移动体驱动系统及移动体驱动方法、图案形成装置及方法、组件制造方法以及决定方法制造方法及图纸

通过驱动装置，根据用于测量晶片台ＷＴＢ在Ｙ轴方向位置信息的编码器（６４）的测量值、与该测量时以干涉仪（１６，４３Ａ及４３Ｂ）所测量的晶片台ＷＴＢ在非测量方向（例如，Ｚ、及θｚ及θｘ方向）的位置信息所对应的已知修正信息，将晶片台ＷＴＢ驱动于Ｙ轴方向。也即，根据用于修正因读头往非测量方向与标尺的相对位移引起的编码器测量误差的修正信息修正后的编码器测量值，将移动体驱动于Ｙ轴方向。因此，能在不受读头与标尺间的要测量方向（测量方向）以外的相对运动影响的情形下，一边以编码器测量位置、一边以良好精度将晶片台ＷＴＢ（移动体）驱动于所希望的方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】移动体驱动系统及移动体驱动方法、 困案形成装置及方法、组件制造方法以及决定方法
0G01本专利技术，涉及一种移动体驱动系统及移动体驱动方法、图 案形成装置及方法、组件制造方法以及决定方法，更详细地说，涉及 沿规定平面驱动移动体的移动体驱动系统及移动体驱动方法、具备该 移动体驱动系统的图案形成装置及利用该移动体驱动方法的困案形 成方法、具备该移动体驱动系统的咏光装置及利用该移动体驱动方法 的瀑光方法、利用该图案形成方法的組件制造方法、以及决定用于测 量移动体在规定方向的位置信息的编码器系统测量值的修正信息的 决定方法。
技术介绍
0CM)21以往，在制造半导体組件、液晶表示組件等的微型组件(电 子组件等)的光刻过程中，较常使用步进重复方式的缩小投影曝光装置 (所谓的步进器)、步进扫描方式的缩小投影膝光装置(所谓的扫描步进 器(也称为扫描仪))等。00031此种膝光装置，为了将标线片(或掩膜)的困案转印于晶片上 的多个照射区域，保持晶片的晶片栽台通过例如线性马达等在XY 二 维方向上被驱动。特别是扫描步进器，不仅可驱动晶片栽台，也可将 标线片栽台通过线性马达等在规定动程驱动于扫描方向。标线片栽台 或晶片栽台的测量， 一般使用长期测量值的穗定性良好、具高分解能 力的激光干涉仪。另外，主控制装置20，在结束上述附设于五个第二对准照 射区域的对准标记的同时检测动作后，再次开始在接触状态(或接近状 态)下的两栽台WST，MST向+丫方向的移动，同时如图23所示，使 用Z传感器72a ~ 72d与多点AF系统(90a， 90b)开始前述的对焦匹配。0208I接着，当两栽台WST，MST到达图24所示测量板30配置 于投影光学系统PL正下方的位置时，主控制装置20进行前述 Pri-BCHK的后半处理及聚焦校正的后半处理。此处的Pri-BCHK的 后半处理是指使用包含前述空间像测量装置4S(将空间像测量狭缝图 案SL形成于测量板30)来测量投影光学系统PL所投影的标线片R上 的一对测量标记投影像(空间像)，并将其测量结果(与晶片台WTB的XY位置对应的空间像强度)储存于内部存储器的处理。此处理，例如 可使用与前述美国专利申请公开第2002 / 0041377号说明书等公开的 方法同样的方法，经由使用一对空间像测量狭缝图案SL的狭缝扫描 方式的空间像测量动作，测量一对测量标记的空间像。另外，聚焦校 正的后半处理是指主控制装置20， 一边如图24所示根据Z传感器72a， 72b， 72c， 72d所测量的面位置信息控制测量板30(晶片台WTB)在投影 光学系统PL的光轴方向的位置(Z位置)， 一边使用空间像测量装置 45，测量标线片R或形成于标线片栽台RST上未图示标记板的测量 标记的空间像，并根据其结果测量投影光学系统PL的最佳聚焦位置 的处理。此测量标记的投影像的测量动作，公开于例如国际公开第 2005 / 124834号小册子等。主控制装置20 —边使测量栽台30移动于 Z轴方向、 一边与来自空间像测量装置45的输出信号的撷取动作同 步，撷取Z传感器74u、 742，4、 Z传感器76u、 762，3的测量值。接 着，将与投影光学系统PL的最佳聚焦位置对应的Z传感器74li4、 742， 4、 Z传感器76u、 762,3的值储存于未图示的内存。此外，之所以在 聚焦校正的后半处理中，使用Z传感器72a， 72b， 72c，72d所测量的面 位置信息，来控制测量板30(晶片栽台WST)在投影光学系统PL的光 轴方向的位置(Z位置)是因为该聚焦校正的后半处理是在前述聚焦的 途中进行的。