发光组件、显示屏及发光组件的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种发光组件、显示屏及发光组件的制作方法，其中，发光组件中的第二导电层为透光层，其将绝缘保护层和各半导体序列的顶面覆盖，并在第二导电层上设有第三导电层，该第三导电层的电阻小于第二导电层的电阻，且第二导电层覆盖各半导体序列的顶面的第一区域外露于第三导电层；该第三导电层与第二导电层在电路连接关系上呈并联连接，使得二者并联后的总电阻，小于与第二导电层和第三导电层叠加后同等厚度的第二导电层的电阻，从而降低各半导体序列形成的发光芯片的电压，且第二导电层覆盖各半导体序列的顶面的第一区域外露于第三导电层，因此又能保证出光效率。因此又能保证出光效率。因此又能保证出光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光组件、显示屏及发光组件的制作方法


[0001]本专利技术涉及发光芯片领域，尤其涉及一种发光组件、显示屏及发光组件的制作方法。

技术介绍

[0002]Micro LED(Micro Light
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Emitting Diode，微小发光二极管)技术是LED微缩化和矩阵化技术，它是Mini LED的终极发展形态，也是下一代的革命性显示技术。Micro LED芯片的尺寸为1微米至10微米，与OLED(Organic Light
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Emitting Diode，有机发光半导体)一样能够实现每个像素单独定址，单独驱动发光。Micro LED技术优势在于低功耗，高亮度，超高分辨率与色彩饱和度，相应速度快，寿命长等优点。
[0003]目前，芯片阵列的制程，例如垂直红光芯片阵列的制程包括，将发光芯片的外延层同硅基衬底进行金属键合Bonding，由于硅基导电，故可以作为芯片阵列的P电极；然后进行外延层的衬底移除，漏出N面磷化铝镓铟AlGaInP，然后再进行像素隔离，钝化层及沉积氧化铟锡ITO层作为共N极,从而得到芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光组件，其特征在于，包括：衬底；设于所述衬底上的第一导电层；设于所述第一导电层上、且相互分离的多颗半导体序列，各所述半导体序列的顶面远离所述第一导电层，各所述半导体序列的第一半导体层与所述第一导电层电连接；设于所述第一导电层上，至少将各所述半导体序列的侧面覆盖的绝缘保护层，各所述半导体序列的顶面的至少一部分外露于所述绝缘保护层；设于所述绝缘保护层上，将所述绝缘保护层和各所述半导体序列的顶面覆盖的第二导电层，所述第二导电层为透光层，各所述半导体序列的第二半导体层与所述第二导电层电连接；设于所述第二导电层上的第三导电层，所述第三导电层的电阻小于所述第二半导体层的电阻，所述第二导电层覆盖各所述半导体序列的顶面的第一区域外露于所述第三导电层。2.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述第三导电层为金属层。3.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述第二导电层的电阻值为30欧至40欧，所述第三导电层的电阻值为5欧至7欧。4.如权利要求1
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3任一项所述的发光组件，其特征在于，所述第二导电层为氧化铟锡层。5.如权利要求1
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3任一项所述的发光组件，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴圆圆，王涛，朱小松，张偲，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：