背板、背光模组、显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种背板、背光模组、显示装置，属于显示背板技术领域，包括衬底；第一金属电极线，设置在衬底上；微发光二极管，微发光二极管设置在第一金属电极线上；微发光二极管包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第二半导体层与第一金属电极线电连接；第一平坦层，第一平坦层覆盖在第一金属电极线上；第二金属电极线，设置在第一平坦层上；第二平坦层，第二平坦层覆盖位于第一平台绝缘层上的第二金属电极线。通过本申请实施例提供的一种背板、背光模组、显示装置，可以减少背板的工艺流程，提高背板的显示亮度。提高背板的显示亮度。提高背板的显示亮度。

【技术实现步骤摘要】
背板、背光模组、显示装置


[0001]本申请实施例涉及显示背板
，具体而言，涉及一种背板、背光模组、显示装置。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED(微型发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,与LCD、OLED相比，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。
[0003]目前，在Micro
‑
LED显示背板的制作工艺中，在转移Micro
‑
LED后需要镀绝缘层和ITO膜，并且还要在顶部对绝缘层进行开孔，导致Micro
‑
LED显示背板的制作工艺较为复杂，并且ITO膜属于半透明膜，对显示背板的显示亮度也会造成一定影响。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种背板、背光模组、显示装置，旨在减少背板的工艺流程，提高背板的显示亮度。
[0005]本申请实施例第一方面提供一种背板，包括：
[0006]衬底；
[0007]第一金属电极线，设置在所述衬底上；
[0008]微发光二极管，所述微发光二极管设置在所述第一金属电极线上；所述微发光二极管包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层在所述衬底上的投影面积小于所述发光层在所述衬底上的投影面积，所述第一半导体层在所述衬底上的投影面积小于所述第二半导体层在所述衬底上的投影面积，所述第二半导体层和所述第一金属电极电连接；；
[0009]第一平坦层，所述第一平坦层覆盖在所述第一金属电极线上，所述第一平坦层覆盖所述微发光二极管的发光层和第二半导体层，所述第一平坦层与所述第一半导体层至少部分交叠；
[0010]第二金属电极线，设置在所述第一平坦层上；且所述第二金属电极线与所述第一半导体层至少部分交叠；
[0011]第二平坦层，所述第二平坦层覆盖位于所述第一平台绝缘层上的所述第二金属电极线。
[0012]可选地，键合金属层，所述键合金属层设置在所述第一金属电极线上，所述微发光二极管与所述键合金属层键合连接。
[0013]可选地，所述第一平坦层的背离所述衬底的表面到所述衬底的厚度大于所述发光层的背离所述衬底的表面到所述衬底的厚度。
[0014]可选地，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二金属电极线及所述第二平坦层在
所述第一半导体层的侧壁上的高度低于所述第一半导体层的侧壁的高度。
[0015]可选地，保护膜层，所述保护膜层覆盖在所述第二平坦层上。
[0016]可选地，所述保护膜层背离所述衬底的一侧到所述衬底的厚度，小于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧到所述衬底的厚度。
[0017]可选地，欧姆接触层，所述欧姆接触层设置于所述第二金属电极线和所述第一半导体层之间。
[0018]可选地，所述第一半导体层为N
‑
GAN。
[0019]可选地，所述第一半导体层的厚度大于所述第二半导体层的厚度。
[0020]可选地，所述第一半导体层在所述衬底上的正投影位于所述第二半导体层在所述衬底上的正投影内。
[0021]可选地，所述微发光二极管包括第一表面、第二表面和侧面，所述第一表面为所述微发光二极管远离所述衬底的一面，所述第二表面为所述微发光二极管靠近所述衬底的一面，所述第一表面和第二表面相互平行，所述第一表面与第二表面通过所述侧面连接，所述侧面与所述第二表面的夹角为45
°‑
70
°
。
[0022]可选地，所述第一金属电极线和所述第二金属电极线均设置有多条，且多条所述第一金属电极线平行设置在所述衬底上；多条所述第二金属电极线平行设置在所述第一平坦层上，所述第一金属电极线与所述第二金属电极线相互垂直。
