镜片保护装置及光刻机制造方法及图纸

本发明专利技术的一种镜片保护装置和光刻机，其中，镜片保护装置通过在第一保护结构和镜片之间设有第二保护结构，并使第二保护结构输出的第二保护气体中的惰性气体的比例大于第一保护结构输出的第一保护气体中惰性气体的比例。如此，通过在镜片与第一保护气膜之间形成有第二保护气膜，且使第二保护气膜比第一保护气膜更纯净，则在第一保护结构输出的第一保护气体朝向镜片方向扩散时，第二保护气膜可有效的阻挡第一保护气体扩散至镜片，以防止第一保护气体在扩散过程中造成镜片的污染。体在扩散过程中造成镜片的污染。体在扩散过程中造成镜片的污染。

【技术实现步骤摘要】
镜片保护装置及光刻机


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种镜片保护装置及光刻机。

技术介绍

[0002]光刻是半导体制造过程中一道非常重要的工序，它是将一系列掩模版上的芯片图形通过曝光依次转移到硅片相应层上的工艺过程，被认为是大规模集成电路制造中的核心步骤。半导体制造中一系列复杂而耗时的光刻工艺主要由相应的光刻机来完成。
[0003]光刻机在曝光过程中，硅片表面的光刻胶中的有机溶剂受热后会慢慢的挥发，挥发出来的有机物会粘附在物镜下表面的镜片上，该粘附物直接影响物镜中光的透过率，进而影响产品的成像质量。由于物镜下表面的最后一个镜片距离硅片面的距离很小，挥发的光刻胶很容易就粘附在镜片表面。
[0004]现有技术中解决上述问题的方法是在镜片和硅片之间设置镜片保护装置，该镜片保护装置在镜片和硅片之间形成一层气体保护膜，该气体保护膜用于防止硅片表面的光刻胶中挥发出的有机溶剂黏附在镜片表面上。但是，当用于形成上述气体保护膜的气体其清洁度不佳时，则容易导致镜片被污染。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种镜片保护装置，以解决现有技术中镜片保护装置中的保护气体在形成气体保护膜时朝向镜片扩散而导致镜片污染的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种镜片保护装置，所述镜片保护装置包括：第一保护结构和第二保护结构；其中，
[0007]所述第一保护结构用于输出第一保护气体以在镜片表面上形成第一保护气膜；以及，
[0008]所述第二保护结构用于输出第二保护气体以在镜片表面和所述第一保护气膜之间形成第二保护气膜，以阻挡第一保护气体扩散至所述镜片，其中所述第二保护气体中的惰性气体的比例大于所述第一保护气体中的惰性气体的比例。
[0009]可选的，所述第一保护结构具有第一环状主体，所述第一环状主体环设在所述镜片的外围，并在所述第一环状主体的内壁上设有多个第一出气孔，所述第一出气孔用于输出所述第一保护气体；
[0010]和/或，所述第二保护结构具有第二环状主体，所述第二环状主体环设在所述镜片的外围，并在所述第二环状主体的内壁上设有多个第二出气孔，所述第二出气孔用于输出所述第二保护气体。
[0011]可选的，多个所述第一出气孔环绕所述第一环状主体的内壁均匀设置；和/或，多个所述第二出气孔环绕所述第二环状主体的内壁均匀设置。
[0012]可选的，当所述镜片保护装置安装在装配有所述镜片的物镜上时，所述第一出气孔以偏离所述镜片的方向偏移30
°
～60
°
；和/或，所述第二出气孔朝向所述镜片的方向偏移
0
°
～60
°
。
[0013]可选的，所述第一出气孔和/或所述第二出气孔的横截面为圆形、矩形或梯形。
[0014]可选的，所述第一保护结构的所述第一环状主体中设置有第一气流通道，所述第一气流通道与每个所述第一出气孔导通；和/或，
[0015]所述第二保护结构中设置有第二气流通道，所述第二气流通道与每个所述第二出气孔导通。
[0016]可选的，所述镜片保护装置还具有第一进气通道，所述第一进气通道与所述第一气流通道导通；和/或，
[0017]所述镜片保护装置还具有第二进气通道，所述第二进气通道与所述第二气流通道导通。
[0018]可选的，所述第一进气通道和所述第二进气通道均位于所述第二保护结构上；其中，所述第一气流通道和所述第二气流通道上下排布，以及所述第一出气孔和所述第二出气孔上下排布，所述第二进气通道位于所述第二环状主体内，所述第一进气通道贯穿所述第二环状主体以和所述第一气流通道导通。
[0019]可选的，所述第一保护结构还包括若干第一挡板，所述第一挡板位于所述第一气流通道内且与形成所述第一气流通道的内壁连接；
[0020]和/或，所述第二保护结构还包括若干第二挡板，所述第二挡板位于所述第二气流通道内且与形成所述第二气流通道的所述第二保护结构的内壁连接。
[0021]可选的，所述第一进气通道与所述第一气流通道相接处形成有第一进气口，若干所述第一挡板中的至少一个第一挡板设置在所述第一进气口和与所述第一进气口正对的内壁之间，且垂直于所述第一进气口的进气方向设置；和/或，
