一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件，包括半绝缘碳化硅衬底、Al2O3膜和一对欧姆接触电极，所述的半绝缘碳化硅衬底的上表面设有两个电极凹槽，正电极和负电极分别设在两个电极凹槽内；半绝缘碳化硅衬底的上表面除正电极和负电极外其他区域设有一层Al2O3膜；本实用新型专利技术能够采用紫外光面光入射方式进行触发，可以在光导半导体器件内部形成电流通道，有效地提升光电转化效率；并且使用嵌入式欧姆接触电极，提高了器件耐压能力；同时由于采用了减薄工艺，进一步减小器件尺寸和导通电阻，可以确保器件厚度接近穿透厚度，从而有效提升背面光入射时光生载流子浓度，实现光导半导体器件在亚纳秒电磁脉冲产生系统中的实际应用。冲产生系统中的实际应用。冲产生系统中的实际应用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件


[0001]本技术涉及一种光导半导体器件，特别涉及一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件。

技术介绍

[0002]光导半导体器件是电磁脉冲产生
的重要组成部分，可以用来产生高功率超短脉冲。光导半导体器件具有许多突出的优点，如导通时间快、同步精度高、时间抖动低、导通电感低等。这些独特的优点使得光导半导体器件在固态紧凑型脉冲功率源、高功率超宽带微波辐射源、介质壁加速器、大型脉冲功率装置的触发系统、太赫兹辐射等脉冲功率研究领域中得到广泛应用。随着科学技术的进一步发展，人们对光导半导体器件的响应速度、体积重量、工作精度、功率容量、导通电阻等性能指标提出了越来越高的要求。
[0003]目前，采用宽禁带光导半导体产生参数可调的射频和电磁微波是一种全新技术，具有重要应用前景。在实际应用中，碳化硅材料制作的光导半导体器件具有宽禁带、高临界击穿电场、高载流子迁移率、高电子饱和漂移速度、高热导率等诸多优良特性，相关研究工作也日益增多。通常光导半导体器件由一对电极和光导晶圆衬底构成。电极上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件，其特征在于：包括半绝缘碳化硅衬底、Al2O3膜和一对欧姆接触电极，所述的一对欧姆接触电极包括正电极和负电极；所述的半绝缘碳化硅衬底的上表面设有两个电极凹槽，正电极和负电极分别设在两个电极凹槽内；半绝缘碳化硅衬底的上表面除正电极和负电极外其他区域设有一层Al2O3膜；所述的正电极和负电极均为Ni/Ti/Au三层金属电极，Ni、Ti、Au三层金属层至下而上设置。2.根据权利要求1所述的一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件，其特征在于：所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：楚旭，王朗宁，荀涛，王日品，杨汉武，刘金亮，贺军涛，张军，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：新型
国别省市：