【技术实现步骤摘要】
一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板及其制造方法
[0001]本专利技术属于显示
，具体涉及一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
[0002]目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶InGaZnO(IGZO)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为TFT制备的理想材料，以其制备的TFT有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a
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Si的潜力。较a
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SiTFT相比，IGZO
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TFT的载流子迁移率可以达到10
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30cm2/V
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S，大大提高TFT对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，IGZO制程和现有的a
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Si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(LTPS)具有更低的投资成本。
[0003]如说明书附图1所示，现有的氧化物TFT有两种常见结构：ESL和BCE，具有多道制程，制程成本与制程的数量有关，虽然ESL结构相对BCE结构多了...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，包括Array侧基板玻璃（1）其特征在于：所述Array侧基板玻璃（1）上依次设有MetalⅠ金属层（2）、栅极绝缘层（3）和有缘层（4），所述有缘层（4）上通过CVD成膜方式形成有刻蚀阻挡层（5），所述刻蚀阻挡层（5）上设有MetalⅡ金属层（6），所述MetalⅡ金属层（6）上覆盖有PV绝缘层（7），所述PV绝缘层（7）上依次设有有机平坦层（8）以及MetalⅢ触控金属层（9），所述MetalⅢ触控金属层（9）上采用CVD成膜方式形成有VA绝缘层（10），所述VA绝缘层（10）上设有公共电极层ITO（11），所述公共电极层ITO（11）上采用CVD成膜方式形成有CH绝缘层（12），所述CH绝缘层（12）上设有像素电极层ITO（13）。2.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述MetalⅠ金属层（2）为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，MetalⅡ金属层（6）为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti，所述MetalⅢ触控金属层（9）为Mo/Al/Mo，中间的Al作为金属线的实际导电层，其中两侧的Mo或Ti主要为缓冲层，起到保护中间Al不被氧化、腐蚀和降低接触电阻，并且缓冲层用于提高金属层与无机层的界面接触。3.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述栅极绝缘层（3）为具有较大介电常数的绝缘层，栅极绝缘层（3）由SiOx材料制得，所述刻蚀阻挡层（5）由SiOx材料制得，具有较大介电常数的绝缘层，保护SEChanel不被SD蚀刻液或气体蚀刻，所述CH绝缘层（12）为具有较大介电常数的绝缘层，且CH绝缘层（12）由SiOx或SiNx制得，便于像素电极层ITO（13）与MetalⅡ金属层（6）相连，所述VA绝缘层（10）为具有较大介电常数的绝缘层，且VA绝缘层（10）由SiOx或和SiNx材料制得，在VA绝缘层（10）上干刻出VA孔，便于公共电极层ITO（11）与MetalⅢ触控金属层（9）相连，所述PV绝缘层（7）为具有较大介电常数的绝缘层，且PV绝缘层（7）由SiOx材料制得，所述PV绝缘层（7）用于Array侧基板玻璃（1）上TFT有源器件的水和氧的阻隔。4.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述有缘层（4）为Array侧基板玻璃（1）上TFT有源器件的半导体层，如a
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Si，MOx和LTPS，该有缘层（4）由IGZO材料制得。5.根据权利要求1所述的一种可避免有源层开孔过刻的阵列基板，其特征在于：所述有机平坦层（8）由有机材料制得且覆盖于PV绝缘层（7）上，用于平坦化rray侧基板玻璃（1）上TFT有源器件的表面。6.一种利要求1
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5所任意一项所述的可避免有源层开孔过刻的阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：依序在Array侧基板玻璃（1）上Pattern形成GEMetalⅠ金属层（2）以及栅极绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，朱书纬，陈鑫，潜垚，李澈，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：
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