本发明专利技术公开了预注塑式MINI LED封装基板，属于封装基板领域，技术要点包括焊盘和封装线路结构，所述焊盘上通过蚀刻形成封装线路结构，所述封装线路结构的缝隙处通过注塑填充有高分子层，所述封装线路结构上一体成型有若干个引脚，所述焊盘上设置有导热柱，相邻的所述引脚的间距小于0.3mm。本发明专利技术，采用了多层蚀刻的技术，能够缩小引线间距和线宽到0.07～0.1mm之间，这样就可以降低像素点的距离，分辨率提高，采用了平板式封装方案，去除传统的凹槽式封装设计，极大的扩宽了视角范围，并且采用了表面粗化的处理工艺，增强了结构间结合力也提高了封装结构的可靠性，通过增加金属形成的导热柱，能够提高封装结构的散热能力。能够提高封装结构的散热能力。能够提高封装结构的散热能力。
【技术实现步骤摘要】
预注塑式MINI LED封装基板
[0001]
[0002]本专利技术涉及封装基板领域，更具体地说，涉及预注塑式MINI LED封装基板。
技术介绍
[0003]LED显屏在室内室外都有广泛的应用。所有的基本封装都是采用传统的DIP或者SMD封装结构。RGB光源芯片封装在一起成为一个像素点。
[0004]采用DIP或者是SMD的显屏领域，较大像素点带来分辨率的下降，封装结构带来的视角（view angle）变小，不同材料之间的界面结合也带来了可靠性降低的特点。
[0005]采用的是传统的支架成型工艺，封装引线间距较大（0.3mm），线宽也很宽（0.3mm），像素点间距较大，导致分辨率降低，带碗杯形式的封装限制了视角的宽度（小于120度）。
技术实现思路
[0006]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供预注塑式MINI LED封装基板，以解决现有封装基板像素间距大，分辨率低，使用可靠性低的问题。
[0007]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0008]预注塑式MINI LED封装基板，包括焊盘和封装线路结构，所述焊盘上通过蚀刻形成封装线路结构，所述封装线路结构的缝隙处通过注塑填充有高分子层，所述封装线路结构上一体成型有若干个引脚，所述焊盘上设置有导热柱，相邻的所述引脚的间距小于0.3mm，所述封装线路结构与高分子层的结合面粗化处理。
[0009]作为上述技术方案的进一步描述：相邻两个所述引脚的间距在0.07～0.1mm之间，所述焊盘的厚度为6mil与8mli的合金铜板中的一种。
[0010]作为上述技术方案的进一步描述：所述高分子层为环氧树脂构成，所述高分子层选用低于50um环氧树脂注塑组成。
[0011]作为上述技术方案的进一步描述：该预注塑式MINI LED封装基板的制造流程，包括以下步骤：步骤一、将合金铜材把芯片的线路图蚀刻出来，只是蚀刻部分材料，引脚间隙在0.07～0.1mm之间，具体的引脚数目取决于ASIC或者芯片的设计，形成焊盘；步骤二、用传递塑模的方法把具有优良特性的环氧树脂材料注塑到蚀刻部分铜材的线路表面，得到部分高分子层；步骤三、通过打磨把已经备塑封胶料掩盖的线路磨出来；步骤四、把没有做过蚀刻工艺另外合金铜材作为焊盘的线路蚀刻出来，形成引脚；步骤五、用传统的塑封模的方法把具有优良特性的环氧树脂材料注塑到蚀刻剩余铜材的封装线路结构表面，形成完整高分子层；
步骤六、在整个焊线线路表面进行铜材料电镀，使其整个表面金属化；步骤七、在金属化的表面进行MINI LED封装线路的蚀刻；步骤八、进行MINI LED的封装和塑封保护；步骤九、单颗成型分切。
[0012]作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤一中通过掩饰模的设计，完整覆盖到整个合金铜板上面，利用UV或者激光把线路覆盖膜活化形成线路结构。
[0013]作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤二中在传塑过程中选用低于50um填充的化合物的材料以利于在复杂的ASIC设计中的超细引脚间填充充分的结构。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤四中蚀刻完成后选择对焊盘线路与引脚的表面粗化处理。
[0015]作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤五中注塑完成后对注塑表面进行打磨，所述步骤六中电镀完成后对电镀层表面进行打磨。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述：所述步骤一中的蚀刻部分，同时蚀刻加工形成导热柱。
[0017]相比于现有技术，本专利技术的优点在于：（1）本方案，采用了平板式封装方案，去除传统的凹槽式封装设计，极大的扩宽了视角范围，并且采用了表面粗化的处理工艺，不同材料的界面结合力因为粗化带来的比表面积的增加，增强了结合力也提高了封装结构的可靠性，通过增加金属形成的导热柱，能够提高封装结构的散热能力，对于产品的可靠性是极大的提高。
