一种LED结构制造技术

本实用新型专利技术适用于ＬＥＤ，提供了一种大功率ＬＥＤ结构。所述ＬＥＤ结构包括壳体、第一金属支架、第二金属支架、以及ＬＥＤ芯片，所述第一金属支架及第二金属支架分别有一端位于所述壳体的内部，另一端露于所述壳体的外部；在所述壳体之中设置有散热基座，所述散热基座与所述第一金属支架电性连接；所述ＬＥＤ芯片电性连接并固定于所述散热基座上，所述第二金属支架以一导线与所述ＬＥＤ芯片电性连接，所述散热基座的一表面暴露于该壳体之外。本实用新型专利技术提高了散热效率，增长了ＬＥＤ的使用寿命，致使可以提高大功率ＬＥＤ的工作电流密度，也提高了大功率ＬＥＤ的光通量。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于LED，尤其涉及一种大功率LED结构。技术背景LED封装方法、材料和封装设备的选用主要是由LED芯片的外形、电气/ 机械特性、精度和单价等因素决定的。LED产业经过数十年的发展，经过了支 架式LED(Lead LED)、普通片式LED(Chip SMD LED)、功率LED(Power LED) 及大功率LED(High Power LED)等发展过程，支架式LED和普通片式LED的 额定顺向工作电流是小于30mA,功率LED的额定顺向工作电流是在30~200mA 之间，大功率LED的额定顺向工作电流是大于200mA。以封装形式而言，大功率LED是属于表面安装装置(Surface Mount Device, SMD)的形式，因为针对大功率LED的散热需求，该LED并未采用散热较差的 过孔插件的形式封装，而采用散热较佳的表面安装装置的形式封装。为了能更 好的运用大功率LED,现今业界皆在研究如何改善大功率LED的散热问题。图1为习知大功率LED的外形示意图，图2为习知大功率LED的金属支 架结构示意图。如图l及图2所示，作为大功率LED IO的外部电性连接的金 属支架1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ结构，包括壳体、第一金属支架、第二金属支架、以及ＬＥＤ芯片，所述第一金属支架及第二金属支架分别有一端位于所述壳体的内部，另一端露于所述壳体的外部；其特征在于，在所述壳体之中设置有散热基座，所述散热基座与所述第一金属支架电性连接；所述ＬＥＤ芯片电性连接并固定于所述散热基座上，所述第二金属支架以一导线与所述ＬＥＤ芯片电性连接，所述散热基座的一表面暴露于该壳体之外。

【技术特征摘要】
1、一种LED结构，包括壳体、第一金属支架、第二金属支架、以及LED芯片，所述第一金属支架及第二金属支架分别有一端位于所述壳体的内部，另一端露于所述壳体的外部；其特征在于，在所述壳体之中设置有散热基座，所述散热基座与所述第一金属支架电性连接；所述LED芯片电性连接并固定于所述散热基座上，所述第二金属支架以一导线与所述LED芯片电性连接，所述散热基座的一表面暴露于该壳体之外...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋文洲，
申请(专利权)人：深圳市龙岗区横岗光台电子厂，今台电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]