一种阵列基板及其制备方法、发光装置制造方法及图纸

技术编号:32221929 阅读:65 留言:0更新日期:2022-02-09 17:27
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、发光装置,涉及显示技术领域,该阵列基板包括:衬底;位于衬底上的第一导电层,第一导电层包括多个第一镂空区;第二导电层,位于第一导电层远离衬底的一侧,且与第一导电层绝缘设置;第二导电层包括多个导电垫组,导电垫组包括至少一个导电垫;导电垫在第一导电层上的正投影位于第一镂空区以内;多个保护电极,保护电极位于第一镂空区,且导电垫在衬底上的正投影位于保护电极在衬底上的正投影以内;其中,对于正投影存在交叠区的保护电极和导电垫,保护电极的电压大于或等于导电垫的电压。该阵列基板解决了相关技术中导电垫被电化学腐蚀导致的阵列基板失效的问题,提升了阵列基板的可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、发光装置


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、发光装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的快速发展,随着显示技术的快速发展,Mini LED(Mini Light Emitting Diode,次毫米发光二极管)和Micro LED(Micro Light Emitting Diode,微发光二极管)的显示产品引起人们广泛的关注。然而,在高温高湿的环境下,Mini LED或Micro LED的极与焊盘之间容易发生电化学反应,以致产生腐蚀问题,降低Mini LED或Micro LED显示产品的可靠性。
[0003]目前,亟需提供一种新的阵列基板,以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本申请的实施例采用如下技术方案:
[0005]一方面,本申请的实施例提供了一种阵列基板,包括:
[0006]衬底;
[0007]位于所述衬底上的第一导电层,所述第一导电层包括多个镂空区;
[0008]第二导电层,位于所述第一导电层远离所述衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上的第一导电层,所述第一导电层包括多个第一镂空区;第二导电层,位于所述第一导电层远离所述衬底的一侧,且与所述第一导电层绝缘设置;所述第二导电层包括多个导电垫组,所述导电垫组包括至少一个导电垫;所述导电垫在所述第一导电层上的正投影位于所述第一镂空区以内;多个保护电极,所述保护电极位于所述第一镂空区内,且所述导电垫在所述衬底上的正投影位于所述保护电极在所述衬底上的正投影以内;其中,对于正投影存在交叠区的所述保护电极和所述导电垫,所述保护电极的电压大于或等于所述导电垫的电压。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多个元器件,一个所述元器件与同一组所述导电垫组电连接;其中,至少部分所述元器件在所述衬底上的正投影位于所述保护电极在所述衬底上的正投影以内。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,各所述保护电极的电压相同。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括多条沿第一方向延伸的驱动线,所述保护电极和所述驱动线电连接,且所述保护电极的电压等于所述驱动线的驱动电压。5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括阵列排布的多个走线组,所述走线组包括沿所述第一方向延伸、且沿第二方向依次排布的所述驱动线、接地线和电源线;所述第一方向和所述第二方向相交;部分所述保护电极位于所述接地线和所述驱动线之间,剩余部分所述保护电极位于所述接地线和所述电源线之间;其中,位于所述接地线和所述驱动线之间的所述保护电极与所述驱动线直接电连接,位于所述接地线和所述电源线之间的所述保护电极与相邻所述走线组中的所述驱动线通过架桥结构电连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层包括所述第一镂空区、第二镂空区、第三镂空区和第四镂空区;所述第二镂空区被配置为隔开所述驱动线和所述接地线;所述第三镂空区被配置为隔开所述电源线和所述接地线,且所述驱动控制器件在所述第一导电层上的正投影位于所述第三镂空区以内;所述第四镂空区被配置为隔开所述电源线和相邻所述走线组中的所述驱动线;其中,部分所述第一镂空区和所述第二镂空区连通设置,剩余部分所述第一镂空区和所述第三镂空区连通设置。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述保护电极的电压相同。8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层还包括沿第一方向延伸、且沿第二方向排布的多条第一保护走线和多条第二保护走线;所述第一方向和所述第二方向相交;其中,部分所述保护电极和所述第一保护走线电连接,剩余部分所述保护电极和所述
第二保护走线电连接;所述第一保护走线电连接的各所述保护电极的电压相同,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐佳伟杜芸李必生张志张建英郭总杰范文金董钊
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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