IGBT焊接层空洞检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种IGBT焊接层空洞检测装置，包括：电压电源，其正极连接IGBT栅极，其负极连接IGBT发射极；电流电源，其正极连接IGBT集电极，其负极连接IGBT发射极，其能测量电压。本实用新型专利技术的检测装置通过对IGBT进行加热能使用电学测试的方法快速、准确检测出存在焊接层空洞的IGBT产品。焊接层空洞的IGBT产品。焊接层空洞的IGBT产品。

【技术实现步骤摘要】
IGBT焊接层空洞检测装置


[0001]本技术涉及电子领域，特别是涉及一种用于IGBT焊接层空洞检测装置。

技术介绍

[0002]功率模块是以IGBT为内核的先进混合集成功率部件，由高速低功耗管芯(IGBT)和优化的门极驱动电路，以及快速保护电路构成。
[0003]IGBT功率模块生产中，芯片或者系统焊接层会由于工艺偏差产生焊接空洞，焊接空洞通常会导致模块热阻问题，造成产品均一性差，甚至造成产品质量缺陷。现有检测IGBT焊接空洞的方法是使用X光机检查，但通过X光机检查无法检查出极薄的大面积空洞，而这种极薄的大面积空洞如果漏检，则很容易造成后续的应用失效。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0005]本技术要解决的技术问题是提供一种能快速、准确检测出焊接层空洞的IGBT焊接层空洞检测装置。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供一种IGBT焊接层空洞检测装置，包括：
[0007]电压电源，其正极连接IGBT栅极，其负极连接IGBT发射极；
[0008]电流电源，其正极连接IGBT集电极，其负极连接IGBT发射极，其能测量电压。
[0009]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，还包括：r/>[0010]电阻，其连接在IGBT栅极和电压电源正极之间，其用于限定电流。
[0011]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，还包括：
[0012]电感，其连接在IGBT集电极和电流电源正极之间，其用于稳定电流。
[0013]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，电压电源使IGBT栅极和发射极导通时电流电源增加IGBT集电极和发射极电流，同时电流电源第一次测量电压；
[0014]经过预设时间间隔后，电流电源第二次测量电压。
[0015]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，所述预设时间间隔为100毫秒
‑
1000毫秒，优选预设时间间隔为200毫秒。该200毫秒的时间间隔不是任意选择的，根据IGBT的实际性能，申请人认为200毫秒的测试预设时间间隔可以对现有IGBT实现充分加热，进而更准确的获得测试结果。
[0016]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，电压电源所提供电压范围为5V
‑
20V，优选电压为15V。
[0017]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，电流电源所提供电流范围为80A
‑
200A，优选电流为100A，其测量电压范围为1V
‑
8V。相应的，电流电源所提供电流范围
为80A
‑
200A也并不是常规选择，根据现有IGBT实际性能结合预设时间间隔范围，申请人认为在电流为80A
‑
200A可以满足充分加热避免漏检；
[0018]相应的，为了在避免漏检的同时，提高测试效率，申请人认为在预设时间间隔优选为200毫秒的情况下，电流为100A时能实现消除焊接层空洞漏检，实现每个产品均能准确判断是否存在焊接层空洞。
[0019]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，电阻阻值范围为0.5欧盟
‑
2欧姆，优选为1欧姆。在电流电源所提供电流范围为80A
‑
200A，预设时间间隔为100毫秒
‑
1000毫秒的情况下，设置0.5欧盟
‑
2欧姆限定电流电阻能有效的防止过流损坏，相应的若设置过大或过小的电阻会影响检测装置的性能。
[0020]可选择的，进一步改进所述IGBT焊接层空洞检测装置，电感的范围是20纳亨
‑
60纳亨。在电流电源所提供电流范围为80A
‑
200A，预设时间间隔为100毫秒
‑
1000毫秒的情况下，设置20纳亨
‑
60纳亨稳定电流电感能有效的防止过流损坏，相应的若设置过大或过小的电感会影响检测装置的性能。
[0021]参考图2所示，对本技术的使用过程及工作原理说明如下：
[0022]本技术的电压电源用于给IGBT栅极供电，电流电源用于提供集电极
‑
发射极大电流的电源并测量电压。
[0023]测试开始通过继电器盒(继电器盒用于控制测试顺序，即电流导通或断开)在确保各结构连接没问题以后，电压电源通过给IGBT栅极和发射极之间加电压，栅极电压VGE使IGBT导通，电流电源在集电极和发射极之间加大电流IC。开始电流电源第一次测试导通压降VCE2，等待预设时间间隔(100毫秒
‑
1000毫秒)后，IGBT已经被加热，然后电流电源第二次测量导通压降VCE3。
[0024]两次导通压降的差值，即为Delta VCE，Delta Vce＝VCE3
–
VCE2。
[0025]对于功率模块，焊接层有空洞和没有空洞的产品，散热性能会存在差异。通过本技术对IGBT进行加热后，有空洞和没有空洞产品的芯片温度是不一样的，有问题的产品由于散热性能差，芯片温度将会更高。而VCE是一个热敏感的参数(负温度系数)，有空洞的产品的VCE会比正常的产品低。本技术的检测装置通过对IGBT进行加热能使用电学测试的方法快速、准确检测出存在焊接层空洞的IGBT产品。
附图说明
[0026]本技术附图旨在示出根据本技术的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本技术附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本技术附图不应当被解释为限定或限制由根据本技术的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细的说明：
[0027]图1是本技术第一实施例结构示意图。
[0028]图2是本技术第二实施例结构示意图。
[0029]附图标记说明
[0030]电压电源VGG
[0031]电流电源VCC
[0032]电阻R1
[0033]电感LC
[0034]IGBT栅极G
[0035]IGBT发射极E
[0036]IGBT集电极C。
具体实施方式
[0037]以下通过特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本技术的其他优点与技术效果。本技术还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT焊接层空洞检测装置，其特征在于，包括：电压电源，其正极连接IGBT栅极，其负极连接IGBT发射极；电流电源，其正极连接IGBT集电极，其负极连接IGBT发射极，其能测量电压。2.如权利要求1所述IGBT焊接层空洞检测装置，其特征在于，还包括：电阻，其连接在IGBT栅极和电压电源正极之间。3.如权利要求1所述IGBT焊接层空洞检测装置，其特征在于，还包括：电感，其连接在IGBT集电极和电流电源正极之间。4.如权利要求1所述IGBT焊接层空洞检测装置，其特征在于：电压电源使IGBT栅极和发射极导通时电流电源增加IGBT集电极和发射极电流，同时电流电源第一次测量电压；经过预设时间间隔后，电流电源第二次测量电压。5.如权利要求4所述IGBT焊接层空...

【专利技术属性】
技术研发人员：张怡廷，
申请(专利权)人：上汽英飞凌汽车功率半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：