[0018]（2）本方案，采用了多层蚀刻的技术，能够缩小引线间距和线宽到0.07～0.1mm之间，远远小于传统封装线路0.3mm的间距，这样就可以降低像素点的距离，分辨率提高。
附图说明
[0019]图1为本专利技术的正视剖视结构示意图；图2为本专利技术封装线路结构的结构示意图；图3为本专利技术高分子层与焊盘的塑封结构示意图；图4为本专利技术焊盘的结构示意图；图5为本专利技术的线路结构示意图；图6为本专利技术的制备流程示意图。
[0020]图中标号说明：1、焊盘；2、封装线路结构；3、高分子层；4、引脚；5、导热柱。
具体实施方式
[0021]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；请参阅图1～5，本专利技术中，预注塑式MINI LED封装基板，包括焊盘1和封装线路结
构2，焊盘1上通过蚀刻形成封装线路结构2，封装线路结构2的缝隙处通过注塑填充有高分子层3，封装线路结构2上一体成型有若干个引脚4，焊盘1上设置有导热柱5，相邻的引脚4的间距小于0.3mm，封装线路结构2与高分子层3的结合面粗化处理。
[0022]采用了平板式封装方案，去除传统的凹槽式封装设计，极大的扩宽了视角范围，并且采用了表面粗化的处理工艺，不同材料的界面结合力因为粗化带来的比表面积的增加，增强了结合力也提高了封装结构的可靠性，通过增加金属形成的导热柱5，能够提高封装结构的散热能力，对于产品的可靠性是极大的提高。
[0023]请参阅图1～5，其中：相邻两个引脚4的间距在0.07～0.1mm之间，焊盘1的厚度为6mil与8mli的合金铜板中的一种。
[0024]请参阅图1～5，其中：高分子层3为环氧树脂构成，高分子层3选用低于50um环氧树脂注塑组成。
[0025]高分子层3可为环氧树脂或其它类似作用的高分子材料。
[0026]请参阅图1～6，其中：该预注塑式MINI LED封装基板的制造流程，包括以下步骤：步骤一、将合金铜材把芯片的线路图蚀刻出来，只是蚀刻部分材料，引脚4间隙在0.07～0.1mm之间，具体的引脚4数目取决于ASIC或者芯片的设计，形成焊盘1；步骤二、用传递塑模的方法把具有优良特性的环氧树脂材料注塑到蚀刻部分铜材的线路表面，得到部分高分子层3；步骤三、通过打磨把已经备塑封胶料掩盖的线路磨出来；步骤四、把没有做过蚀刻工艺另外合金铜材作为焊盘1的线路蚀刻出来，形成引脚4；步骤五、用传统的塑封模的方法把具有优良特性的环氧树脂材料注塑到蚀刻剩余铜材的封装线路结构2表面，形成完整高分子层3；步骤六、在整个焊线线路表面进行铜材料电镀，使其整个表面金属化；步骤七、在金属化的表面进行MINI LED封装线路的蚀刻；步骤八、进行MINI LED的封装和塑封保护；步骤九、单颗成型分切。
[0027]请参阅图1～6，其中：步骤一中通过掩饰模的设计，完整覆盖到整个合金铜板上面，利用UV或者激光把线路覆盖膜活化形成线路结构。
[0028]请参阅图1～6，其中：步骤二中在传塑过程中选用低于50um填充的化合物的材料以利于在复杂的ASI本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.预注塑式MINI LED封装基板，包括焊盘(1)和封装线路结构(2)，其特征在于：所述焊盘(1)上通过蚀刻形成封装线路结构(2)，所述封装线路结构(2)的缝隙处通过注塑填充有高分子层(3)，所述封装线路结构(2)上一体成型有若干个引脚(4)，所述焊盘(1)上设置有导热柱(5)，相邻的所述引脚(4)的间距小于0.3mm，所述封装线路结构(2)与高分子层(3)的结合面粗化处理。2.根据权利要求1所述的预注塑式MINI LED封装基板，其特征在于：相邻两个所述引脚(4)的间距在0.07～0.1mm之间，所述焊盘(1)的厚度为6mil与8mli的合金铜板中的一种。3.根据权利要求1所述的预注塑式MINI LED封装基板，其特征在于：所述高分子层(3)为环氧树脂构成，所述高分子层(3)选用低于50um环氧树脂注塑组成。4.根据权利要求1所述的预注塑式MINI LED封装基板，其特征在于：该预注塑式MINI LED封装基板的制造流程，包括以下步骤：步骤一、将合金铜材把芯片的线路图蚀刻出来，只是蚀刻部分材料，引脚(4)间隙在0.07～0.1mm之间，具体的引脚(4)数目取决于ASIC或者芯片的设计，形成焊盘(1)；步骤二、用传递塑模的方法把具有优良特性的环氧树脂材料注塑到蚀刻部分铜材的线路表面，得到部分高分子层(3)；步骤三、通过打磨把已经备塑封胶料掩盖的线路磨出来；步骤四...
【专利技术属性】
技术研发人员：银光耀，
申请(专利权)人：深圳市唯亮光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。