提高太阳能电池产能制程装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术一种提高太阳能电池产能制程装置，其包含：一真空加热腔体，该真空加热腔体设有加热器、分子涡流帮浦及干式帮浦；一真空等离子辅助化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）制程腔体，该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、分子涡流帮浦及干式帮浦；一真空冷却腔体，该真空冷却腔体设有冷却装置、分子涡流帮浦及干式帮浦；提供本实用新型专利技术的不同腔体作不同加工，可同时对多数组待加工物进行不同加工处理，进而提升产能、缩短加工时间、减少成本，进而达到一种提高太阳能电池产能制程装置的目的。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种提高太阳能电池产能制程装置，尤指一种设有 多数个不同功效的真空腔体，同时对多数组待加工物进行不同加工处理， 进而提升产能、縮短加工时间、减少成本，进而达到一种提高太阳能电 池产能制程装置的目的。
技术介绍
随着光电与半导体等产业的发展，在基板上进行等离子处理以成长 薄膜的制程方式已逐渐获得广泛的应用，因此，以等离子辅助化学气相沉积法(PECVD)，在大面积基板上进行薄膜成长，已是光电与半导体工业 中的重要技术之一，而PECVD制程乃是通过等离子辅助，利用化学反应 方式，将通入的气体反应成固体，而沉积在被镀物(玻璃)上，但要做得 好，则需要特别注意以下几点反应器设计、气流分布、真空度、加热 温度、均匀性及等离子密度控制……等；请参阅图l所示，是现今市面上常见的批次式PECVD加工装置，其 包含 一真空腔体l，该真空腔体l入口处设有闸门11，且该真空腔体l 设有加热器12、高压电极13及气体供应装置14;多数个分子涡流帮浦 15，该分子涡流帮浦15与真空腔体1相接；多数个干式帮浦16，该干式 帮浦16与真空腔体1相接； 一电极承盘17，该电极承盘17内可供待镀 物放置；但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高太阳能电池产能制程装置，其特征在于包含：　　　　一真空加热腔体，该真空加热腔体设有加热器、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦，又该真空加热腔体入口处设有可开闭的第一真空封合闸门，而该真空加热腔体出口处设有可开闭的第二真空封合闸门；　　　　一真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体，该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦，又该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体与真空加热腔体间设有可开闭的第二真空封合闸门，而该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体出口处设有可开闭的第三真空封合闸门；　　　　一真空冷却腔体，该...

【技术特征摘要】
1、一种提高太阳能电池产能制程装置，其特征在于包含一真空加热腔体，该真空加热腔体设有加热器、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦，又该真空加热腔体入口处设有可开闭的第一真空封合闸门，而该真空加热腔体出口处设有可开闭的第二真空封合闸门；一真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体，该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体设有气体供应装置、高频电极、至少一个以上的分子涡流帮浦及至少一个以上的干式帮浦，又该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体与真空加热腔体间设有可开闭的第二真空封合闸门，而该真空等离子辅助化学气相沉积制程腔体出口处设有可开闭的第三真空封合闸门；一真空冷却腔体，该真...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾子峻，林煌琦，
申请(专利权)人：仕贯真空科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]