发光芯片组件及其制作方法、显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种发光芯片组件及其制作方法、显示面板及其制作方法。发光芯片组件包括衬底、多个发光单元组，所述发光单元组设于所述衬底上，每个所述发光单元组包括设于所述衬底上的一缓冲层以及在所述缓冲层上形成的至少两颗发光单元。有利于形成更小的发光单元间距，且依此制成的像素的尺寸也能够得以缩小，且能够提高转移接触面积，从而使得转移良率得以提升。以提升。以提升。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片组件及其制作方法、显示面板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及发光芯片组件领域，尤其涉及一种发光芯片组件及其制作方法、显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]由于发光二极管具有节能、环保，寿命长等优点，在未来几年后，发光二极管有可能取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，而进入千家万户。微型发光二极管是新型的显示技术，具有高亮、低延迟、长寿命、广视角、高对比度的优势，是目前发光二极管的发展方向。但目前显示技术由于转移技术瓶颈存在发光单元间距大，像素尺寸大，转移良率低等问题。
[0003]因此，如何实现发光单元间距小，像素尺寸小且转移良率高的显示面板制作是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片组件及其制作方法、显示面板及其制作方法，旨在解决目前显示技术存在发光单元间距大，像素尺寸大，转移良率低等问题。
[0005]一种发光芯片组件，包括：
[0006]衬底；
[0007]多个发光单元组，所述发光单元组设于所述衬底上；
[0008]每个所述发光单元组包括设于所述衬底上的一缓冲层以及在所述缓冲层上形成的至少两颗发光单元。
[0009]上述发光芯片组件上，至少两颗发光单元以发光单元组的形式组合在一起，在进行发光单元的转移时，能够以发光单元组为单位进行。在转移的过程中，同一发光单元组中发光单元的间距甚至发光单元之间的布局不变，同一发光单元组内的发光单元间距不受到转移技术的影响，有利于形成更小的发光单元间距，且依此制成的像素的尺寸也能够得以缩小。并且每个发光单元组中的所有发光单元设于同一缓冲层上，提高了转移接触面积，从而使得转移良率得以提升。
[0010]可选地，所述发光单元组还包括挡光层，所述挡光层设置在所述缓冲层上，且所述挡光层覆盖所述至少两颗发光单元中每颗发光单元的侧壁。
[0011]可以理解的是，使得发光单元在侧方向上的光线被削弱或完全阻挡，改善光线效果，使出光更垂直。
[0012]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光芯片组件制作方法，包括：
[0013]提供一衬底；
[0014]在所述衬底上形成多个发光单元组，每个所述发光单元组包括设于所述衬底上的一缓冲层以及在所述缓冲层上形成的至少两颗发光单元。
[0015]上述发光芯片组件制作方法能够制作出上述示例的发光芯片组件，其上的两颗发
光单元以发光单元组的形式组合在一起，在进行发光单元的转移时，能够以发光单元组为单位进行。有利于形成更小的发光单元间距，和更小的像素尺寸，且使得转移良率得以提升。
[0016]可选地，在所述衬底上形成多个发光单元组，包括：
[0017]在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括沿生长方向依次层叠的缓冲层和其他外延层；
[0018]对所述外延层进行图案化处理，以使所述外延层分为多个互不相连的区域，每个所述区域包括所述缓冲层以及形成在该区域内的所述缓冲层上的至少两个外延结构单元；
[0019]在所述至少两个外延结构单元上形成电极，以得到所述至少两颗发光单元。
[0020]可选地，在所述至少两个外延结构单元上形成电极之后，还包括：
[0021]形成挡光层，设置在所述缓冲层上，且所述挡光层覆盖所述至少两颗发光单元中每颗发光单元的侧壁。
[0022]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板的制作方法，包括提供电路基板以及上述的发光芯片组件，所述电路基板上设有用于键合所述发光单元组的像素区域，每个所述像素区域对应于一个所述发光单元组；
[0023]将所述发光单元组转移至所述像素区域上。
