数字微流控芯片制造技术

本发明专利技术提供一种数字微流控芯片，其包括有源矩阵薄膜晶体管阵列基板、分立式疏水膜、上盖板、沉积在上盖板底部的疏水膜以及注入所述分立式疏水膜和疏水膜之间的液滴和硅油；所述有源矩阵薄膜晶体管阵列基板包括多个高压薄膜晶体管，每个高压薄膜晶体管包括串联连接的第一TFT和第二TFT、以及串联连接第一TFT和第二TFT的源漏连接电极。本发明专利技术数字微流控芯片采用高压薄膜晶体管，高压薄膜晶体管可以提供超过200V以上的电压，有利于提高数字微流控芯片的通用性；高压薄膜晶体管可以施加AC信号，提高数字微流控芯片的使用寿命。提高数字微流控芯片的使用寿命。提高数字微流控芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
数字微流控芯片


[0001]本专利技术涉及数字微流控的
，尤其涉及一种数字微流控芯片。

技术介绍

[0002]介电润湿(EWOD)的数字微流控芯片(Digital Microfluidics,DMF)简称为EWOD DMF芯片，EWOD DMF芯片的工作原理是通过向电极施加适当的电压来改变液滴和电极(涂有介电层和疏水层)之间的界面张力来操纵液滴。
[0003]电极施加电压的方式主要有PCB、COMS和有源矩阵薄膜晶体管(AM
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TFT)阵列基板。相比PCB和COMS技术，AM
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TFT阵列基板具有较少的电极连线的数量、更高密度和更高分辨率的阵列、更小的设备整体尺寸；另外，AM
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TFT阵列基板具有增强的功能(感测液滴的位置和大小、单个液滴加热)、敏捷性和可编程性。因此，AM
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TFT阵列基板与EWOD DMF芯片集成是一种非常有前景的技术，并最具有商业价值。尽管AM
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TFT寻址提供了卓越的功能和可配置性，它的工作电压常在0～60V之间，对需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数字微流控芯片，其包括有源矩阵薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括位于所述有源矩阵薄膜晶体管阵列基板上的分立式疏水膜、上盖板、沉积在上盖板底部的疏水膜以及注入所述分立式疏水膜和疏水膜之间的液滴和硅油；所述有源矩阵薄膜晶体管阵列基板包括多个高压薄膜晶体管，每个高压薄膜晶体管控制一个液滴，其包括串联连接的第一TFT和第二TFT、以及串联连接第一TFT和第二TFT的源漏连接电极；第一TFT和第二TFT均包括栅极、位于栅极上方的沟道区、分别与所述沟道区两侧接触的沟道接触电极、与位于所述沟道区一侧的沟道接触电极连接的源极以及与位于所述沟道区另一侧的沟道接触电极连接的漏极；第一TFT的漏极和第二TFT的源极连接。所述源极的端部具有向对应沟道区的中心延伸的突出部，所述突出部为所述源极和位于所述源极下方的沟道接触电极在空间上交叠后多出的区域；所述漏极的端部也具有向对应沟道区的中心延伸的突出部，所述突出部为所述漏极和位于所述漏极下方的沟道接触电极在空间上交叠后多出的区域。2.根据权利要求1所述的数字微流控芯片，其特征在于，第一TFT的源极的第一突出部的长度等于第二TFT的漏极的第二突出部的长度，第一TFT的漏极的第二突出部的长度等于第一TFT的源极的第一突出部的长度。3.根据权利要求1所述的数字微流控芯片，其特征在于，多个高压薄膜晶体管还包括电性连接第一TFT的漏极和第二TFT的源极的源漏连接电极。4.根据权利要求3所述的数字微流控芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鑫，刘荣跃，刘嘉泽，行亚茹，詹绍虎，李婕，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：