[0022]所述第二进气通道与所述第二气流通道相接处形成有第二进气口，若干所述第二挡板设置在所述第一进气口和与所述第二进气口正对的内壁之间，且垂直于所述第二进气口的进气方向设置。
[0023]可选的，所述第一环状主体和所述第二环状主体的内径比为0.9～1.1。
[0024]可选的，所述第一保护气体为压缩空气，所述第二保护气体为氮气。
[0025]可选的，所述第一保护结构与所述第二保护结构一体成型。
[0026]本专利技术还提供一种光刻机，包括装配有所述镜片的物镜与如上任一项所述的镜片保护装置，所述镜片保护装置安装在所述物镜上。
[0027]可选的，所述镜片保护装置还包括第一安装接口，所述物镜还包括第二安装接口，所述第一安装接口与所述第二安装接口连接以将所述镜片保护装置安装在所述物镜上。
[0028]本专利技术提供的镜片保护装置中，通过在第一保护结构和镜片之间设有第二保护结构，并使所述第二保护结构输出的第二保护气体中的惰性气体的比例大于所述第一保护结构输出的第一保护气体中惰性气体的比例。如此一来，以可在所述镜片与所述第一保护气膜之间形成第二保护气膜，且所述第二保护气膜比所述第一保护气膜更纯净，进而能够利用所述第二保护气膜有效的阻挡所述第一保护气体扩散至所述镜片，以防止所述第一保护气体造成镜片的污染。
附图说明
[0029]图1是本专利技术一实施例的镜片保护装置的结构示意图；
[0030]图2是本专利技术一实施例的镜片保护装置的气体流向示意图；
[0031]图3是图1中A部分的结构示意图；
[0032]图4是图3中B部分的结构示意图；
[0033]图5是图3中C部分的结构示意图；
[0034]附图标记
[0035]1-第一保护结构；
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10-第一本体；
[0036]11-第一出气孔；
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12-第一气流通道；
[0037]2-第一保护结构；
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20-第二本体；
[0038]21-第一出气孔；
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22-第一气流通道；
[0039]31-第一进气通道；
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32-第二进气通道；
[0040]41-第一进气口；
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42-第二进气口；
[0041]5-第一安装接口；
[0042]6-镜片；
[0043]71-第一保护气体；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镜片保护装置，其特征在于，所述镜片保护装置包括：第一保护结构和第二保护结构；其中，所述第一保护结构用于输出第一保护气体以在镜片表面上形成第一保护气膜；以及，所述第二保护结构用于输出第二保护气体以在镜片表面和所述第一保护气膜之间形成第二保护气膜，以阻挡第一保护气体扩散至所述镜片，其中所述第二保护气体中的惰性气体的比例大于所述第一保护气体中的惰性气体的比例。2.如权利要求1所述的镜片保护装置，其特征在于，所述第一保护结构具有第一环状主体，所述第一环状主体环设在所述镜片的外围，并在所述第一环状主体的内壁上设有多个第一出气孔，所述第一出气孔用于输出所述第一保护气体；和/或，所述第二保护结构具有第二环状主体，所述第二环状主体环设在所述镜片的外围，并在所述第二环状主体的内壁上设有多个第二出气孔，所述第二出气孔用于输出所述第二保护气体。3.如权利要求2所述的镜片保护装置，其特征在于，多个所述第一出气孔环绕所述第一环状主体的内壁均匀设置；和/或，多个所述第二出气孔环绕所述第二环状主体的内壁均匀设置。4.如权利要求2所述的镜片保护装置，其特征在于，当所述镜片保护装置安装在装配有所述镜片的物镜上时，所述第一出气孔以偏离所述镜片的方向偏移30
°
～60
°
；和/或，所述第二出气孔朝向所述镜片的方向偏移0
°
～60
°
。5.如权利要求2所述的镜片保护装置，其特征在于，所述第一出气孔和/或所述第二出气孔的横截面为圆形、矩形或梯形。6.如权利要求2所述的镜片保护装置，其特征在于，所述第一保护结构的所述第一环状主体中设置有第一气流通道，所述第一气流通道与每个所述第一出气孔导通；和/或，所述第二保护结构中设置有第二气流通道，所述第二气流通道与每个所述第二出气孔导通。7.如权利要求6所述的镜片保护装置，其特征在于，所述镜片保护装置还具有第一进气通道，所述第一进气通道与所述第一气流通道导通；和/或，所述镜片保护装...

【专利技术属性】
技术研发人员：程斌斌，郝保同，朱文洁，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：