[0024]上述显示面板的制作方法，以发光单元组为单元实现发光单元的转移，一个像素的发光单元以发光单元组的形式一次同步转移到电路基板上。在转移的过程中，无需对发光单元组中的发光单元的位置再做单独的调整。使得像素中的发光单元的间距保持其在发光芯片组件上的间距，不受转移技术的限制。能够制作出尺寸更小、芯片间距更小的像素，且发光单元组较大的转移面积使得转移的良率高。
[0025]可选地，所述将所述发光单元组转移至所述像素区域上包括：
[0026]将所述发光单元组与所述电路基板上的所述像素区域对准；
[0027]使所述衬底靠近所述电路基板，以使所述发光单元组的电极接触所述像素区域上的导电层；
[0028]使所述发光单元组与所述电路基板键合；
[0029]剥离所述衬底。
[0030]可选地，所述剥离所述衬底之后，还包括：
[0031]去除所述发光单元组的所述缓冲层；
[0032]形成光转换层，所述光转换层用于将同一像素区域中的至少一颗所述发光单元的光转换为其他颜色的光。
[0033]可选地，所述发光单元组包括三颗蓝光发光单元；
[0034]所述光转换层包括红光转换区和绿光转换区。
[0035]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板通过包括上述的显示面板的制作方法制作。
[0036]上述显示面板能够形成更小的发光单元间距，且像素的尺寸也能够较小。
附图说明
[0037]图1为本专利技术实施例提供的发光芯片组件的结构示意图；
[0038]图2为本专利技术实施例提供的发光芯片组件的另一结构示意图；
[0039]图3为本专利技术实施例提供的一个像素中发光单元的排列示意图；
[0040]图4为本专利技术实施例提供的一个像素中发光单元的另一排列示意图；
[0041]图5为图4沿线A的截面示意图；
[0042]图6为本专利技术实施例提供的发光芯片组件制作方法的基本流程示意图；
[0043]图7为本专利技术实施例提供的在衬底上形成多个发光单元组的基本流程示意图；
[0044]图8为本专利技术实施例提供的相关技术中发光芯片组件的结构示意图；
[0045]图9为本专利技术实施例提供的发光芯片组件的又一结构示意图；
[0046]图10为本专利技术另一可选实施例提供的显示面板的制作方法的基本流程示意图；
[0047]图11为本专利技术另一可选实施例提供的将发光单元组转移至像素区域的流程示意图；
[0048]图12为本专利技术另一可选实施例提供的将发光单元组与电路基板上的像素区域对准的示意图；
[0049]图13为本专利技术另一可选实施例提供的目标激光剥离衬底的示意图；
[0050]图14为图13的衬底剥离后的结构示意图；
[0051]图15为本专利技术另一可选实施例提供的剥离发光单元组的衬底之后的流程的示意图；
[0052]图16为本专利技术另一可选实施例提供的设置光转换层的示意图；
[0053]图17为本专利技术另一可选实施例提供的设置保护胶体的示意图；
[0054]图18为本专利技术另一可选实施例提供的显示面板的像素结构示意图；
[0055]附图标记说明：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片组件，其特征在于，包括：衬底；多个发光单元组，所述发光单元组设于所述衬底上；每个所述发光单元组包括设于所述衬底上的一缓冲层以及在所述缓冲层上形成的至少两颗发光单元。2.如权利要求1所述的发光芯片组件，其特征在于，所述发光单元组还包括挡光层，所述挡光层设置在所述缓冲层上，且所述挡光层覆盖所述至少两颗发光单元中每颗发光单元的侧壁。3.一种发光芯片组件制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个发光单元组，每个所述发光单元组包括设于所述衬底上的一缓冲层以及在所述缓冲层上形成的至少两颗发光单元。4.如权利要求3所述的发光芯片组件制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个发光单元组，包括：在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括沿生长方向依次层叠的缓冲层和其他外延层；对所述外延层进行图案化处理，以使所述外延层分为多个互不相连的区域，每个所述区域包括所述缓冲层以及形成在该区域内的所述缓冲层上的至少两个外延结构单元；在所述至少两个外延结构单元上形成电极，以得到所述至少两颗发光单元。5.如权利要求4所述的发光芯片组件制作方法，其特征在于，在所述至少两个外延结构单元上形成电极之后，还包括：形成挡光层，设置在所述缓冲层上，且所述挡光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雪梅，张柯，戴广超，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：