【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。
技术介绍
目前，用于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件的尺寸基本上均为六英寸以下，同时承载部件的壁比较厚。此种部件多以石英玻璃、单晶硅、多晶硅材料为主。其中石英玻璃软化点低(1100℃)，易发生高温蠕变造成晶片变形粘结。在1200℃以上的扩散过程中，尤其是晶圆尺寸的变大，石英因高温负重过大而产生变形，在晶圆自动化输送过程中无法对位，石英玻璃材料已远远不能满足晶片制造工艺的需要。另外该特性限制了传输承载部件的形状和尺寸，无法做到六英寸以上，且壁厚而笨拙。尺寸小影响传输承载能力，部件壁厚使得热导率低，不利于温度、气流的均匀性。这些缺陷均影响晶片器件的质量和生产成本的降低。而如果采用单晶硅、多晶硅做出大尺寸的晶舟，则由于高温强度低，易发生脆性断裂，不耐化学腐蚀，加工难度大。尽管如此，由于大直径晶片每片可分割成几百个芯片，为提高生产效率和节约成本，传输承载晶片的部件向大直径发展是近年的趋势。由于近年来，晶片尺寸从4吋(105mm)发展至12吋(达到300mm以上)，线宽从2微米发展到90纳米，对于制造过程中的气氛均匀性和纯净度的要求更趋严格。对每一种直径的晶片都需要想对应的尺寸的传输承载部件。所以用碳化硅大口径薄壁异型部件替代传统部件已成半导体器件发展的必然趋势。
技术实现思路
要解决的技术问题为了避免现有技术的不足之处，本技术提供了一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，采用碳化硅材料制成、卡座式主体，因碳化硅无高...
【技术保护点】
一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，其特征在于：在卡座主体（１）上设计四条内凸棱（３）、（４）、（５）、（６），在四条内凸棱上刻卡槽（７），在垂直于卡座主体（１）的平面上的、位于四条内凸棱（３）、（４）、（５）、（６）上的点位Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ在同一圆周上。
【技术特征摘要】
1.一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，其特征在于在卡座主体(1)上设计四条内凸棱(3)、(4)、(5)、(6)，在四条内凸棱上刻卡槽(7)，在垂直于卡座主体(1)的平面上的、位于四条内凸棱(3)、(4)、(5)、(6)上的点位A、B、C、D在同一圆周上。2.根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，刘定冕，刘磊磊，
申请(专利权)人：西安希朗材料科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]
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