空气中分子污染物的检测方法及铜互连结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种洁净室空气中分子污染物的检测方法，包括：提供至少一检测基板，检测基板的表面形成有灵敏层，灵敏层包括金属铜层；将检测基板放置于洁净室中预设时间，并获取检测基板的缺陷数据，缺陷数据为洁净室的空气中分子污染物于灵敏层中形成的缺陷的数据；以及，比较检测基板的缺陷数据是否小于洁净室的预设缺陷数值，若是，则洁净室的空气中分子污染物浓度正常。本发明专利技术中，利用空气中分子污染物与灵敏层形成缺陷，再获取检测基板的缺陷数据，并将该缺陷数据与预设缺陷数值相比较，若检测基板的缺陷数据小于预设缺陷数值则判定洁净室空气中分子污染物浓度正常，从而实现了方便且及时地检测洁净室空气中分子污染物。了方便且及时地检测洁净室空气中分子污染物。了方便且及时地检测洁净室空气中分子污染物。

【技术实现步骤摘要】
空气中分子污染物的检测方法及铜互连结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种空气中分子污染物的检测方法及铜互连结构的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件制造(Fabrication，FAB)的洁净室(Clean Room)对空气中分子污染物(Airborne Molecular Contamination)有着严格的控制要求。其中，空气中分子污染物不仅影响制造工艺良率，还对人员的身体健康可能存在风险。
[0003]如图1a所示，在铜电镀（ECP）工艺之前的衬底10
’
上形成有用于互连的开口11
’
（Via），在开口11
’
内形成有一薄层籽晶铜层20
’
（Cu seed），用于在铜电镀工艺中通电作为阴极以填充电镀铜。若在该铜制程的洁净室中空气中分子污染物超标，空气中分子污染物将腐蚀部分位于开口11
’
中的籽晶铜层20
’
，使得该处的籽晶铜层变薄或者缺失形成腐蚀缺陷21
’
。如图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种洁净室空气中分子污染物的检测方法，用于在铜制程的洁净室中检测空气中分子污染物，其特征在于，包括：提供至少一个检测基板，所述检测基板的表面形成有灵敏层，所述灵敏层包括金属铜层；将所述检测基板放置于洁净室中预设时间，并获取所述检测基板的缺陷数据，所述缺陷数据为所述洁净室的空气中分子污染物于所述灵敏层中形成的缺陷的数据；以及，比较所述检测基板的缺陷数据是否小于所述洁净室的预设缺陷数值，若是，则判定所述洁净室的空气中分子污染物浓度正常，若否，则判定所述洁净室的空气中分子污染物浓度超标。2.根据权利要求1所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，在所述铜制程的电镀铜工艺前或工艺中检测洁净室空气中分子污染物。3.根据权利要求1所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，所述灵敏层的厚度为80埃~120埃。4.根据权利要求3所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，所述预设时间为3小时~4小时。5.根据权利要求1所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，所述灵敏层采用物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志敏，陈献龙，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：