中设置界面层，这时含有抑制剂分子的墨水滴入凹坑内，在溶剂挥发后，即可形成干燥的抑制剂膜层。
[0018]第三方面，本申请技术方案还提供了一种电子设备，该电子设备包括支撑结构、后壳，印制电路板以及第二方面的柔性显示屏，其中：支撑结构，用于承载印制电路板和柔性
显示屏，印制电路板和柔性显示屏位于支撑结构的两侧；后壳，位于印制电路板远离支撑结构的一侧。
[0019]在本申请技术方案的电子设备中，由于可将显示屏的电极设置于其像素区，则显示屏的透光区的面积较大，光透过率较高。这样可将可见光摄像头、红外摄像头等光组件，以及波长为400nmm-1000nm，甚至大于1000nm的光学传感器设置在显示屏的透光区范围内，其有利于实现电子设备的显示屏的全面屏设计。
[0020]第四方面，本申请技术方案还提供了一种显示屏的制备方法，显示屏具有像素区和透光区，方法包括：制备基板，并在基板上形成第一电极；在第一电极上形成像素定义层，并在像素定义层的对应像素区的部分形成挖空区，挖空区将第一电极露出；在挖空区内形成功能层，功能层与第一电极电连接；在像素定义层上形成抑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED发光器件，所述OLED发光器件具有像素区和透光区，其特征在于，所述OLED发光器件包括电连接的第一电极、功能层和第二电极，其中：所述功能层，设置于所述第一电极和所述第二电极之间；所述第二电极，包括抑制剂层和电极层，所述抑制剂层设置于所述透光区，且采用低表面能材料制成；所述电极层，设置于所述像素区，且位于所述功能层的远离所述第一电极的一侧，并与所述功能层电连接。2.如权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述抑制剂层的材料为含氟的硅烷类材料、脂肪酸类材料、硫醇类材料、硫化物类材料、含羟基基团分子类材料，或含磷酸根基团的分子类材料。3.如权利要求1或2所述的OLED发光器件，其特征在于，所述电极层的材料为Ag、Cu、Mg、Au、Yb、Al中的一种或多种。4.如权利要求1～3任一项所述的OLED发光器件，其特征在于，所述第二电极还包括界面层，所述界面层设置于所述第一电极与所述抑制剂层之间，且所述界面层与所述抑制剂层通过化学键合的方式连接。5.如权利要求4所述的OLED发光器件，其特征在于，所述界面层的材料为金属氧化物材料、金属材料、半导体材料或纳米材料。6.一种显示屏，其特征在于，包括背板，以及如权利要求1～5任一项所述的OLED发光器件，其中：所述背板，包括基板，以及设置于所述基板上的像素定义层；所述OLED发光器件的所述第一电极设置于所述基板，所述像素定义层设置有将所述第一电极露出的挖空区，所述功能层设置于所述挖空区，且与所述第一电极电连接；所述抑制剂层，设置于所述像素定义层的远离所述基板的一侧表面，所述电极层设置于所述功能层的远离所述基板的一侧表面，且与所述功能层电连接。7.如权利要求6所述的显示屏，其特征在于，所述背板还包括连接电极，所述连接电极设置于所述基板与所述第一电极之间，且所述连接电极与所述第一电极电连接。8.如权利要求6或7所述的显示屏，其特征在于，所述OLED发光器件的所述第二电极还包括界面层，所述界面层设置于所述像素定义层与所述抑制剂层之间，所述界面层与所述抑制剂层通过化学键合的方式连接；所述界面层的截面形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘会敏，刘宇，骆欣涛，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：