一种正面发光二极管改进结构，其主要包括有：一外壳体，由一封实的底片，及一具有喇叭开口的顶片所构成；以及，一基座，其夹置在外壳体的底片与顶片间，该基座中间设有置放晶片的台面，而其两侧突设有包折底片的接脚；其中，该基座的台面设有凹陷位，使晶片与其晶片基座可深植埋入台面的凹陷位内组装，据此，使晶片可埋入组装，除可提升发光效率，并可达到最佳混色效果，而且利用其凹陷基座亦可提升散热效果，而有效增加产品信赖度。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及正面发光二极管结构，尤指一种基座上的台面设有凹陷位，使晶片可埋入组装提升发光效率，并达到最佳混色效果，及有效提升散热效果增加产品信赖度的正面发光二极管改进结构。
技术介绍
随着电子产品愈来愈精薄短小，传统的电子零件在结构外形亦须跟着改变，方能符合多层电路板及电子插件一贯生产制造的需求，故较先进的发光二极管制造方式，其在一整片金属上预先冲形使中间矩阵分布设有数个预定成形的镂空台面，而两侧设有导进孔以供机器导进正确对位，再于金属片的两侧以塑胶材料制成外壳包夹压合，制造时令外壳可深入镂空切分线而形成绝缘，另外，接脚冲断后可延底片体侧包夹至底缘，如此即可在一金属片上快速制出许多内具有基座而外具有外壳的半成品，以供一贯生产置入晶片封装。其金属片上的每一颗半成品结构，主要包括有一外壳体，由一封实的底片及一具有喇叭开口的顶片所构成，以及，一基座，其夹置在外壳体的底片与顶片间，该基座中间设有置放晶片的台面，而两侧突设有包折底片的接脚。但是，公知结构其设计上如图3、图4所示，因为基座本身是一平台，故与晶片组装上存有如下缺点1.晶片置上基座的平台后高度过高，会使发光效率减低。2.由于组合晶片过高，容易因应力影响而导致失效。3.因为晶片是高出台面，故使其结构设计混色效果变差。因鉴于上述公知结构所存在的缺点，本技术人在经多方研究、改良、设计后，终于研制成功本技术。新型内容本技术的主要目的，在于设计一种基座上的台面设有凹陷位的正面发光二极管改进结构，使晶片可埋入组装，以提升发光效率，并达到最佳混色效果，及有效提升散热效果增加产品信赖度。为达到前述目的，本技术所设计的一种正面发光二极管改进结构，其主要包括有一外壳体，由一封实的底片，及一具有喇叭开口的顶片所构成；以及一基座，其夹置在外壳体的底片与顶片间，该基座中间具有置放晶片的台面，而两侧突出有包折底片的接脚；其特征在于该基座的台面具有使晶片与其晶片基座可深植埋入台面的凹陷位。据此，使晶片可埋入组装，除可提升发光效率，并可达到最佳混色效果，而且利用其凹陷基座亦可提升散热效果，而有效增加产品信赖度。为使能进一步了解本技术的构成内容及其他特点，兹举本技术较具体的实施例，并配合附图的实施例详细说明如以下所述。附图说明图1本技术实施于单色发光二极管改进结构的剖面图。图2本技术实施于混色发光二极管改进结构的剖面图。图3公知单色发光二极管结构的剖面图。图4公知混色发光二极管结构的剖面图。具体实施方式如图1、图2所示，本技术所设计的一种正面发光二极管改进结构，其主要包括有一外壳体1，由一封实的底片11，及一具有喇叭开口13的顶片12所构成；以及，一基座2，其夹置在外壳体1的底片11与顶片12间，该基座2中间设有置放晶片3的台面21，于基座2的台面21设有凹陷位22，而其两侧突设有包折底片11的接脚23；据此，使制造时晶片3与其晶片基座31可深植埋入台面21的凹陷位22内组装，该晶片基座31虽下沉但晶片3与原有传统置放方式相同，并不必另外新增设备，而且利用其凹陷基座2除可降低高度亦可提升散热效果，有效增加产品信赖度，更可提升发光效率并达到最佳混色效果，而有效克服传统结构设计不良的缺点。本技术实施时，如图1所示，可于该基座2上的台面21设有单一凹陷位22，以供制成单色发光二极管，或如图2所示，于该基座2上的台面21设有数个凹陷位22，以供制成混色发光二极管。而制成的单色发光二极管或混色发光二极管均可单个使用，亦可供各种矩阵使用。本技术具有以下的优点1.其结构因可使晶片深植，故发光效率可比传统结构提升约30％。2.基座虽下沉但晶片与原有传统置放方式相同，故不必另增设备及造成生产上的不便。3.晶片与晶片基座的下沉设置可以提升散热效果，增加产品信赖度，并使三原色的混色效果达到最佳化。综上所述，本技术所设计的结构确实可提升发光效率，增进散热及达到最佳混色效果，有效增加产品信赖度，功能上远胜于传统结构，具进步性及产业利用价值，遂依法提出申请新型专利。上述实施例是用来详细说明本技术的目的、特征及功效，仅为本技术的部分实施例，当不能以此限定本技术的实施范围，凡熟悉此类技艺的人仕根据上述说明，及依以下申请专利范围所载的结构特征及于功效上所作等效性的变换或修改，其本质未脱离出本技术的精神范畴者，皆应包含在本技术的专利范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种正面发光二极管改进结构，其主要包括有： 一外壳体，由一封实的底片，及一具有喇叭开口的顶片所构成；以及 一基座，其夹置在外壳体的底片与顶片间，该基座中间具有置放晶片的台面，而两侧突出有包折底片的接脚；其特征在于： 该基座的台面具有使晶片与其晶片基座可深植埋入台面的凹陷位。
【技术特征摘要】
1.一种正面发光二极管改进结构，其主要包括有一外壳体，由一封实的底片，及一具有喇叭开口的顶片所构成；以及一基座，其夹置在外壳体的底片与顶片间，该基座中间具有置放晶片的台面，而两侧突出有包折底片的接脚；其特征在于该基座的台面具有使晶片与其晶片基座...
【专利技术属性】
技术研发人员：凌士忠，
申请(专利权)人：凌士忠，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]
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