[0023]本申请实施例第二方面提供一种背光模组，包括显示面板和如本申请实施例第一方面提供的背板。
[0024]本申请实施例第三方面提供一种显示装置，包括驱动电路和如本申请实施例第三方面提供的背光模组。
[0025]有益效果：
[0026]本申请提供一种背板、背光模组、显示装置，通过在衬底上设置第一金属电极线、微发光二极管、第一平坦层、第二金属电极线和第二平坦层，由于第二金属电极线环绕包覆微发光二极管的第一半导体层的侧壁，因而实现了第二金属电极线与微发光二极管的电连接，无需再设置ITO膜来连通第二金属电极线和微发光二极管，从而使得背板的制作工艺得到简化，同时由于没有ITO膜层的阻挡，使得背板的显示亮度得到提升。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本申请一实施例提出的一种背板的剖面结构示意图；
[0029]图2是本申请一实施例提出的一种的剖面结构示意图；
[0030]图3是本申请一实施例提出的一种背板的平面结构示意图；
[0031]图4是本申请一实施例提出的一种背板的制备方法的步骤流程图；
[0032]图5是本申请一实施例提出的完成衬底制作的背板的剖面结构示意图；
[0033]图6是本申请一实施例提出的完成第一金属电极线制作的背板的剖面结构示意
图；
[0034]图7是本申请一实施例提出的完成键合金属层制作的背板的剖面结构示意图；
[0035]图8是本申请一实施例提出的转移微发光二极管的背板的剖面结构示意图；
[0036]图9是本申请一实施例提出的完成转移微发光二极管的背板的剖面结构示意图；
[0037]图10是本申请一实施例提出的完成第一平坦层制作的背板的剖面结构示意图；
[0038]图11是本申请一实施例提出的完成第一平坦层刻蚀的背板的剖面结构示意图；
[0039]图12是本申请一实施例提出的完成第二金属电极线制作的背板的剖面结构示意图；
[0040]图13是本申请一实施例提出的完成第二平坦层制作的背板的剖面结构示意图；
[0041]图14是本申请一实施例提出的完成第二平坦层刻蚀的背板的剖面结构示意图；
[0042]图15是本申请一实施例提出的完成第二金属电极线刻蚀的背板的剖面结构示意图。
[0043]附图标记说明：10、衬底；11、第一金属电极线；12、键合金属层；13、微发光二极管；131、第一半导体层；132、发光层；133、第二半导体层；134、配合金属层；14、第一平坦层；15、第二金属电极线；16、第二平坦层。
具体实施方式
[0044]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背板，其特征在于，包括：衬底；第一金属电极线，设置在所述衬底上；微发光二极管，所述微发光二极管设置在所述第一金属电极线上；所述微发光二极管包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层在所述衬底上的投影面积小于所述发光层在所述衬底上的投影面积，所述第一半导体层在所述衬底上的投影面积小于所述第二半导体层在所述衬底上的投影面积，所述第二半导体层和所述第一金属电极电连接；第一平坦层，所述第一平坦层覆盖在所述第一金属电极线上，所述第一平坦层覆盖所述微发光二极管的发光层和第二半导体层，所述第一平坦层与所述第一半导体层至少部分交叠；第二金属电极线，设置在所述第一平坦层上；且所述第二金属电极线与所述第一半导体层至少部分交叠；第二平坦层，所述第二平坦层覆盖位于所述第一平台绝缘层上的所述第二金属电极线。2.根据权利要求1所述的背板，其特征在于：键合金属层，所述键合金属层设置在所述第一金属电极线上，所述微发光二极管与所述键合金属层键合连接。3.根据权利要求1所述的背板，其特征在于：所述第一平坦层的背离所述衬底的表面到所述衬底的厚度大于所述发光层的背离所述衬底的表面到所述衬底的厚度。4.根据权利要求3所述的背板，其特征在于：在垂直于所述衬底的方向上，所述第二金属电极线及所述第二平坦层在所述第一半导体层的侧壁上的高度低于所述第一半导体层的高度。5.根据权利要求1所述的背板，其特征在于：保护膜层，所述保护膜层覆盖在所述第二平坦层上。6.根据权利要求5所述的背板，其特征在于：所述保护膜层背离所述衬底的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄安，蒋学兵，雷金波，邵贤杰，
申请(专利权)人：南京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：