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本实用新型提供一种基于背面光入射的平面电极型碳化硅光导半导体器件，包括半绝缘碳化硅衬底、Al2O3膜和一对欧姆接触电极，所述的半绝缘碳化硅衬底的上表面设有两个电极凹槽，正电极和负电极分别设在两个电极凹槽内；半绝缘碳化硅衬底的上表面除正电极和...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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