一种功率开关器件及其制作方法技术

本申请公开了一种功率开关器件，包括基板框架；固定于所述基板框架底部的氮化镓基晶体管，所述氮化镓基晶体管包括由下至上层叠的衬底、氮化镓晶体层、势垒层和电极，所述电极包括源极、栅极和漏极；固定于所述漏极上表面并与所述漏极电连接的发光芯片；固定于所述基板框架开口处的匀光板。本申请中的功率开关器件包括基板框架、氮化镓基晶体管、发光芯片、匀光板，氮化镓基晶体管中源极、栅极和漏极均位于势垒层的上表面，氮化镓基晶体管具有高频、耐高压特性，从而使得功率开关器件具有高响应速度、耐高压的特点，并且，本申请中匀光板可以对发光芯片发出的光转换为更加均匀的面光源。此外，本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
一种功率开关器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种功率开关器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]功率开关器件在开关电源中逐渐占据主导地位，随着开关电源的发展，提高功率开关器件的工作频率是发展的必然趋势。目前，功率开关器件都是基于硅基的金属
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氧化物半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，MOSFET)，MOSFET晶体管响应度较慢，导致功率开关器件的响应速度较慢。
[0003]因此，如何提升功率开关器件的响应速度是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是提供一种功率开关器件及其制作方法，以提升功率开关器件的响应速度。
[0005]为解决上述技术问题，本申请提供一种功率开关器件，包括：
[0006]基板框架；
[0007]固定于所述基板框架底部的氮化镓基晶体管，所述氮化镓基晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率开关器件，其特征在于，包括：基板框架；固定于所述基板框架底部的氮化镓基晶体管，所述氮化镓基晶体管包括由下至上层叠的衬底、氮化镓晶体层、势垒层和电极，所述电极包括源极、栅极和漏极；固定于所述漏极上表面并与所述漏极电连接的发光芯片；固定于所述基板框架开口处的匀光板。2.如权利要求1所述的功率开关器件，其特征在于，还包括：设于所述势垒层与所述栅极之间的P型GaN层。3.如权利要求2所述的功率开关器件，其特征在于，还包括：设于所述P型GaN层与所述栅极之间的金属层。4.如权利要求1所述的功率开关器件，其特征在于，所述势垒层的上表面分布有凹槽，所述栅极位于所述凹槽中。5.如权利要求1所述的功率开关器件，其特征在于，还包括：与所述氮化镓基晶体管级联的硅基晶体管。6.如权利要求1所述的功率开关器件，其特征在于，所述漏极与所述发光芯片之间通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜元宝，张耀华，王国君，朱小清，张庆豪，
申请(专利权)人：宁波升谱光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：