[0209此时，由于液浸区域14形成于投影光学系统PL与测量板 30(晶片台WTB)之间，因此上述空间像的测量经由投影光学系统PL 及水Lq进行。另外，测量板30等装栽于晶片栽台WST(晶片台WTB), 受光元件等装栽于测量栽台MST，因此上述空间像的测量如图24所 示，在晶片栽台WST与测量栽台MST保持接触状态(或接近状态)下 进行。通过上述测量，求出与投影光学系统PL的最佳聚焦位置对应 的、通过晶片台WTB中心的Y轴方向直线一致于前述直线LV的状 态下Z传感器74！，4、 742，4、 76li3、 762，3的测量值(也即晶片台WTB 的面位置信息)。021§，接着，主控制装置20根椐上述Pri-BCHK的前半处理的结果与Pri-BCHK的后半处理的结果算出一次对准系统AL1的基线。同 时，主控制装置20根据前述聚焦校正前半处理所求得的Z传感器72a， 72b, 72c，72d的测量值(晶片台WTB的面位置倌息)、与多点AF系统 (90a， 90b)对测量板30表面的检测点中检测结果(面位置信息)的关系、 以及在前述聚焦校正后半处理所求得的与投影光学系统PL的最佳聚 焦位置对应的Z传感器74u、 742，4、 76^、 762,3的测量值(也即，晶 片台WTB的面位置信息)，求出多点AF系统(90a， 90b)对投影光学系 统PL的最佳聚焦位置的代表检测点(此时多个检测点中位于中央或其 附近的检测点)的偏置，并通过例如光学方法将多点AF系统的检测原点调整到该偏置成为零。02UI在此情形下，从提升生产量的观点来看，也可仅进行上述 Pri-BCHK的后半处理及聚焦校正的后半处理的其中一方，也可在不 进行两处理的状态下移行至下一处理。当然，若不进行Pri-BCHK的 后半处理即也无进行前述Pri-BCHK的前半处理的必要，此时，主控 制装置20只要使晶片栽台WST移动至可从前述装栽位置LP检测出 附设于第一对准照射区域AS的对准标记的位置即可。此外，当不进 行Pri-BCHK处理时，使用已用相同的动作在曝光对象晶片W前的 晶片的瀑光前一刻进行了测量的基线。另外，当不进行聚焦校正的后 半处理时，与基线同样地，使用已在先前的晶片的曝光前一刻进行了 测量的投影光学系统PL的最佳聚焦位置。0212此外，在此图24的状态下，继续进行前述聚焦校正。0213I通过使在上述接触状态(或接近状态)下的两栽台WST， MST向+Y方向移动，而使晶片栽台WST在规定时间后到达图25 所示的位置时，主控制装置20使晶片栽台WST停止在该位置，且使 测量栽台MST继续向+Y方向移动。接着，主控制装置20使用五个 对准系统AL1， AL2, AL24大致同时且独立地检测出附设于五个第 三对准照射区域的对准标记(参照围25中的星标记)，并将上述五个对 准系统AL1， AL2i~AL24的检测结果与进行该检测时的上述四个编 码器中至少三个编码器(经前述各修正信息修正后的测量值)的测量值以彼此相关联的方式储存于内部存储器。此时，也持续进行对焦匹配。021司另一方面，从上述晶片栽台WST的停止起经过规定时间 后，测量栽台MST与晶片载台WST从接触(或接近状态)移行至分离 状态。在移行至此分离状态后，主控制装置20使测量栽台MST在到 达至曝光开始为止在该处待机的瀑光开始待机位置后停在该位置。[02151其次，主控制装置20使晶片栽台WST向+Y方向移动向 附设于前述三个第一对准照射区域的对准标记的检测位置。此时仍持 续进行对焦匹配。另一方面，晶片栽台WST在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实质上沿规定平面驱动移动体的移动体驱动系统，其特征在于包括：　编码器，具备向具有把与上述规定平面平行的规定方向作为周期方向的栅格的标尺照射检测光并接收来自上述标尺的反射光的读头，测量上述移动体在上述规定方向的位置信息；以及　 驱动装置，基于上述编码器的测量值、以及相应于该测量时的上述移动体在与上述规定方向不同方向的位置信息的修正信息，将上述移动体驱动于上述规定方向。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴崎祐一，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]